首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

三菱電機(jī)和Nexperia合作開(kāi)發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

  • 三菱電機(jī)將與Nexperia(安世)合力開(kāi)發(fā)SiC芯片,通過(guò)SiC功率模塊來(lái)積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。東京--(美國(guó)商業(yè)資訊)--三菱電機(jī)株式會(huì)社(Mitsubishi Electric Corporation,TOKYO: 6503)今天宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)并提供SiC MOSFET芯片,Nexperia將使用這些芯片開(kāi)發(fā)SiC分離器件。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)正在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大,并有助于推動(dòng)Si
  • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  安世  SiC  

電裝5億美元入股這家SiC公司

  • 11月6日,株式會(huì)社電裝(Denso)宣布對(duì)Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元,入股后,電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長(zhǎng)期穩(wěn)定采購(gòu)。關(guān)于本次投資,市場(chǎng)方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報(bào)道稱,電裝、三菱電機(jī)等多家企業(yè)對(duì)投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣,并且已經(jīng)就收購(gòu)Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數(shù)股權(quán)進(jìn)行過(guò)討論。分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機(jī)會(huì),同時(shí)也是對(duì)SiC發(fā)展前景的看好,Coher
  • 關(guān)鍵字: 電裝  SiC  

了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻

  • 分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻,縮寫(xiě)為 R DS (on)。這個(gè) R DS (on)想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單:當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),源極和漏極之間的電阻非常高,以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過(guò)閾值電壓 (V TH ) 時(shí),它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”,漏極和源極通過(guò)電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而,如果您熟悉 MOSFET 的實(shí)際電氣行為,您應(yīng)該很容易認(rèn)識(shí)到該模型與事實(shí)不符。首先,F(xiàn)ET 并不真正具有“導(dǎo)通狀態(tài)”。當(dāng)未處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)(我們?cè)诖?/li>
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  通態(tài)漏源電阻  

東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)

  • 中國(guó)上海,2023年11月7日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。   截至目前,東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品,主要用于智能手機(jī)鋰離子電池組的保護(hù)。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇,如USB充電設(shè)備電源線路的負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護(hù)。&nbs
  • 關(guān)鍵字: 東芝  N溝道共漏極  MOSFET  

Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

  • 奈梅亨,2023年11月6日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布與國(guó)際著名的先進(jìn)電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系,共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅(SiC)整流器模塊,適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計(jì)的高頻電源應(yīng)用,以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長(zhǎng)期以來(lái)保持的緊密合作關(guān)系。   制造商對(duì)下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
  • 關(guān)鍵字: Nexperia  KYOCERA  功率應(yīng)用  650 V  碳化硅  整流二極管  

2023年慕尼黑華南電子展:EEPW&先之科半導(dǎo)體科技(東莞)有限公司

  • 先之科半導(dǎo)體科技(東莞)有限公司于2018年成立,旗下子公司先科電子于1991年就開(kāi)始專(zhuān)注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)及銷(xiāo)售,在半導(dǎo)體行業(yè)闖蕩了32年。作為一家成熟的半導(dǎo)體企業(yè),先之科擁有占地60畝的生產(chǎn)基地,超過(guò)1400名員工,保證了其1.8億只的日產(chǎn)能,讓其旗下產(chǎn)品可以出現(xiàn)在任何需要它們的地方。今天展會(huì)之上,先之科為我們帶來(lái)了豐富的產(chǎn)品,包括各類(lèi)二極管、整流管、保護(hù)器件、三極管以及MOSFET,橫跨汽車(chē)電子、光學(xué)逆變器和通信電源等領(lǐng)域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻,其采用了分立式封裝,
  • 關(guān)鍵字: 先之科  半導(dǎo)體分立器件  二極管  整流管  三極管  MOSFET  

2023年慕尼黑華南電子展:EEPW&應(yīng)能微電子(深圳)有限公司

  • 應(yīng)能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護(hù)器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售的半導(dǎo)體技術(shù)公司。應(yīng)能成立于2012年,其核心團(tuán)隊(duì)來(lái)自美國(guó)硅谷,全產(chǎn)品線皆為自研產(chǎn)品,目前已有500多款產(chǎn)品,90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應(yīng)能微的半導(dǎo)體芯片應(yīng)用市場(chǎng)包括快速增長(zhǎng)的消費(fèi)電子 (智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、平板電腦、高清電視、機(jī)頂盒等) ,并在通訊、安防、工業(yè)和汽車(chē)上均有廣泛的應(yīng)用。應(yīng)能微銷(xiāo)售總監(jiān)曾總表示,其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)出色,硅基MOSFET產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字: 應(yīng)能微電子  接口保護(hù)器件  碳化硅  

東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

  • 11月2日消息,據(jù)“智新科技”官微消息,近日,首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線,完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù),使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上,工作溫度可達(dá)175℃,損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上,整車(chē)?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái),項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā),2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字: IGBT  碳化硅  東風(fēng)  智新半導(dǎo)體  

應(yīng)對(duì)汽車(chē)檢測(cè)認(rèn)證機(jī)構(gòu)測(cè)試需求,泰克提供SiC性能評(píng)估整體測(cè)試解決方案

