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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
東芝支持功能安全的車(chē)載無(wú)刷電機(jī)預(yù)驅(qū)IC的樣品出貨即將開(kāi)始
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,已開(kāi)始供應(yīng)“TB9083FTG”的測(cè)試樣品,這是一種面向汽車(chē)應(yīng)用的預(yù)驅(qū)IC(其中包括電動(dòng)轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)和電氣制動(dòng)器使用的無(wú)刷電機(jī))。東芝將在2022年1月提供最終樣品,并將在2022年12月開(kāi)始量產(chǎn)。TB9083FTG是一種3相預(yù)驅(qū)IC,能夠控制和驅(qū)動(dòng)用于驅(qū)動(dòng)3相直流無(wú)刷電機(jī)的外置N溝道功率MOSFET。該產(chǎn)品支持ASIL-D[1]功能安全規(guī)范[2]且符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)第二版的要求,適用于高安全級(jí)別的汽車(chē)系統(tǒng)。這種新型IC內(nèi)置三通道預(yù)驅(qū),用于控制和
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Vishay SiC45x系列microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器榮獲21IC 2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK?同步降壓穩(wěn)壓器被《21IC中國(guó)電子網(wǎng)》評(píng)為2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。這款穩(wěn)壓器采用PowerPAK? 5 mm x 7 mm小型封裝,以其高達(dá)40 A的額定輸出電流,優(yōu)于前代穩(wěn)壓器的功率密度和瞬變響應(yīng)能力受到表彰。Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)已連續(xù)舉辦十九屆,成為業(yè)內(nèi)創(chuàng)新電源產(chǎn)品的標(biāo)志性獎(jiǎng)項(xiàng)。獲獎(jiǎng)產(chǎn)品由工程師投票,經(jīng)21IC編委會(huì)綜合技術(shù)創(chuàng)新、能效、應(yīng)用開(kāi)
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雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用
- 編者按雙脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法,貫穿器件的研發(fā),應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái),你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路,優(yōu)化動(dòng)態(tài)過(guò)程,驗(yàn)證短路保護(hù)。雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用,對(duì)電壓電流探頭要求和影響測(cè)試結(jié)果的因素等。為什么要進(jìn)行雙脈沖測(cè)試?在以前甚至是今天,許多使用IGBT或者M(jìn)OSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實(shí)驗(yàn)的,而是直接在標(biāo)定的工況下跑看能否達(dá)到設(shè)計(jì)的功率。這樣的測(cè)試確實(shí)很必要,但是往往這樣看不出具體的開(kāi)關(guān)損耗,電壓或者電流的尖峰情況,以及
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基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調(diào)光LED照明降壓方案
- 本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準(zhǔn)諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應(yīng)用是LED照明系統(tǒng)、模擬/PWM可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器,模擬調(diào)光范圍寬,從1%到100%。安森美專(zhuān)有的LED電流計(jì)算技術(shù)和內(nèi)部檢測(cè)及反饋放大器的零輸入電壓偏移,在整個(gè)模擬調(diào)光范圍內(nèi)進(jìn)行精確的穩(wěn)流,穩(wěn)流精度在滿載時(shí)<±2%,在1%的負(fù)載時(shí)<±20%。卓越的調(diào)光特性可根據(jù)負(fù)載情況在CCM (N
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Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開(kāi)關(guān)損耗
- 隨著對(duì)電動(dòng)公共汽車(chē)和其他電氣化重型運(yùn)輸車(chē)輛的需求增加,以滿足更低的碳排放目標(biāo),基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類(lèi)運(yùn)輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進(jìn)一步擴(kuò)充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合,Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器,為系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員提供多層級(jí)的控制和保護(hù),以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)輸并滿足嚴(yán)格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器,可降低50%開(kāi)關(guān)損耗對(duì)于碳化硅電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),Microchip的Agi
- 關(guān)鍵字: Microchip 碳化硅 MOSFET
雙極結(jié)型晶體管——MOSFET的挑戰(zhàn)者
- 0? ?引言數(shù)字開(kāi)關(guān)通常使用MOSFET 來(lái)創(chuàng)建,但是對(duì)于低飽和電壓的開(kāi)關(guān)模型,雙極結(jié)型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對(duì)于低電壓和低電流的應(yīng)用,它們不僅可以提供出色的電流放大效果,還具有成本優(yōu)勢(shì)(圖1)。圖1 雙極結(jié)型晶體管可為移動(dòng)設(shè)備提供更長(zhǎng)的使用壽命 圖源:IB Photography/Shutterstock在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,晶體管需要精確地放大基極電流,使輸出電壓接近零,以便僅測(cè)量晶體管的飽和電壓。MOSFET 通常用于這項(xiàng)用途,因?yàn)樗鼈儾恍枰魏蔚讓涌刂破髯鳛殡妷嚎刂平M件。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 202109
使用無(wú)刷直流電機(jī)加速設(shè)計(jì)周期的3種方法
