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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

功率MOSFET的工作原理

  • 功率MOSFET的開通和關斷過程原理(1)開通和關斷過程實驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時，MOSFET 被驅動開通;-- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電;-- [t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
  • 關鍵字： 功率  MOSFET  工作原理  

第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案

  • 第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案相比傳統的硅MOSFET，SiC MOSFET可實現在高壓下的高頻開關。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動方案備受關注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動方案展開了解，其中包括驅動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
  • 關鍵字： 第三代半導體  SiC  MOSFET  高效驅動  電力電子  

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

  • Nexperia近日宣布，公司現推出業(yè)界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產品，它將使其SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
  • 關鍵字： Nexperia  SiC MOSFET  D2PAK-7  

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器

  • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創(chuàng)新的驅動器專門設計用于驅動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
  • 關鍵字： SiC MOSFET  IGBT  低側柵極驅動器  

布局海外市場，兩家半導體企業(yè)開展合作

  • 根據合肥安賽思半導體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡稱：三福半導體）簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學與三福半導體聯合實驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導體功率器件智能驅動技術及衍生產品的高新技術企業(yè)，目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅動模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產品，應用領域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進技術研發(fā)、成果轉移轉化
  • 關鍵字： 碳化硅  化合物半導體  

這家GaN外延工廠開業(yè)!

  • 作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作，不時有新動態(tài)披露。在關注度較高的擴產項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經開區(qū)再制造基地正式開工建設。據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產線。項目投產后，將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  化合物半導體  

多款車型相繼發(fā)布，SiC技術加速“上車”

  • SiC技術似乎已成為蔚來旗下新車型標配。蔚來在去年12月發(fā)布的行政旗艦車型ET9，搭載了蔚來自研自產的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達292Wh/kg，充電效率達到5C，呈現出來的效果就是充電5分鐘，續(xù)航255公里。近日，蔚來旗下又一款搭載SiC技術的車型正式發(fā)布，這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據悉，樂道全域采用900V高壓架構，包括電驅系統、熱泵空調、輔助加熱器（PTC）、車載充電機（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
  • 關鍵字： Sic  新能源汽車  蔚來  

英飛凌為小米新款SU7智能電動汽車供應一系列產品

  • Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發(fā)布的SU7電動汽車供應碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術的牽引逆變器可以進一步增加電動汽車的續(xù)航里程。英飛凌為小米SU7 Max車型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動汽車供應了一系
  • 關鍵字： 英飛凌  小米  SU7  智能電動汽車  SiC  

欠電壓閉鎖的一種解釋

  • 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動要求時，我們經常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
  • 關鍵字： 欠電壓閉鎖，UVLO  MOSFET，IC  

安森美2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會即將啟動

  • 智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應用領域的技術經理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業(yè)市場可持續(xù)性能源發(fā)展的廣泛應用場景，共同探討最新的能效設計挑戰(zhàn)，展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進功率半導體技術的落地，實現應用系統的最佳能效。在中國，市場對SiC的需求強勁，應用場景日益多樣化。新能源
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅  功率解決方案  

中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產線達產

  • 近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡稱“中宜創(chuàng)芯”）SiC半導體粉體500噸生產線成功達產，產品純度最高達到99.99999%，已在國內二十多家企業(yè)和研究機構開展試用和驗證。資料顯示，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團共同出資設立，總投資20億元，分期建設年產2000噸碳化硅半導體粉體生產線。項目一期總投資6億元，年產能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設，9月20日項目建成并試生產，9月30日首批產品出爐。預計達產后年產值5億元，據悉
  • 關鍵字： 中宜創(chuàng)芯  SiC  

英飛凌：將為小米電動汽車提供先進的功率芯片

  • 德國頂級芯片制造商熱衷于挖掘中國對特種半導體的需求。
  • 關鍵字： SiC  英飛凌  

2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達91.7億美元

  • TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數據，其中Tesla在1
  • 關鍵字： SiC  功率器件  TrendForce  

碳化硅智造升級 浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數據底座

  • 隨著人工智能技術的飛速發(fā)展，越來越多的企業(yè)開始探索如何將人工智能技術融入業(yè)務流程中，以提升質量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領域，人工智能、自動駕駛等新興產業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產業(yè)，可帶動原材料與設備2000億級產業(yè)，加快我國向高端材料、高端設備制造業(yè)轉型發(fā)展的步伐。廣東天域聯手浪潮信息，為MES關鍵業(yè)務打造穩(wěn)定、高效、智能的數據存儲底座，讓數字機臺、智能制造"有底有數"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實現第三代半導體碳化硅外延片產業(yè)化的企業(yè)
  • 關鍵字： 碳化硅    浪潮信息  MES  核心數據底座   

MOSFET開關損耗簡介

  • 本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關模式調節(jié)器和驅動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^溝道的電流都是顯著的，導致晶體管中的高功耗。在開關模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個閉合的開關：即使大電流流過通道，功耗也會很低或中等。隨著開關模式操作接近理想情況，功耗變得可
  • 關鍵字： MOSFET  開關損耗  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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