首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

  • 作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對(duì)比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
  • 關(guān)鍵字: SiC  MOS  碳化硅  MOSFET  

新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率

  • 英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合,在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件,并且推出了80 V和100 V型號(hào)的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對(duì)各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、制動(dòng)系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒,以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車(LEV)、電動(dòng)二輪車、電動(dòng)踏板車、電動(dòng)摩
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌科技  汽車應(yīng)用  OptiMOS? 7   MOSFET  

使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管

  • 為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為,那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級(jí)SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后,我們將使用下載的模型對(duì)NMOS晶體管進(jìn)
  • 關(guān)鍵字: CMOS,MOSFET  晶體管,Spice模型  

低導(dǎo)通電阻SiC器件在大電流高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性

  • 眾所周知,SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料,因其高擊穿場強(qiáng)、寬禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應(yīng)用中使用,可有效突破傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關(guān)器件是SiC MOSFET,與傳統(tǒng)Si IGBT相比,SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開關(guān)的特點(diǎn)可以在大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標(biāo),從而推動(dòng)電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應(yīng)用范圍示意圖1圖2: 典型應(yīng)用場景對(duì)應(yīng)的功率等級(jí)2從技術(shù)上講,
  • 關(guān)鍵字: 低導(dǎo)通電阻  SiC  大電流  高功率  

SiC 功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

  • 汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。但是,雖然基于溝槽的架構(gòu)可以降低導(dǎo)通電阻并提高載流子遷移率,但它們也帶來了更高的復(fù)雜性。對(duì)于 SiC 功率器件制造商來說,準(zhǔn)確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當(dāng)重要的,特別是在面臨不斷增加的制造復(fù)雜性時(shí)。今天我們分享一下來自O(shè)nto Innovation 應(yīng)用開發(fā)總監(jiān)Nick Keller的文章,來重點(diǎn)介紹下SiC 功率器
  • 關(guān)鍵字: SiC  功率器件  溝槽結(jié)構(gòu)測量  

設(shè)計(jì)基于SiC的電動(dòng)汽車直流快速充電機(jī)

  • 電動(dòng)汽車(EV)直流快速充電機(jī)繞過安裝在電動(dòng)汽車上的車載充電機(jī),直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示,直流快速充電機(jī)由一級(jí) AC-DC 和一級(jí) DC-DC 組成:圖 1. 直流快速充電機(jī)由一級(jí) AC-DC 和一級(jí) DC-DC 組成在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時(shí)最大限度縮短充電時(shí)間是直流快速充電機(jī)的主要關(guān)注點(diǎn)。在設(shè)計(jì)此類系統(tǒng)時(shí),必須考慮器件選型、電壓范圍和負(fù)載要求、運(yùn)行成本、溫度、堅(jiān)固性和環(huán)境保護(hù),以及可靠性。相比傳統(tǒng)硅(Si)和 IGBT 器件,基于碳化硅(SiC)的器件由于具有工作溫度更高、導(dǎo)通損耗更小、漏電流
  • 關(guān)鍵字: SiC  電動(dòng)汽車  直流快速充電機(jī)  Wolfspeed  

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),您知道嗎?

  • 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升,本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧。寄生導(dǎo)通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC,因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
  • 關(guān)鍵字: SiC  MOSFET  RSP  

解決補(bǔ)能焦慮,安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布

  • 800V車型刷屏,高壓SiC車載應(yīng)用加速普及。實(shí)際上,近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構(gòu)車型的量產(chǎn),多款20-25萬元價(jià)格段的標(biāo)配SiC車型上市。2024年,隨著車企卷價(jià)格卷性能戰(zhàn)略推進(jìn),將進(jìn)一步拉動(dòng)SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺(tái)風(fēng)口◆ 800V架構(gòu)成為電動(dòng)汽車主流電動(dòng)化進(jìn)程持續(xù)推進(jìn),安森美(onsemi)電源方案事業(yè)部汽車主驅(qū)方案部門產(chǎn)品總監(jiān)Jonathan Liao指出預(yù)計(jì)到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費(fèi)者角度看購買電動(dòng)車的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性
  • 關(guān)鍵字: SiC  逆變器  功率模塊  

