碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件,針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻,并配有一個開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
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英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 達(dá)成協(xié)議
- 據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息,近日,英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 正式達(dá)成協(xié)議。據(jù)悉,SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓,支持SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段,SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解,英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示:“對于英飛凌來說,供應(yīng)鏈彈性意味著實施多供應(yīng)商戰(zhàn)略,并在逆境中蓬勃發(fā)展,創(chuàng)造新的增長機會并推
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安森美:緊握第三代半導(dǎo)體市場,助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展
- 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下,安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預(yù)期。 其中,第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%,在第 二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元,同比增長 35%,創(chuàng) 歷史新高,第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,安森美專注于 SiC,重點聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
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SiC 長期供貨,理想簽協(xié)議
- 意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議。
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如何增強系統(tǒng)魯棒性?這三樣法寶請您收下!
- 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件,對許多應(yīng)用都很重要。標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來說,壓降不是問題,但在高電流應(yīng)用中,各個壓降會產(chǎn)生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應(yīng)用的理想器件。幸運的是,MOSFET可以取代標(biāo)準(zhǔn)硅二極管,并提供意想不到的應(yīng)用優(yōu)勢。簡介理想二極管使用低導(dǎo)通電阻功率開關(guān)(通常為MOSFET)來模擬二極管的單向
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工業(yè)電源模塊對功率器件的要求
- 工業(yè)電源的作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,在工業(yè)領(lǐng)域為設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng),在工業(yè)自動化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比,工業(yè)電源應(yīng)用環(huán)境苛刻復(fù)雜,對電源的穩(wěn)定性要求更高,需滿足一些特殊要求,如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性,同時,它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應(yīng)用更為嚴(yán)格。按在電能轉(zhuǎn)換過程中的位置做分類,電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源,是采用優(yōu)化的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計,利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)制造, 形成的一個結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
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電動汽車市場催生碳化硅新前景
- 第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度,更高的擊穿電場、熱導(dǎo)率以及電子飽和速率,并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件適用于高電壓、高頻率場景,并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此,第三代半導(dǎo)體材料在5G基站、新能源車、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。其中,碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,在汽車電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在新能源汽車領(lǐng)域,
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小米汽車發(fā)布CTB一體化電池技術(shù),爭做冬季續(xù)航之王
- 12月29日消息,昨日,在小米汽車技術(shù)發(fā)布會上,小米集團(tuán)董事長雷軍宣布,發(fā)布CTB一體化電池技術(shù),全球最高體積效率達(dá)77.8%,采用小米800V碳化硅高壓平臺,最高電壓達(dá)871V,與寧德時代歷時兩年共同研發(fā)。據(jù)雷軍介紹,小米電池通過全球最嚴(yán)苛的熱失效安全標(biāo)準(zhǔn),采用17層高壓絕緣防護(hù),7.8m2同級最大冷卻面積,并使用165片氣凝膠隔熱。同時,采用行業(yè)首創(chuàng)電芯倒置技術(shù),最大程度保證乘員艙安全。同時,該項技術(shù)可以達(dá)到低溫環(huán)境下“續(xù)航保持率同級更高、空調(diào)升溫速度同級更快、充電速度同級更快”,雷軍表示,小米汽車立
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SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴(kuò)展仿真模型功能!
- 過去,仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過,它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是,當(dāng)涉及到功率器件時,這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當(dāng)今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu),而是垂直結(jié)構(gòu),它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌停肓烁鼜?fù)雜的結(jié)構(gòu),如超級結(jié),并極大地改變了MOSFET的行為?;維pice模型中提供的簡單器件結(jié)構(gòu)沒有考慮所有這些非線性因素?,F(xiàn)在,通過引入物理和可擴(kuò)展建模技術(shù),安森美(onsemi)使仿真精度
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全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長
- 12月22日消息,據(jù)報道,Adroit Market Research預(yù)計,全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長,到2032年將達(dá)到1530億美元,2023年至2032年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示,半導(dǎo)體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B,復(fù)合年增長率高達(dá)11.9%。目前的市場表明,到2022年,每輛汽車的半導(dǎo)體器件價值約為540美元,在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下,到2028年,該數(shù)字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
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SiC MOSFET用于電機驅(qū)動的優(yōu)勢
- 低電感電機有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應(yīng)電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關(guān)頻率(50-100kHz)來維持所需的紋波電流。然而,對于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)無法滿足這些需求,如果是380V系統(tǒng),硅MOSFET耐壓又不夠,這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機會。在我們的傳統(tǒng)印象中,電機驅(qū)動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
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意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進(jìn)軍高壓純電動車市場
- 2023年12月22日,中國北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM),與設(shè)計、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET,支持理想汽車進(jìn)軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。隨著汽車行業(yè)電動化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入,高壓純電動車因其能效更高、續(xù)航里程更遠(yuǎn),已成為汽車制
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NMOS和PMOS詳解
- 一、簡介MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。其中,G是柵極,S是源極,D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目順利通過中期驗收
- 據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息,12月10日,“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上,以黑龍江省科學(xué)院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認(rèn)為,科友半導(dǎo)體圓滿完成了計劃任務(wù)書2023年度階段任務(wù),成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術(shù)和新工藝,建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程,制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導(dǎo)書,一致同意項目通過階段驗收評審。據(jù)了解,8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目,由哈爾濱科友半導(dǎo)體承擔(dān),旨在推動8英寸碳化硅裝備國
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碳化硅(sic)mosfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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