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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

  • 用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET
    隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET
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MOSFET高速驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

  • 隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來(lái)的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來(lái)越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅(qū)動(dòng)高速M(fèi)OSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問(wèn)題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。
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包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

  • 1. 引言　　散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差，一般說(shuō)來(lái)主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不 ...
  • 關(guān)鍵字： 熱模型  MOSFET  PSPICE  

飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆半導(dǎo)體  英飛凌科技  MOSFET  

飛兆與英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。 　　飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設(shè)計(jì)人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計(jì)的全面解決方案。 　　這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達(dá)成的協(xié)議的擴(kuò)展，旨在為客戶(hù)保證供
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開(kāi)關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

  • 1引言開(kāi)關(guān)電源是目前用途非常廣泛的一種電源設(shè)備，然而隨著開(kāi)關(guān)頻率以及開(kāi)關(guān)速度的不斷提高，產(chǎn)生的電磁干擾越來(lái)越大，由于市場(chǎng)準(zhǔn)入制度的實(shí)施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電
  • 關(guān)鍵字： 仿真  分析  干擾  電磁  MOSFET  電壓  開(kāi)關(guān)電源  

瑞薩開(kāi)發(fā)出低損耗碳化硅（SiC）功率器件

  • 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”)宣布開(kāi)發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢(shì)壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽(yáng)能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會(huì)社與瑞薩聯(lián)合開(kāi)發(fā)的技術(shù)，有助于實(shí)現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。
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集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(三)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM51346，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046：28個(gè)PIN腳功能(上接第
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大功率電源中MOSFET功率計(jì)算

  • 計(jì)算功率耗散　　要確定一個(gè)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用，需要對(duì)其功率耗散進(jìn)行計(jì)算。耗散主要包括 ...
  • 關(guān)鍵字： 大功率  電源中  MOSFET  功率  

適用于小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的MOSFET逆變模塊

  • 摘要
    　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇和水泵中的小型直流無(wú)刷電機(jī)。這種功率模塊集成了6個(gè)MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路 (HVIC)。通過(guò)使用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
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計(jì)算大功率電源中MOSFET的功率耗散

  • 中心議題： 計(jì)算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案： 重新設(shè)定輸入電壓范圍 改變開(kāi)關(guān)頻率
    也許便攜式電源設(shè)計(jì)工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每?jī)赡攴槐?。事?shí)上
  • 關(guān)鍵字： 功率  耗散  MOSFET  電源  大功率  計(jì)算  

Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

  • 　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過(guò)減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。 　　這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過(guò)壓狀態(tài)下，保證器件正常
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  控制器  

MOSFET控制器有助提升PSU效率

  • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過(guò)減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  ZXGD3104N8  

德州儀器推出4A與5A雙通道輸出MOSFET驅(qū)動(dòng)器

  • 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營(yíng)。
  • 關(guān)鍵字： TI  MOSFET  UCC27210  

二極管泄漏電流及MOSFET亞閾區(qū)電流的測(cè)量

  • 中心議題： 二極管的泄漏電流的測(cè)量 MOSFET的亞閾區(qū)電流的測(cè)量解決方案： 采用源-測(cè)量單元測(cè)量二極管的泄漏電流 采用兩臺(tái)SMU來(lái)測(cè)量MOSFET的亞閥區(qū)電流
    測(cè)試半導(dǎo)體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測(cè)量
  • 關(guān)鍵字： 電流  測(cè)量  MOSFET  二極管  泄漏  
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碳化硅 mosfet介紹

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