碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進(jìn)在汽車和工業(yè)中的應(yīng)用

1 SiC的應(yīng)用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數(shù)（FoM）和低反向恢復(fù)電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，尤其是高壓大電流等應(yīng)用場景，主驅(qū)逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進(jìn)而使得在相同的電池容量下里程數(shù)得以提升。OBC（車載充電機(jī)）采用SiC，可實(shí)現(xiàn)更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現(xiàn)。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進(jìn)電源
關(guān)鍵字： 202310 SiC 安森美

從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

碳化硅（SiC）具有高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應(yīng)用需求，對我國“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當(dāng)下我國應(yīng)該集中優(yōu)勢資源重點(diǎn)發(fā)展。
關(guān)鍵字： ?202310 碳化硅 SiC 襯底 8英寸擴(kuò)產(chǎn)

中國香港地區(qū)將建首個具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠

香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心。大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資額約69億港元，計(jì)劃到2028年年產(chǎn)24萬片碳化硅晶圓，帶動年產(chǎn)值超過110億港元，并創(chuàng)造超過700個本地和
關(guān)鍵字：晶圓碳化硅第三代半導(dǎo)體

圖騰柱無橋PFC與SiC相結(jié)合，共同提高電源密度和效率

效率和尺寸是電源設(shè)計(jì)的兩個主要考慮因素，而功率因數(shù)校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運(yùn)行時對交流電源基礎(chǔ)設(shè)施的影響，需要使用 PFC。但要設(shè)計(jì)出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過修改傳統(tǒng) PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來更好地實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還有一種提高
關(guān)鍵字：安森美 PFC SiC 電源密度

采用SiC提高住宅太陽能系統(tǒng)性能

預(yù)計(jì)在未來五年，住宅太陽能系統(tǒng)的數(shù)量將大幅增長。太陽能系統(tǒng)能為家庭提供清潔和綠色的能源，用于為家用電器供電，為電動汽車充電，甚至將多余的電力輸送至電網(wǎng)。有了太陽能系統(tǒng)，即使發(fā)生電網(wǎng)故障，也不用擔(dān)心。本篇博客介紹了住宅太陽能系統(tǒng)的主要組成部分，并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來提高太陽能系統(tǒng)的效率、可靠性和成本優(yōu)勢。住宅太陽能逆變器系統(tǒng)概述住宅太陽能逆變器系統(tǒng)中包括了產(chǎn)生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉(zhuǎn)換器使用“最大功率點(diǎn)跟蹤”(MPPT) 方法（根據(jù)陽光的強(qiáng)度和方向優(yōu)化能量采集），將可
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杰平方半導(dǎo)體宣布啟動香港首間碳化硅（SiC）先進(jìn)垂直整合晶圓廠項(xiàng)目

由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點(diǎn)企業(yè)辦公室共同推動，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍(lán)圖》中，明確指出應(yīng)加強(qiáng)支持具策略性的先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導(dǎo)體芯片，促進(jìn)香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導(dǎo)體進(jìn)出口市場之一，香港更是位處大
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新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過3,500種LTspice模型

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴(kuò)大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認(rèn)和驗(yàn)證電路是否按設(shè)計(jì)預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)提供超過3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型，這些模型從各產(chǎn)品頁面均可下載。目前，羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對應(yīng)的LTspice?模型覆蓋率
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基于ST CCM PFC L4986A 設(shè)計(jì)的1KW 雙BOOST PFC電源方案

L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng)新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓啟動功能，無需使用傳統(tǒng)的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊摺?ST 提供兩個版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
關(guān)鍵字： ST SIC 第三代半導(dǎo)體 CCM PFC 4986 電動工具割草機(jī) 雙boost double boost 無橋PFC

Denso和三菱電機(jī)10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務(wù)

Denso和三菱電機(jī)宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司。據(jù)外媒，日本電裝株式會社(Denso)和三菱電機(jī)宣布，將分別投資5億美元，入股美國半導(dǎo)體材料、網(wǎng)絡(luò)及激光供應(yīng)商Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權(quán)（兩家日企合計(jì)取得25%股權(quán)）。據(jù)悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來設(shè)立的SiC業(yè)務(wù)子公司。Denso與三菱電機(jī)將向該公司采購
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) Denso 碳化硅

一文讀懂碳化硅設(shè)計(jì)中的熱管理

隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行，特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域，如汽車驅(qū)動系統(tǒng)、直流快速充電、儲能電站、不間斷電源和太陽能發(fā)電。這些應(yīng)用有一點(diǎn)非常相似，它們都需要逆變器（圖 1）。它們還需要緊湊且高能效的輕量級解決方案。就汽車而言，輕量化是為了增加續(xù)航里程，而在太陽能應(yīng)用中，這是為了限制太陽能設(shè)備在屋頂上的重量。圖 1.典型的 EV 動力總成，其中顯示了逆變器半導(dǎo)體損耗決定逆變器效率的主要因素之一是所使用的半導(dǎo)體器件（IGBT /
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了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)

Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達(dá)4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴(yán)苛的應(yīng)用。Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達(dá)4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴(yán)苛的應(yīng)用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
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適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET

熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。簡介熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的
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onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動器，專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
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保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設(shè)計(jì)人員來說是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動SiC MOSFET

碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。EiceDRIVER?增強(qiáng)型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅(qū)動芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達(dá)2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護(hù)、
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