首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅基板及磊晶成長領(lǐng)域 環(huán)球晶布局掌握關(guān)鍵技術(shù)

  • 由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導(dǎo)體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導(dǎo)體的器件，能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體所不能滿足的諸多優(yōu)點(diǎn)。放眼全球化合物半導(dǎo)體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應(yīng)以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達(dá)六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  寬能隙半導(dǎo)體  

ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來，隨著節(jié)能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來越廣。而另一方面，在工業(yè)設(shè)備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設(shè)計(jì)周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  

東芝為電動助力轉(zhuǎn)向打造電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)核心

  • 隨著汽車電氣和電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)日趨復(fù)雜化，汽車電子系統(tǒng)的安全性逐漸成為消費(fèi)者與廠商衡量新一代汽車產(chǎn)品優(yōu)劣的重要指標(biāo)。如何量化評估汽車功能是否安全，如何減少、規(guī)避駕駛過程中遇到的各類風(fēng)險，如何做到汽車功能安全等問題變得十分突出，為了解決上述難題，ISO26262 汽車功能安全國際標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生。ISO26262 定義的功能安全是為了避免因電氣／電子系統(tǒng)故障而導(dǎo)致的不合理風(fēng)險。由于電子控制器失效的可預(yù)見性非常低，為了保證即使出現(xiàn)部分電子器件故障，汽車系統(tǒng)也能在短期（故障容錯時間內(nèi)）內(nèi)安全運(yùn)行，需要進(jìn)行功能安全防護(hù)。
  • 關(guān)鍵字： 202106  MOSFET  

碳化硅用于電機(jī)驅(qū)動

  • 0? ?引言近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進(jìn)入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。電機(jī)在工業(yè)應(yīng)用的總功率中占了相當(dāng)大的比例。它們被用于暖通空調(diào)（HVAC）、重型機(jī)器人、物料搬運(yùn)和許多其他功能。提高電機(jī)驅(qū)動的能效和可靠性是降低
  • 關(guān)鍵字： 202106  MOSFET  WBG  202106  

在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢

  • 摘要隨著汽車電動化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應(yīng)用也是方興未艾，越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應(yīng)用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應(yīng)用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導(dǎo)體進(jìn)行了輸出功率和開關(guān)頻率比較。前言隨著汽車電動化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  

貿(mào)澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議

  • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導(dǎo)體制造商。簽訂本協(xié)議后，貿(mào)澤開始備貨PANJIT 豐富多樣的產(chǎn)品，包括二極管、整流器和晶體管。貿(mào)澤備貨的PANJIT產(chǎn)品線包括高度可靠的汽車級E-Type瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產(chǎn)品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝，與傳統(tǒng)晶圓工藝相比，該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊，適用于1500V太陽能系統(tǒng)和ESS應(yīng)用的快速開關(guān)

  • 近日，英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產(chǎn)品，該模塊采用有源鉗位三電平（ANPC）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統(tǒng)（ESS）這樣的快速開關(guān)應(yīng)用，還有助于提高太陽能系統(tǒng)的額定功率和能效，并可滿足對1500 V DC-link太陽能系統(tǒng)與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(shù)（cos φ）范
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

  • 空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運(yùn)行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因?yàn)檫@類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運(yùn)行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應(yīng)用認(rèn)證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件，包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  LET  IC  MCU  

安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor)，近日發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進(jìn)一步增強(qiáng)其用于充滿挑戰(zhàn)的電動車 (EV) 市場的產(chǎn)品系列。隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊性、魯棒性和增強(qiáng)的可靠性都是設(shè)計(jì)人員面
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

  • 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，一個好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運(yùn)行。在大部分情況下，會通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實(shí)施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會將整流后
  • 關(guān)鍵字： SiC FET  PFC  

三星首款MOSFET冰箱變頻器 采用英飛凌600V功率產(chǎn)品

  • 英飛凌科技向三星電子供應(yīng)具有最高能源效率及最低噪音的功率產(chǎn)品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式：RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當(dāng)代變頻器設(shè)計(jì)中，采用直流轉(zhuǎn)交流的新興轉(zhuǎn)換趨勢。與傳統(tǒng)的開/關(guān)控制相比，能讓產(chǎn)品應(yīng)用更安靜平穩(wěn)地運(yùn)轉(zhuǎn)，同時也減少平均耗電量。 三星首款在壓縮機(jī)中使用分立式裝置設(shè)計(jì)的冰箱，采用英飛凌多款電源解決方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及壓縮機(jī)馬達(dá)用的 600V CoolMO
  • 關(guān)鍵字： 三星  MOSFET  英飛凌  

東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，適用于驅(qū)動高壓功率MOSFET的柵極，這類MOSFET用于實(shí)現(xiàn)隔離式固態(tài)繼電器（SSR）[1]功能。今日開始批量出貨。SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導(dǎo)體繼電器，它適用于對大電流執(zhí)行開／關(guān)控制的應(yīng)用。光伏耦合器是一種內(nèi)置光學(xué)器件但不具有用于執(zhí)行開關(guān)功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設(shè)計(jì)時，通過將光伏耦合器與MOSFET結(jié)合使用，便
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  SSR  

Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度

  •  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
  • 關(guān)鍵字： Nexperia  低RDS(on)  MOSFET  

SiC大戰(zhàn)拉開帷幕，中國勝算幾何

  • 近些年，隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率半導(dǎo)體  

電子工程師必備！40個模擬電路小常識

  • 隨著半導(dǎo)體技術(shù)和工藝的飛速發(fā)展，電子設(shè)備得到了廣泛應(yīng)用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門很基礎(chǔ)的課，對于學(xué)生來說，獲得電子線路基本知識、基本理論和基本技能,能為深入學(xué)習(xí)電子技術(shù)打下基礎(chǔ)。1. 電接口設(shè)計(jì)中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因?yàn)閹p耗的傳輸線反射同頻率相關(guān)，這種情況下，盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。2. 穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。3. PN結(jié)具有
  • 關(guān)鍵字： 模電  三極管  MOSFET  
共1814條 41/121 |‹ « 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 » ›|

碳化硅(sic)mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473