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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

功率器件的新時代汽車電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
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MOSFET雙峰效應的評估方法簡介

  • 金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET

  • 瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級半導體解決方案的主要供應商，日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應三極管(超級結(jié)MOSFET)，具有如下的特點：600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應用。
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MOSFET驅(qū)動器及功耗計算方法

  • 我們先來看看MOS關(guān)模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
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Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。
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高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應用

  • 前言近年來，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視，更造...
  • 關(guān)鍵字： 高效能  Power  MOSFET  

MHP技術(shù)在鋰電池電路保護中的應用

  • 鋰離子電池的先進技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動工具、電...
  • 關(guān)鍵字： MHP技術(shù)  鋰電池  電路保護  MOSFET  

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導參數(shù)

  • 本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  開關(guān)損耗  主導參數(shù)  

羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

  • 日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  MOSFET  DC/DC  

恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

  • 恩智浦半導體(納斯達克代碼：NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  MOSFET  

IR推出車用功率MOSFET

  • 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應用。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

能使導通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案

  • 工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
  • 關(guān)鍵字： 情況  解析  方案  相關(guān)  MOSFET  電阻  下降  功率  能使導  

開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路介紹及分析

  • 開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點，應用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動功率低等優(yōu)點已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能
  • 關(guān)鍵字： 介紹  分析  電路  驅(qū)動  MOSFET  開關(guān)電源  

具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

  • 由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖，電力電子設備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善
  • 關(guān)鍵字： VCESAT  1200V  開關(guān)  碳化硅    
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碳化硅 mosfet介紹

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