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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

羅姆為電動(dòng)汽車充電樁打造高效解決方案

  • 引言全球能源短缺和大氣污染問題日益嚴(yán)峻,汽車產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會(huì)碳排放、增強(qiáng)國家競爭力的有效手段。作為領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商之一,羅姆一直致力于技術(shù)創(chuàng)新,研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時(shí)助力全面低碳社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展??s短充電時(shí)間的高輸出挑戰(zhàn)對電動(dòng)汽車車主來說,縮短充電時(shí)間是非常重要的訴求,而大功率充電是其中關(guān)鍵的支撐技術(shù)。提升續(xù)航距離需要増加電池容量,為縮短充電時(shí)間,需要高輸出能力的充電樁,如360kW的充電樁要搭載9個(gè)40kW的電源
  • 關(guān)鍵字: 充電樁  碳化硅  

BUCK轉(zhuǎn)換器的PCB布局設(shè)計(jì)

  • 討論了BUCK轉(zhuǎn)換器的開通回路、關(guān)斷回路的電流特性,具有高電流變化率di/dt的輸入回路,以及具有高的電壓變化率dV/dt的開關(guān)節(jié)點(diǎn)是其關(guān)鍵回路和關(guān)鍵 節(jié)點(diǎn),使用盡可能小的環(huán)路,短粗布線,優(yōu)先對其進(jìn)行PCB布局。給出了多層板的信號分配原則,也給出了分立和集成的BUCK轉(zhuǎn)換器的PCB布局技巧和一些實(shí)例,分析了它們的優(yōu)缺點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字: PCB布局  磁場干擾  電場干擾  MOSFET  202108  

碳化硅邁入新時(shí)代 ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 1996年,ST開始與卡塔尼亞大學(xué)合作研發(fā)碳化硅(SiC),今天,SiC正在徹底改變電動(dòng)汽車。為了慶祝ST研發(fā)SiC 25周年,我們決定探討 SiC在當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)中所扮演的角色,ST的碳化硅研發(fā)是如何取得成功的,以及未來發(fā)展方向。Exawatt的一項(xiàng)研究指出,到2030年, 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)也正在改變其他市場,例如,太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、服務(wù)器電源、充電站等。因此,了解SiC過去25年的發(fā)展歷程是極其重要的,對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅:半導(dǎo)體行業(yè)如何克服技術(shù)
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  

Maxim Integrated發(fā)布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,可最大程度地延長電池壽命并將元件數(shù)量減半

  • TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,有效簡化無刷直流(DC)電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器為每相集成了低邊檢流放大器,構(gòu)成完備的電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案;與同類產(chǎn)品相比元件數(shù)量減半,且電源效率提高30%,大幅簡化設(shè)計(jì)。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進(jìn)行性
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  

意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓

  • 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋(200mm)碳化硅(SiC)晶圓,這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃獲得重要階段性的成功,其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,且提升了功率電子芯片的輕量化和效能,降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。 意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導(dǎo)體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良,對于芯片良率和晶體位錯(cuò)誤之缺陷非常低。其低缺
  • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  碳化硅  

鄭有炓院士:第三代半導(dǎo)體迎來新發(fā)展機(jī)遇

  • 半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)材料,一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè),半個(gè)多世紀(jì)來從基礎(chǔ)技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化,推動(dòng)了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地,信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅(qū)動(dòng)了半導(dǎo)體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用第三代半導(dǎo)體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,它是繼20世紀(jì)50年代以Ge、Si為代表的第一代半導(dǎo)體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導(dǎo)體之后于90年代發(fā)展起來的新型寬禁帶半導(dǎo)體材料,即禁帶寬度明顯大于Si(1.12 eV)和Ga
  • 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體  SiC  

電動(dòng)汽車用SiC和傳統(tǒng)硅功率元器件都在經(jīng)歷技術(shù)變革

  • 近年來,在全球“創(chuàng)建無碳社會(huì)”和“碳中和”等減少環(huán)境負(fù)荷的努力中,電動(dòng)汽車(xEV)得以日益普及。為了進(jìn)一步提高系統(tǒng)的效率,對各種車載設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導(dǎo)體也提出了多樣化需求,超低損耗的SiC 功率元器件(SiC MOSFET、SiC SBD等)和傳統(tǒng)的硅功率元器件(IGBT、SJ-MOSFET 等)都在經(jīng)歷技術(shù)變革。在OBC(車載充電機(jī))方面,羅姆以功率器件、模擬IC 以及標(biāo)準(zhǔn)品這三大產(chǎn)品群進(jìn)行提案。羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司 技術(shù)中心 副總經(jīng)理 周勁1? ?Si
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  202108  