  • _____近年來(lái),在國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略指引下,汽車(chē)行業(yè)油電切換提速,截至2022年新能源汽車(chē)滲透率已經(jīng)超過(guò)25%。汽車(chē)電動(dòng)化浪潮中,半導(dǎo)體增量主要來(lái)自于功率半導(dǎo)體,根據(jù) Strategy Analytics,功率半導(dǎo)體在汽車(chē)半導(dǎo)體中的占比從傳統(tǒng)燃油車(chē)的21%提升至純電動(dòng)車(chē)的55%,躍升為占比最大的半導(dǎo)體器件。同其他車(chē)用電子零部件一樣,車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體也須通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證規(guī)范所涵蓋的7大類(lèi)別41項(xiàng)測(cè)試要求。對(duì)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體器件,業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測(cè)試評(píng)估流程。而對(duì)于近兩年被普遍應(yīng)用于開(kāi)發(fā)
  • 關(guān)鍵字: 汽車(chē)檢測(cè)認(rèn)證  泰克  SiC  

滿足市場(chǎng)對(duì)下一代碳化硅器件的需求

  • 一些新出現(xiàn)的應(yīng)用使地球的未來(lái)充滿了激動(dòng)人心的可能性,但同時(shí)也是人類(lèi)所面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)之一。例如,雖然太陽(yáng)能可以提供無(wú)限的能源,但要想成功商業(yè)化,設(shè)計(jì)人員必須提供更高的功率和效率,同時(shí)不增加成本或尺寸。在汽車(chē)領(lǐng)域,目前電動(dòng)汽車(chē) (EV) 已經(jīng)非常普及,但由于人們擔(dān)心可用充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電所需時(shí)間和續(xù)航里程有限等問(wèn)題,電動(dòng)汽車(chē)的普及仍然受到了限制。在這種情況下,設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動(dòng)力總成的尺寸和重量,包括主驅(qū)逆變器和車(chē)載充電器 (OBC) 等元件,并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)硅
  • 關(guān)鍵字: 安森美  碳化硅  

通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

  • 電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí),就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案,可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案,改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢(shì)最常用的儲(chǔ)能方法有四種,分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外,鋰離子電池技術(shù)成熟,因
  • 關(guān)鍵字: 202310  碳化硅  SiC  電池儲(chǔ)能系統(tǒng)  

良率超 50%,全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC

  • IT之家 10 月 27 日消息,全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股(GlobalWafers)董事長(zhǎng)徐秀蘭表示,公司克服了量產(chǎn)碳化硅(SiC)晶圓的重重技術(shù)難關(guān),已經(jīng)將 SiC 晶圓推進(jìn)至 8 英寸,和國(guó)際大廠保持同步。徐秀蘭預(yù)估將會(huì)在 2024 年第 4 季度開(kāi)始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品,2025 年大幅增長(zhǎng),到 2026 年占比超過(guò) 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率,已經(jīng)超過(guò) 50%,而且有進(jìn)一步改善的空間,明年上半年開(kāi)始交付相關(guān)樣品。IT之家從報(bào)道中
  • 關(guān)鍵字: 晶圓廠  SiC  

中芯集成正式設(shè)立碳化硅公司,上汽/立訊精密/寧德時(shí)代等現(xiàn)身股東榜

  • 10月25日,中芯集成發(fā)布公告稱,新設(shè)立合資公司芯聯(lián)動(dòng)力科技(紹興)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“芯聯(lián)動(dòng)力”)已完成了工商注冊(cè)登記手續(xù),并取得紹興市越城區(qū)市場(chǎng)監(jiān)督管理局核發(fā)的《營(yíng)業(yè)執(zhí)照》。根據(jù)中芯集成公告,芯聯(lián)動(dòng)力將運(yùn)營(yíng)碳化硅(SiC)業(yè)務(wù)項(xiàng)目,注冊(cè)資本人民幣5億元,中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元,占注冊(cè)資本總額51.00%?;诤腺Y公司的股權(quán)結(jié)構(gòu),合資公司將被納入公司合并報(bào)表范圍,系公司控股子公司。從投資股東上看,芯聯(lián)動(dòng)力創(chuàng)始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團(tuán)旗
  • 關(guān)鍵字: 中芯集成  碳化硅  

安森美韓國(guó)碳化硅工廠擴(kuò)建完工 年產(chǎn)能將超百萬(wàn)片

  • 安森美位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工,該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mm SiC晶圓。10月25日消息,安森美發(fā)布消息稱,其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工,目標(biāo)明年完成設(shè)備安裝,到2025年該廠SiC半導(dǎo)體產(chǎn)量預(yù)計(jì)將增至每年100萬(wàn)顆。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓,在2025年完成200mm SiC工藝驗(yàn)證后,將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升,安森美計(jì)劃在未來(lái)三年內(nèi)雇傭多達(dá)1000名當(dāng)?shù)貑T工來(lái)填補(bǔ)大部分高
  • 關(guān)鍵字: 安森美  韓國(guó)  碳化硅  

安森美韓國(guó)富川碳化硅工廠擴(kuò)建正式落成

  • 10月24日,安森美宣布其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí),該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mmSiC晶圓。據(jù)介紹,新的150mm/200mmSiC先進(jìn)生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑和鄰近停車(chē)場(chǎng)于2022年中期開(kāi)始建設(shè),并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴(kuò)建,體現(xiàn)了安森美致力于在棕地(既有地點(diǎn))建立垂直整合碳化硅制造供應(yīng)鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開(kāi)始,在2025年完成200mmSiC工藝驗(yàn)
  • 關(guān)鍵字: 安森美  碳化硅  
共1814條 15/121 |‹ « 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 » ›|

碳化硅(sic)mosfet介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473