- 全球都在致力降低功耗,且勢(shì)頭愈來(lái)愈烈。許多國(guó)家/地區(qū)都要求家用電器(如圖 1 所示)滿足相關(guān)組織(如中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 (CNIS)、美國(guó)能源之星和德國(guó)藍(lán)天使)制定的效率標(biāo)準(zhǔn)。為了滿足這些標(biāo)準(zhǔn),越來(lái)越多的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)中放棄了簡(jiǎn)單且易用的單相交流感應(yīng)電機(jī),轉(zhuǎn)而采用更節(jié)能的低壓無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)。為了實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命和更低的運(yùn)行噪音,掃地機(jī)器人等小型家電的設(shè)計(jì)人員也轉(zhuǎn)而在他們的許多系統(tǒng)中使用更先進(jìn)的 BLDC 電機(jī)。同時(shí),永磁技術(shù)的進(jìn)步正不斷簡(jiǎn)化 BLDC 電機(jī)的制造,在提供相同扭矩(負(fù)載)的
- 關(guān)鍵字: MOSFET BLDC
面向工業(yè)環(huán)境的大功率無(wú)線電力傳輸技術(shù)
- 1.?? 簡(jiǎn)介隨著無(wú)線電力傳輸技術(shù)在消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的日益普及,工業(yè)和醫(yī)療行業(yè)也把關(guān)注焦點(diǎn)轉(zhuǎn)移至這項(xiàng)技術(shù)及其固有優(yōu)勢(shì)。在如 WLAN 和藍(lán)牙(Bluetooth)等各項(xiàng)無(wú)線技術(shù)的推動(dòng)下,通信接口日益向無(wú)線化發(fā)展,無(wú)線電力傳輸技術(shù)也成為一種相應(yīng)的選擇。采用一些全新的方案,不僅能帶來(lái)明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì),還能為新的工業(yè)設(shè)計(jì)開(kāi)辟更多可能性。這項(xiàng)技術(shù)提供了許多新的概念,特別是在需要對(duì)抗腐蝕性清潔劑、嚴(yán)重污染和高機(jī)械應(yīng)力等惡劣環(huán)境的工業(yè)領(lǐng)域,例如 ATEX、醫(yī)藥、建筑機(jī)械等。比如,它可以替代昂貴且易損
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仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
- 開(kāi)篇前言關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。特別提醒仿真無(wú)法替代實(shí)驗(yàn),僅供參考。1、選取仿真研究對(duì)象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián)Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅(qū)動(dòng)電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示,基于雙脈沖的思路,搭建雙管并
- 關(guān)鍵字: MOSFET
意法半導(dǎo)體收購(gòu)Norstel AB 強(qiáng)化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈
- 近年隨著電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)崛起,碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求激增,吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注,國(guó)際間碳化硅(SiC)晶圓的開(kāi)發(fā)驅(qū)使SiC爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比,碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap,Eg)的半導(dǎo)體;再者,碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng) (breakdown electric field,Ec),因此可被用于制造功率組件應(yīng)用之電子電路的材料,因?yàn)橛锰蓟柚瞥傻男酒词购穸认鄬?duì)小也能夠經(jīng)受得起相對(duì)高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(chǎng)(Ec)和電
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 Norstel AB 碳化硅 SiC
功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究
- 高端變頻空調(diào)在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機(jī)不工作,經(jīng)過(guò)大量失效主板分析確認(rèn)是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效,本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計(jì)分析,對(duì)IGBT失效原因及失效機(jī)理分析,分析結(jié)果表明:經(jīng)過(guò)對(duì)IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機(jī)相關(guān)波形檢測(cè)、熱設(shè)計(jì)分析、IGBT極限參數(shù)檢測(cè)對(duì)比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е拢琁GBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計(jì)方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關(guān)鍵字: 主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應(yīng) ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(展位號(hào):11號(hào)館B39),屆時(shí)將展示面向工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的、以世界先進(jìn)的SiC(碳化硅)元器件為核心的產(chǎn)品及電源解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“SiC/GaN功率器件技術(shù)與應(yīng)用分析大會(huì)”以及“電動(dòng)交通論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的SiC為核心的功率元器件技術(shù),以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和
- 關(guān)鍵字: MOSFET
了解熱阻在系統(tǒng)層級(jí)的影響
- 在電阻方面,電流流動(dòng)的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時(shí)遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個(gè)熱阻,可以用這些數(shù)字來(lái)計(jì)算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中,半導(dǎo)體接面是產(chǎn)生熱的來(lái)源,允許接面超過(guò)其最大操作溫度將導(dǎo)致嚴(yán)重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)保護(hù)措施,以避免發(fā)生過(guò)熱關(guān)機(jī)等情況,但不可避免的是仍會(huì)造成損壞。一個(gè)更好的解決方案,就是在設(shè)計(jì)上選擇抑制 (或至少限制) 會(huì)造成接面溫度超過(guò)其操作最大值的情況。由于無(wú)法直接強(qiáng)制冷卻接面溫度,透過(guò)傳導(dǎo)來(lái)進(jìn)行散熱是確保不會(huì)超過(guò)溫度的唯一方法。工程師需要在這
- 關(guān)鍵字: MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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