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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)低溫操作

  • 　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。 　　這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
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汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案

UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計

  • UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計,1　引言

    　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動芯片層出不窮，為驅(qū)動電路的設(shè)計提供了更多的選擇和設(shè)計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
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智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能的設(shè)計方案

  • 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性?！　CD
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科銳推出芯片型碳化硅功率器件

  • 碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件?？其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實現(xiàn)更高的能源效率。
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飛兆半導(dǎo)體鋰離子電池組保護(hù)設(shè)計解決方案

  • 便攜產(chǎn)品的設(shè)計人員通常在設(shè)計的每個階段都會面對減小空間和提高效率的挑戰(zhàn)。在超便攜應(yīng)用等使用單節(jié)鋰離子電池的產(chǎn)品中，這是一個特別重要的問題。
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Diodes推出新型P通道MOSFET

  • Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求，如智能手機(jī)及平板計算機(jī)等。
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功率因數(shù)校正器(PFC)在電源應(yīng)用中的重要作用

  • 傳統(tǒng)的離線開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器會產(chǎn)生帶高諧波含量的非正弦輸入電流。這會給電源線、斷路開關(guān)和電力設(shè)施帶來...
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為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET

  • 中心議題： 同步整流基礎(chǔ)知識 優(yōu)化同步整流MOSFET解決方案： 確定優(yōu)化MOSFET的負(fù)載電流 借助四象限SR器件優(yōu)化表選擇MOSFET
    1. 引言

    電源轉(zhuǎn)換器的封裝密度日益提高和節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格，
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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(二)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能 (上接第
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快速二極管MOSFET在三相逆變器拓?fù)渲械膽?yīng)用

  • 高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問題。三相無刷直流電機(jī)因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)...
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MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計及應(yīng)用

  • 下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路?！≡谑褂肕OS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，
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Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴(kuò)大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨(dú)家供應(yīng)商。
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AOS推出適用便攜式應(yīng)用的功率MOSFET

  • 　　日前，集設(shè)計，開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。 　　新的產(chǎn)品上應(yīng)用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長電池的使用壽命，還可以使設(shè)計變的更簡單緊湊，適用于便攜式產(chǎn)品，例如：平板電腦、智能手機(jī),電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)及便攜式音樂播放器。 　　AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS(ON)是目前市
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采用開關(guān)器件提高PFC效率

  • 在CCMPFC中，通過改善MOSFET技術(shù)可以減少開關(guān)損耗，甚至可通過SiC技術(shù)改善升壓二極管來減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損...
  • 關(guān)鍵字： 開關(guān)  PFC  MOSFET  
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碳化硅 mosfet介紹

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