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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

?MOSFET共源放大器介紹

  • 在本文中,我們介紹了具有不同負(fù)載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見(jiàn),放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件,這就是為什么有多種基于它們的單級(jí)放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的原因。根據(jù)哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來(lái)區(qū)分它們。在本文中,我們將討論共用源極(CS)放大器,它使用柵極作為其輸入端子,使用漏極作為其輸出。在交流信號(hào)方面,源端子對(duì)于輸入和輸出都是公共的,因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負(fù)載的共源放大器。&nb
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC,助推工廠智能化

  • 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度,在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力,需要輔助設(shè)備用的高效率電源,而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今,從汽車、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠,既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì),還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)(降低功耗和減少溫室氣體排放)。在以往的制造業(yè)中,提高工廠的生產(chǎn)效率和
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瘋狂的碳化硅,國(guó)內(nèi)狂追!

  • 近幾日,英飛凌在碳化硅合作與汽車半導(dǎo)體方面合作動(dòng)態(tài)頻頻,再度引起業(yè)界對(duì)碳化硅材料關(guān)注。1月23日,英飛凌與Wolfspeed宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有的長(zhǎng)期150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議(原先的協(xié)議簽定于2018年2月)。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定,同時(shí)滿足汽車、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車充電應(yīng)用、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽?dǎo)體不斷增長(zhǎng)的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息,為了滿足不斷增長(zhǎng)的碳化硅器件需求,英飛凌正在落實(shí)一項(xiàng)多供應(yīng)商戰(zhàn)略,從而在
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安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向

  • 回首2023年,盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn),但我們看到了不少閃光點(diǎn),比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆,以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天,安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)?lái)了他對(duì)過(guò)去一年的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)和對(duì)新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過(guò)去一年中,汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場(chǎng)需求的變化,可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題,汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購(gòu)策略以應(yīng)對(duì)潛在的風(fēng)險(xiǎn)和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢(shì)力進(jìn)入新能源汽車市場(chǎng),競(jìng)爭(zhēng)壓力加大,汽車制造商需要不斷提
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2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

  • CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù),CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng),可靠性提高。產(chǎn)品型號(hào):???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V,可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開關(guān)損
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帶隙對(duì)決:GaN和SiC,哪個(gè)會(huì)占上風(fēng)?

  • 電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

  • 在電力電子的很多應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng),有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力,即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)出短路能力,大部分在5~10us之間,例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us,IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒(méi) 有 標(biāo) 出 短 路 能 力 , 即 使 有 , 也 比 較 短 , 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是3us,EASY封裝器件標(biāo)
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意法半導(dǎo)體:SiC新工廠今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿足井噴市場(chǎng)需求

  • 回首2023,碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步?出現(xiàn)了哪些變化?2024將迎來(lái)哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)?為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來(lái)的前進(jìn)方向,行家說(shuō)三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024,火力全開》專題報(bào)道。本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場(chǎng)和應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI(沐杰勵(lì))。全工序SiC工廠今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說(shuō)三代半:據(jù)《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》統(tǒng)計(jì),2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車型又新增了40多款,預(yù)計(jì)明年部分
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臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項(xiàng)目

  • 2月1日消息,近日,浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺(tái)電機(jī)控制器”建設(shè)項(xiàng)目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露,該項(xiàng)目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體(嘉興)有限公司,臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等,項(xiàng)目建筑面積達(dá)45800m2。公開資料顯示,臻驅(qū)科技成立于2017年,是一家提供國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動(dòng)解決方案的公司,總部位于上海浦東,在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國(guó)亞?。ˋachen)等地布局了多家子
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能

  • 中國(guó) 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅(SiC)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ,非常適合車載充電器、DC/DC 
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用于模擬IC設(shè)計(jì)的小信號(hào)MOSFET模型

  • MOSFET的小信號(hào)特性在模擬IC設(shè)計(jì)中起著重要作用。在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何對(duì)MOSFET的小信號(hào)行為進(jìn)行建模。正如我們?cè)谏弦黄恼轮兴忉尩哪菢?,MOSFET對(duì)于現(xiàn)代模擬IC設(shè)計(jì)至關(guān)重要。然而,那篇文章主要關(guān)注MOSFET的大信號(hào)行為。模擬IC通常使用MOSFET進(jìn)行小信號(hào)放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路,我們需要定義MOSFET的小信號(hào)行為。什么是小信號(hào)分析?當(dāng)我們說(shuō)“小信號(hào)”時(shí),我們的確切意思是?為了定義這一點(diǎn),讓我們參考圖1,它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。 圖
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英飛凌與Wolfspeed延長(zhǎng)多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議

  • 據(jù)外媒,1月23日,英飛凌與美國(guó)半導(dǎo)體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明,宣布擴(kuò)大并延長(zhǎng)雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明,雙方延長(zhǎng)的的合作關(guān)系中包括一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性,同時(shí)滿足汽車、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車應(yīng)用以及儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示,希望在全球范圍內(nèi)保障對(duì)于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長(zhǎng)期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
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SiC生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷

  • 眾所周知,提高 SiC 晶圓質(zhì)量對(duì)制造商來(lái)說(shuō)非常重要,因?yàn)樗苯記Q定了 SiC 器件的性能,從而決定了生產(chǎn)成本。然而,具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(zhǎng)仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米(4英寸)到150毫米(6英寸)晶圓的艱難過(guò)渡,正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(zhǎng),同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性,這導(dǎo)致生長(zhǎng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高,導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
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利用低電平有效輸出驅(qū)動(dòng)高端MOSFET輸入開關(guān)以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)

  • 摘要在無(wú)線收發(fā)器等應(yīng)用中,系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū),通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行干預(yù),此類應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無(wú)活動(dòng)或掛起后,需要復(fù)位系統(tǒng)以恢復(fù)操作。為了實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位,可以切斷電源電壓,斷開系統(tǒng)電源,然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。 本文將探討使用什么方法和技術(shù)可以監(jiān)控電路的低電平有效輸出來(lái)驅(qū)動(dòng)高端輸入開關(guān),從而執(zhí)行系統(tǒng)電源循環(huán)。 簡(jiǎn)介為了提高電子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性,一種方法是實(shí)施能夠檢測(cè)故障并及時(shí)響應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。這些機(jī)制就像安全屏障,能夠減輕潛在損害,確保系統(tǒng)正常運(yùn)行
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致瞻科技采用意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù),提高新能源汽車電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)控制器能效

  • 2024年1月18日,中國(guó)--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布,與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來(lái)諸多益處,以動(dòng)力電池容量60kWh~90kWh的中型電動(dòng)汽車為例,續(xù)航里程可延長(zhǎng)5到10公里,在夏冬
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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