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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

反激式電源中MOSFET的鉗位電路

  • 輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓撲結構。這種電源成本較低,使用一個控制器就能提供多路輸出...
  • 關鍵字: 反激式  MOSFET  鉗位電路  

安森美新器件用于富于挑戰(zhàn)的不同汽車應用

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)宣布推出數款新汽車產品系列,專門為發(fā)展迅速的汽車市場而設計,配合汽車電子成分持續(xù)升高,用于燃油經濟性、安全、信息娛樂系統(tǒng)及車載通信等先進功能。
  • 關鍵字: 安森美  MOSFET  LED  

Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅動器

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅動器--- VOM1271。新器件集成了關斷電路,因此不需要外部的關斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅動器極大降低了配置成本和PCB空間,并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  驅動器  

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

  • b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解,人們將其用于信息通信...
  • 關鍵字: MOSFET  光電耦合器  

實現汽車器件0ppm目標的舉措

  • 汽車可靠性和AEC資格認證汽車可能是我們每個人擁有的最可靠的設備之一。這可能聽起來有失偏頗,并且如果您的...
  • 關鍵字: 汽車電子  IR  MOSFET  

雙柵極SET與MOSFET的混合特性

  • 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性  由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構成雙柵極SET/MOSFET ...
  • 關鍵字: 雙柵極  SET  MOSFET  

MOSFET柵漏電流噪聲分析

  • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢,導致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越 ...
  • 關鍵字: MOSFET  柵漏電流  噪聲分析  

瑞薩電子推出工業(yè)用首個微控制器

  • 高級半導體解決方案的領軍廠商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩”),于日前發(fā)布了最新的用于個人計算機CPU、服務器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個集成微控制器(MCU)數字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測電路的智能脈寬調制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
  • 關鍵字: 瑞薩  MCU  MOSFET  

安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET

  • 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充公司寬廣的接口及電源管理產品陣容,推出一對優(yōu)化的超小超薄小信號MOSFET,用于空間受限的便攜消費電子產品,如平板電腦、智能手機、GPS系統(tǒng)、數字媒體播放器及便攜式游戲機。
  • 關鍵字: 安森美  MOSFET  

Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39m?~600m?,將最高電流等級擴展至7A~73A。
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

Intersil擴展業(yè)內領先的“HIP”橋式驅動器產品系列

  • 全球高性能模擬混合信號半導體設計和制造領導廠商Intersil公司(納斯達克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,推出面向電源和電機驅動應用的業(yè)內領先“HIP”系列MOSFET橋式驅動器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅動器產品家族提供最短的上升/下降時間,可調節(jié)死區(qū)時間控制和靈活的控制輸出。
  • 關鍵字: Intersil  MOSFET  驅動器  

功率MOSFET管驅動變壓器設計

  • 摘要: 對具有驅動變壓器的功率MOSFET管驅動電路的動態(tài)過程進行了分析,推導了驅動變壓器設計參數(繞組電流有效值,變壓器功率)的計算方法,定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對開通過程的影響,并通過仿真和試
  • 關鍵字: MOSFET  驅動  變壓器設計    

Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ,以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU,擴充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

Intersil推出業(yè)內最堅固ORing控制器

  • 全球高性能模擬混合信號半導體設計和制造領導廠商Intersil公司(納斯達克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護的堅固、緊湊型ORing FET控制器。
  • 關鍵字: Intersil  MOSFET  ISL6146  

同步降壓MOSFET電阻比的選擇

  • 在這篇《電源設計小貼士》中,我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常,作為設計過程的一個組
  • 關鍵字: MOSFET  同步降壓  電阻比    
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碳化硅 mosfet介紹

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