碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體:SiC新工廠(chǎng)今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿(mǎn)足井噴市場(chǎng)需求

回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來(lái)哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來(lái)的前進(jìn)方向，行家說(shuō)三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開(kāi)》專(zhuān)題報(bào)道。本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場(chǎng)和應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵(lì)）。全工序SiC工廠(chǎng)今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說(shuō)三代半：據(jù)《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》統(tǒng)計(jì)，2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車(chē)型又新增了40多款，預(yù)計(jì)明年部分
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SiC

臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項(xiàng)目

2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺(tái)電機(jī)控制器”建設(shè)項(xiàng)目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露，該項(xiàng)目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體（嘉興）有限公司，臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠(chǎng)房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項(xiàng)目建筑面積達(dá)45800m2。公開(kāi)資料顯示，臻驅(qū)科技成立于2017年，是一家提供國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車(chē)驅(qū)動(dòng)解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國(guó)亞琛（Aachen）等地布局了多家子
關(guān)鍵字：功率模塊碳化硅 SiC

Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)性能

中國(guó) 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ，非常適合車(chē)載充電器、DC/DC
關(guān)鍵字： Qorvo SiC FET 電動(dòng)汽車(chē)

用于模擬IC設(shè)計(jì)的小信號(hào)MOSFET模型

MOSFET的小信號(hào)特性在模擬IC設(shè)計(jì)中起著重要作用。在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何對(duì)MOSFET的小信號(hào)行為進(jìn)行建模。正如我們?cè)谏弦黄恼轮兴忉尩哪菢?，MOSFET對(duì)于現(xiàn)代模擬IC設(shè)計(jì)至關(guān)重要。然而，那篇文章主要關(guān)注MOSFET的大信號(hào)行為。模擬IC通常使用MOSFET進(jìn)行小信號(hào)放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路，我們需要定義MOSFET的小信號(hào)行為。什么是小信號(hào)分析？當(dāng)我們說(shuō)“小信號(hào)”時(shí)，我們的確切意思是？為了定義這一點(diǎn)，讓我們參考圖1，它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。圖
關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC

英飛凌與Wolfspeed延長(zhǎng)多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議

據(jù)外媒，1月23日，英飛凌與美國(guó)半導(dǎo)體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴(kuò)大并延長(zhǎng)雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明，雙方延長(zhǎng)的的合作關(guān)系中包括一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，同時(shí)滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用以及儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內(nèi)保障對(duì)于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長(zhǎng)期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
關(guān)鍵字：英飛凌碳化硅晶圓 Wolfspeed

SiC生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷

眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對(duì)制造商來(lái)說(shuō)非常重要，因?yàn)樗苯記Q定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(zhǎng)仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過(guò)渡，正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(zhǎng)，同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性，這導(dǎo)致生長(zhǎng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
關(guān)鍵字： SiC 晶圓

利用低電平有效輸出驅(qū)動(dòng)高端MOSFET輸入開(kāi)關(guān)以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)

摘要在無(wú)線(xiàn)收發(fā)器等應(yīng)用中，系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū)，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行干預(yù)，此類(lèi)應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無(wú)活動(dòng)或掛起后，需要復(fù)位系統(tǒng)以恢復(fù)操作。為了實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位，可以切斷電源電壓，斷開(kāi)系統(tǒng)電源，然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。本文將探討使用什么方法和技術(shù)可以監(jiān)控電路的低電平有效輸出來(lái)驅(qū)動(dòng)高端輸入開(kāi)關(guān)，從而執(zhí)行系統(tǒng)電源循環(huán)。簡(jiǎn)介為了提高電子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性，一種方法是實(shí)施能夠檢測(cè)故障并及時(shí)響應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。這些機(jī)制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統(tǒng)正常運(yùn)行
關(guān)鍵字： MOSFET 系統(tǒng)電源循環(huán) ADI

致瞻科技采用意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，提高新能源汽車(chē)電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)控制器能效

2024年1月18日，中國(guó)--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車(chē)帶來(lái)諸多益處，以動(dòng)力電池容量60kWh~90kWh的中型電動(dòng)汽車(chē)為例，續(xù)航里程可延長(zhǎng)5到10公里，在夏冬
關(guān)鍵字：致瞻意法半導(dǎo)體碳化硅新能源汽車(chē) 空調(diào)壓縮機(jī)控制器

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對(duì)高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線(xiàn)

加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶(hù)實(shí)現(xiàn)更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
關(guān)鍵字： Transphorm 高功率服務(wù)器工業(yè)電力轉(zhuǎn)換氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管碳化硅 SiC

英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 達(dá)成協(xié)議

據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 正式達(dá)成協(xié)議。據(jù)悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓，支持SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過(guò)渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解，英飛凌首席采購(gòu)官 Angelique van der Burg 表示：“對(duì)于英飛凌來(lái)說(shuō)，供應(yīng)鏈彈性意味著實(shí)施多供應(yīng)商戰(zhàn)略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng)造新的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)并推
關(guān)鍵字：英飛凌碳化硅 SK Siltron CSS 晶圓

安森美：緊握第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)增長(zhǎng)的推動(dòng)下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jī)都超預(yù)期。其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基礎(chǔ)設(shè)施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(zhǎng)約 50%，在第二季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長(zhǎng) 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄收入。安森美大中華區(qū)銷(xiāo)售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，安森美專(zhuān)注于 SiC，重點(diǎn)聚焦于汽車(chē)、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
關(guān)鍵字：安森美第三代半導(dǎo)體碳化硅 SiC

SiC 長(zhǎng)期供貨，理想簽協(xié)議

意法半導(dǎo)體與理想汽車(chē)簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
關(guān)鍵字： SiC

如何增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性？這三樣法寶請(qǐng)您收下！

本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對(duì)許多應(yīng)用都很重要。標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來(lái)說(shuō)，壓降不是問(wèn)題，但在高電流應(yīng)用中，各個(gè)壓降會(huì)產(chǎn)生顯著的功率損耗。理想二極管是此類(lèi)應(yīng)用的理想器件。幸運(yùn)的是，MOSFET可以取代標(biāo)準(zhǔn)硅二極管，并提供意想不到的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。簡(jiǎn)介理想二極管使用低導(dǎo)通電阻功率開(kāi)關(guān)（通常為MOSFET）來(lái)模擬二極管的單向
關(guān)鍵字： MOSFET 二極管功率開(kāi)關(guān)

工業(yè)電源模塊對(duì)功率器件的要求

工業(yè)電源的作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，在工業(yè)領(lǐng)域?yàn)樵O(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)，在工業(yè)自動(dòng)化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲(chǔ)能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應(yīng)用環(huán)境苛刻復(fù)雜，對(duì)電源的穩(wěn)定性要求更高，需滿(mǎn)足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時(shí)，它對(duì)EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應(yīng)用更為嚴(yán)格。按在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的位置做分類(lèi)，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)制造，形成的一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
關(guān)鍵字：工業(yè)電源功率器件碳化硅

電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)催生碳化硅新前景

第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢(shì)。這些特性使得第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運(yùn)行能力。因此，第三代半導(dǎo)體材料在5G基站、新能源車(chē)、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在汽車(chē)電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，
關(guān)鍵字：碳化硅氮化鎵新能源汽車(chē) 汽車(chē)電子