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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

2016年LED照明領(lǐng)域大功率半導(dǎo)體市場將達30億美元

  • 　　據(jù)市場研究機構(gòu)IMS Research的最新報告顯示，2016年，LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的全球功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將超過30億美元。 　　報告認為，隨著更高效照明需求的增長以及淘汰白熾燈的法令的頒布，LED照明市場快速增長，這將催生一個巨大的大功率LED潛在市場，到2016年，大功率LED出貨量將達190億個，總值超過30億美元。 　　LED照明是大功率LED市場發(fā)展的最大機遇，到2016年將可帶動20億美元的功率半導(dǎo)體市場。市面上具有各種不同的電子設(shè)計、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來越廣，這也給大
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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(四)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
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IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)

Alpha MOS在PFC應(yīng)用中的注意事項與設(shè)計要點

  • Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，因此在通信電源，服務(wù)器電源，電源適配器以及臺式電腦電...
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[組圖]800瓦MOSFET功放

  • 800瓦MOSFET功放功放適合大功率的AV場合，看看參數(shù)吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時）：0 ...
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Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標

  • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
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功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

  • 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
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智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能

  • 智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能,所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競爭激烈，他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個可能的失效點的影響。在所有這些點都需要電源，并且
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羅姆推出高耐壓功率MOSFET

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
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瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET

  • 全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級電池的充電控制開關(guān)和與AC適配器進行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開關(guān)等用途進行最佳化的μPA2812T1L。
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飛兆單一P溝道具有小體積和低導(dǎo)通阻抗

  • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關(guān)解決方案的需求
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電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  高頻特性  放大器電路  工作原理    

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(五)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
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MOSFET的UIS和雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應(yīng)用中評
  • 關(guān)鍵字： 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  
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碳化硅 mosfet介紹

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