碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

復(fù)蘇乏力元件供應(yīng)商日子難過(guò)

　　雖然所有領(lǐng)先指標(biāo)都顯示2013年下半年將恢復(fù)季節(jié)性增長(zhǎng)，但包括半導(dǎo)體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當(dāng)前市場(chǎng)復(fù)蘇階段的預(yù)期水平。據(jù)IHS公司的元件價(jià)格走勢(shì)追蹤服務(wù)，這種需求缺口可能限制今年電子元件市場(chǎng)的增長(zhǎng)幅度。　　2013年商品類芯片的總體前景仍然堅(jiān)挺，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)4.8%，盡管該市場(chǎng)的各個(gè)領(lǐng)域不會(huì)同樣強(qiáng)勁。　　在假日季節(jié)之前的這個(gè)時(shí)期，MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動(dòng)沒(méi)有呈現(xiàn)出通常的水平。這個(gè)階段通常出現(xiàn)交貨期延長(zhǎng)和價(jià)格上漲現(xiàn)象，而目前尚未看到這些情況。同時(shí)，消費(fèi)電子、汽
關(guān)鍵字：電子元件 MOSFET

歡迎來(lái)到電源設(shè)計(jì)小貼士！隨著現(xiàn)在對(duì)更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理...
關(guān)鍵字：工作頻率 MOSFET Pcon

飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過(guò)引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過(guò)程，將 MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
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安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時(shí)間延至最長(zhǎng)。
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 鋰離子電池

Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個(gè)半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： Mouser CAS100H12AM1 碳化硅

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級(jí)擴(kuò)大為6A～105A。
關(guān)鍵字： Vishay E系列 MOSFET

什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制信...
關(guān)鍵字：功率 MOSFET 基礎(chǔ)知識(shí)

日前，集設(shè)計(jì)，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(AOS, 納斯達(dá)克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
關(guān)鍵字： AOS AON6250 MOSFET

高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過(guò)熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問(wèn)題。同樣，熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器，也會(huì)降低相機(jī)的圖片質(zhì)量。調(diào)節(jié)熱波動(dòng)的典型散熱解決方案會(huì)增加元件數(shù)量，占用電路板空間，讓這些設(shè)計(jì)變得更復(fù)雜。
關(guān)鍵字：飛兆 FDMQ86530L MOSFET

我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別。工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管...
關(guān)鍵字： MOSFET 三極管

本應(yīng)用筆記提供了一個(gè)低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)?；趩涡酒琈AX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動(dòng)器，能夠?yàn)?..
關(guān)鍵字： MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器 RGB LED

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。
關(guān)鍵字： Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?200 W)，并且常常會(huì)把電
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

　　在綠色能源和節(jié)能計(jì)劃的帶動(dòng)下，加之出口回升，預(yù)計(jì)今年中國(guó)市場(chǎng)的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國(guó)以及其它主要全球經(jīng)濟(jì)體的形勢(shì)好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。　　據(jù)IHS公司的中國(guó)研究專題報(bào)告，今年中國(guó)功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長(zhǎng)3%。去年該市場(chǎng)比2011年的23.7億美元下降8%。　　明年增長(zhǎng)將更加強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)營(yíng)業(yè)收入上升11%，隨后每年將保持穩(wěn)定增長(zhǎng)，至少保持到2017年。到2017年，預(yù)
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 MOSFET