碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級) 版本
- 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級) 版本,該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅(qū)動器,在-55°C 至125°C的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動器設(shè)計用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率,從而使其能夠驅(qū)動高功率N 溝道MOSFET 或多個并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅(qū)動電壓從5V 至8V 是可調(diào)的,從而允許設(shè)計師選擇標準門限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
- 關(guān)鍵字: Linear MOSFET 柵極驅(qū)動器
Microchip擴展MOSFET驅(qū)動器系列產(chǎn)品
- Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布擴展了其MOSFET驅(qū)動器系列產(chǎn)品。在已獲得業(yè)界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅(qū)動器上,Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅(qū)動器。經(jīng)擴展后,這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A,工作電壓范圍寬達4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳,可實現(xiàn)關(guān)斷功能以節(jié)省能耗,并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
- 關(guān)鍵字: Microchip MOSFET
Fairchild開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝
- 為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝,Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件,可以通過封裝的頂部實現(xiàn)額外的功率耗散。 Dual Cool封裝具有外露的散熱塊,能夠顯著減小從結(jié)點到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比,Dual Cool封裝在配合散熱片使用時,可將功率耗散能力提高60%以上。此外,采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆
- 關(guān)鍵字: Fairchild MOSFET Dual Cool
碳化硅 mosfet介紹
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