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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

劍指8英寸碳化硅！兩大廠官宣合作

  • 9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項合作協(xié)議，雙方將共同開發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型據(jù)悉，Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術(shù)，該技術(shù)通過處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實現(xiàn)高效率

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬，有
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【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退

  • 隨著MOSFET柵極長度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應(yīng)中，載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時間相關(guān)位移，例如閾值電壓?(VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移，可能會發(fā)生實質(zhì)性的器件參數(shù)退化，從而導(dǎo)致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個關(guān)鍵功能：自動提取設(shè)備參數(shù)創(chuàng)建具有各種應(yīng)力時間的應(yīng)力測量序列輕松導(dǎo)出測量數(shù)據(jù)進行高級分析本文說明描述了如何在Kei
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美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠，生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

  • 美國和印度達成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導(dǎo)體制造廠，助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。據(jù)白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體，這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導(dǎo)體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機會提供了新的關(guān)注點。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
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Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器

  • 芝加哥，2024年9月19日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器。這些柵極驅(qū)動器專為驅(qū)動MOSFET而設(shè)計，通過增加其余兩個邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅(qū)動器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，為客戶提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅(qū)動器具有16納秒的短傳播延遲時間和7納秒的短暫
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第4講：SiC的物理特性

  • 與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由
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第5講：SiC的晶體缺陷

  • SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復(fù)合體的混合位錯。就密度而言，最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個/cm2，位錯的密度約為103～10?長達個/cm2。至今，與Si相
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EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案

  • 幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關(guān)，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對新的挑戰(zhàn)（包括整合儲能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應(yīng)對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時
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EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案

  • 幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關(guān)，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對新的挑戰(zhàn)（包括整合儲能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應(yīng)對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時候
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8英寸碳化硅時代呼嘯而來！

  • 近日，我國在8英寸碳化硅領(lǐng)域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付，天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來，未來將會有更多廠商帶來新的產(chǎn)品和技術(shù)，我們拭目以待。關(guān)鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。圖片來源：中國電科據(jù)中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導(dǎo)體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
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高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析，一文get√

  • 高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路，驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計?！陡邏簴艠O驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動級。柵極驅(qū)動器損耗
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6.6 kW車載電動汽車充電器設(shè)計

  • 我們采用單全橋LLC拓撲結(jié)構(gòu)，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設(shè)備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設(shè)備，可以參考FAN7688的說明。有關(guān)該零件的更多詳細信息，請參閱數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說明。由于輸出電壓高（250?450 Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導(dǎo)損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內(nèi)部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅(qū)動器。
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我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

  • 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  mosfet  第三代半導(dǎo)體  寬禁帶  

國家隊加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

  • 據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)。目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被
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羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型

  • 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上，賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會；武漢市社會體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長繆璐進行江夏區(qū)文旅推介，向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  極氪  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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