英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下,電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強(qiáng)大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡,同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前,英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列,擴(kuò)展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導(dǎo)體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于Coo
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備通過技術(shù)鑒定

  • 6月7日,蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡稱“優(yōu)晶科技”)宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備獲行業(yè)專家認(rèn)可,成功通過技術(shù)鑒定評(píng)審。鑒定委員會(huì)認(rèn)為,優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大,創(chuàng)新性強(qiáng),突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術(shù)瓶頸,擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),經(jīng)濟(jì)效益顯著。資料顯示,優(yōu)晶科技成立于2010年12月,專注于大尺寸(6英寸及以上)導(dǎo)電型SiC晶體生長設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備,經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化,目前已推出至第四代機(jī)型——UKIN
  • 關(guān)鍵字: 優(yōu)晶科技  8英寸  SiC  單晶生長設(shè)備  

電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級(jí)熱分析

  • 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案,該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時(shí)的溫度,分析兩個(gè)電驅(qū)逆變模塊驗(yàn)證,該測溫系統(tǒng)的驗(yàn)證方法是,根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個(gè)模塊內(nèi)的裸片。我們將從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中提取一個(gè)數(shù)學(xué)模型,根據(jù)Vth選擇標(biāo)準(zhǔn),預(yù)測當(dāng)逆變器工作在電動(dòng)汽車常用的電壓和功率范圍內(nèi)時(shí)的熱不平衡現(xiàn)象。此外,我們還能夠延長測試時(shí)間,以便分析在電動(dòng)汽車生命周期典型電流負(fù)荷下的芯片行為。
  • 關(guān)鍵字: 電驅(qū)逆變器  碳化硅  電動(dòng)汽車  大功率  

天岳先進(jìn)上海碳化硅基地驗(yàn)收

  • 作為天岳先進(jìn)三大SiC材料生產(chǎn)基地之一,與其位于山東濟(jì)南和濟(jì)寧的兩大基地相比,其上海基地項(xiàng)目似乎更受關(guān)注。近日,天岳先進(jìn)上?;仨?xiàng)目披露了最新進(jìn)展,再次成為焦點(diǎn)。2024年5月,天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個(gè)項(xiàng)目完成驗(yàn)收,意味著該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。01天岳先進(jìn)“瘋狂”擴(kuò)產(chǎn)據(jù)悉,天岳先進(jìn)上?;仨?xiàng)目最初于2021年第二季度備案和申報(bào),規(guī)劃投資25億元,項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后,SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬片/年。從投資規(guī)模和產(chǎn)能規(guī)劃來看,上?;仨?xiàng)目有望讓天岳先進(jìn)的市場地位再進(jìn)一步。近年來
  • 關(guān)鍵字: 天岳先進(jìn)  碳化硅  

MOSFET在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

  • 服務(wù)器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中,主要應(yīng)用于服務(wù)器、存儲(chǔ)器等設(shè)備。它和PC電源一樣,都是一種開關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標(biāo)準(zhǔn)可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標(biāo)準(zhǔn)是Intel在1997年推出的一個(gè)規(guī)范,使用較為普遍,輸出功率一般在125瓦~350瓦之間主要用于臺(tái)式機(jī)、工作站和低端服務(wù)器。SSI(Server System Infrastructure)規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構(gòu)服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規(guī)范,SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務(wù)器電源技術(shù),降低開發(fā)成本,延長服務(wù)器的使用壽命
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  服務(wù)器電源  

意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園

  • ●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測綜合基地●? ?這項(xiàng)多年長期投資計(jì)劃預(yù)計(jì)投資總額達(dá)50億歐元,包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實(shí)現(xiàn)ST的碳化硅制造全面垂直整合計(jì)劃,在一個(gè)園區(qū)內(nèi)完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn),賦能汽車和工業(yè)客戶的電氣化進(jìn)程和高能效轉(zhuǎn)型服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體?
  • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  碳化硅  

PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級(jí)MOSFET系列

  • PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規(guī)級(jí)?MOSFET,此系列通過先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)達(dá)到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì),提供優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)(FOM),顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗,從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝,包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
  • 關(guān)鍵字: PANJIT  MOSFET  
共1792條 5/120 |‹ « 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 » ›|

碳化硅(sic)mosfet介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473