碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

全球SiC爭(zhēng)霸賽，誰(shuí)在豪擲千金？

“能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國(guó)家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對(duì)美國(guó)具有深遠(yuǎn)的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬(wàn)美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開(kāi)始建設(shè)一個(gè)國(guó)家級(jí)SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國(guó)學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育，以達(dá)到鼓勵(lì)美國(guó)新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線，能夠讓美國(guó)大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(zhǎng)期
關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率損耗碳中和

意法半導(dǎo)體是怎樣煉成巨頭的？擅長(zhǎng)聯(lián)合，布局多重應(yīng)用，投資未來(lái)

歐洲是世界半導(dǎo)體的重要一極，ST（意法半導(dǎo)體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱為歐洲半導(dǎo)體的三駕馬車(chē)，也是全球知名的半導(dǎo)體巨頭。ST的特點(diǎn)是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門(mén)1、自帶一定的應(yīng)用市場(chǎng)，ST要靠自己找市場(chǎng)、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問(wèn)題。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Garnter數(shù)據(jù)，ST 2022年?duì)I收158.4億美元，年增長(zhǎng)率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導(dǎo)體公司。大浪淘沙、洗牌無(wú)數(shù)的半導(dǎo)體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導(dǎo)體巨頭的？又是如何布局未來(lái)的？表1 202
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MCU SiC

英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級(jí)和車(chē)規(guī)級(jí)器件

【2023年7月27日，德國(guó)慕尼黑訊】在靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、太陽(yáng)能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器（SSR）、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險(xiǎn)絲/電子斷路器
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)？這款I(lǐng)C方案推薦給您

在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
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ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)，對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元

2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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汽車(chē)芯片，有兩大好賽道

汽車(chē)的智能化和電動(dòng)化趨勢(shì)，勢(shì)必帶動(dòng)車(chē)用半導(dǎo)體的價(jià)值量提升，其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機(jī)。先看功率半導(dǎo)體，車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車(chē)的重要組件，無(wú)論整車(chē)企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準(zhǔn)這一賽道。新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導(dǎo)體，混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。再看車(chē)規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車(chē)各個(gè)部分均有應(yīng)用，包括車(chē)身、儀表、底盤(pán)、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號(hào)鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車(chē)在充電樁、電池管理、車(chē)載充電、動(dòng)力系統(tǒng)
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英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車(chē)芯片供貨協(xié)議

英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅(qū)動(dòng)。根據(jù)協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國(guó)德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應(yīng)鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長(zhǎng)到50%以上，市場(chǎng)部分料號(hào)供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負(fù)荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過(guò)
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羅姆買(mǎi)新廠搶SiC產(chǎn)能

全球車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)，目前主要由IDM大廠獨(dú)霸，根據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計(jì)劃在2025年，將SiC功率半導(dǎo)體的營(yíng)收擴(kuò)大至1,000億日?qǐng)A以上，成為全球市占龍頭。為了達(dá)成目標(biāo)，該公司積極擴(kuò)充SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并宣布買(mǎi)下日本一家太陽(yáng)能系統(tǒng)廠的舊工廠，未來(lái)將引進(jìn)SiC功率半導(dǎo)體8吋晶圓產(chǎn)線到工廠內(nèi)，預(yù)計(jì)在2024年底啟動(dòng)，將使羅姆的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，到2030年增加為2021年的35倍。根據(jù)日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報(bào)導(dǎo)，羅姆將從日本的石油公
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324

前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說(shuō)只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái)，這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的角度來(lái)看芯片和封裝的開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個(gè)SSDC模塊的結(jié)構(gòu)圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個(gè)用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復(fù)雜的，里面包含了許
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碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統(tǒng)的效率

全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場(chǎng)能源革命。根據(jù)國(guó)際能源署的報(bào)告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長(zhǎng)量的大約 95%。太陽(yáng)能將占到這 95% 中的一半以上。如今，在遠(yuǎn)大的清潔能源目標(biāo)和政府政策的驅(qū)動(dòng)下，太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 基礎(chǔ)設(shè)施和儲(chǔ)能領(lǐng)域不斷加快采用可再生能源?？稍偕茉吹闹饾u普及也為在工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用中部署功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了更多機(jī)會(huì)。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件，可幫助設(shè)計(jì)人員平衡四大性能指標(biāo)：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比傳統(tǒng)基于 IGBT 的電源應(yīng)用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_(kāi)”開(kāi)關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開(kāi) "開(kāi)關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車(chē)載充電器升級(jí)到 800V 電池架構(gòu)

自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車(chē)充滿電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車(chē)配備的是較低功率的車(chē)載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 車(chē)載充電器

安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車(chē)載充電器升級(jí)到800V電池架構(gòu)

自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車(chē)充滿電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車(chē)配備的是較低功率的車(chē)載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
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