汽車電氣化的部分關(guān)鍵技術(shù)及ST的解決方案

  • 1? ?汽車電氣化的趨勢和挑戰(zhàn)汽車市場中與電氣化相關(guān)的應(yīng)用是減少交通碳排放影響的關(guān)鍵因素。中國領(lǐng)導(dǎo)人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達(dá)峰,2060 年實(shí)現(xiàn)碳中和的目標(biāo)。為了實(shí)現(xiàn)碳中和,減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種,用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時(shí)也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國交通運(yùn)輸行業(yè)碳排放占比達(dá)10%,而公路運(yùn)輸占其中的74%,主要來自燃油車的排放。因此,發(fā)展電動(dòng)汽車并逐漸從燃油車過渡到電動(dòng)汽車對減少
  • 關(guān)鍵字: 202108  SiC  BMS  

清潔安全的汽車將由功能電子化和自動(dòng)駕駛賦能

  • 未來的汽車將是清潔和安全的汽車,由先進(jìn)的汽車功能電子化和自動(dòng)駕駛技術(shù)賦能。安森美半導(dǎo)體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動(dòng)汽車電動(dòng)車可幫助實(shí)現(xiàn)零排放,其市場發(fā)展是令人興奮和充滿生機(jī)的,隨著電動(dòng)車銷售不斷增長,必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施,以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò),使他們能夠快速完成行程,而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn),緊湊
  • 關(guān)鍵字: 202108  SiC  汽車  OBC  

功率因素校正電路旁路二極管的作用

  • 本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋:減少主二極管的浪涌電流;提高系統(tǒng)抗雷擊的能力;減少開機(jī)瞬間系統(tǒng)的峰值電流,防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動(dòng),導(dǎo)致功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓降低、其進(jìn)入線性區(qū)而發(fā)生損壞,才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下,功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài),同時(shí)給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個(gè)措施。
  • 關(guān)鍵字: 功率因素校正  旁路二極管  線性區(qū)  欠壓保護(hù)  202103  MOSFET  

簡易直流電子負(fù)載的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*

  • 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)負(fù)載測試電源性能的方法在高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統(tǒng)負(fù)載測試方法存在功耗較大、效率與調(diào)節(jié)精度低、體積大等問題,設(shè)計(jì)并制作一款適合隨頻率、時(shí)間變化而發(fā)生改變的被測電源的簡潔、實(shí)用、方便的直流電子負(fù)載。系統(tǒng)主要由STC12C5A60S2單片機(jī)主控、增強(qiáng)型N溝道場效應(yīng)管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實(shí)現(xiàn)了在一定電壓與電流范圍內(nèi)恒壓恒流任意可調(diào),并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應(yīng)的設(shè)定值
  • 關(guān)鍵字: STC12C5A60S2單片機(jī)  恒流恒壓  IRF3205  負(fù)載調(diào)整率  202105  MOSFET  

適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET

  • 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值,并改善均流,從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本?;A(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET,新器件增強(qiáng)了SOA性能,適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動(dòng)應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備。 ASFET是一種新型MOSFET,經(jīng)過優(yōu)化,可用于特定應(yīng)用場景。通過專注于對某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù),有時(shí)需要犧牲相同設(shè)計(jì)中其他較不重要的參數(shù),以實(shí)現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
  • 關(guān)鍵字: Nexperia  MOSFET  

瑞能半導(dǎo)體舉行CEO媒體溝通會(huì)

  • 近日,瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen(以下簡稱Markus)的媒體溝通會(huì)在上海靜安洲際酒店舉行,瑞能半導(dǎo)體全球市場總監(jiān)Brian Xie同時(shí)出席本次媒體溝通會(huì)。溝通會(huì)上首先回顧了瑞能半導(dǎo)體自2015年從恩智浦分離出后,從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中,在六年內(nèi)保持的相當(dāng)規(guī)模的成長,并取得的驕人成績;結(jié)合瑞能半導(dǎo)體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產(chǎn)品,明確了在碳化硅器件行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位;在分享后續(xù)發(fā)展策略的同時(shí),強(qiáng)調(diào)了瑞能半導(dǎo)體未來
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  

基本半導(dǎo)體——第三代半導(dǎo)體前景無限

  • 相比于數(shù)字半導(dǎo)體,我國在模擬與功率半導(dǎo)體的差距要更大一些,因?yàn)楣β势骷粌H僅是產(chǎn)品設(shè)計(jì)的問題,還涉及到材料等多個(gè)技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點(diǎn)迎頭趕上的領(lǐng)域之一。作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè),基本半導(dǎo)體技術(shù)營銷副總監(jiān)劉誠表示,公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,核心產(chǎn)品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊等,基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應(yīng)用領(lǐng)域,市場潛力大,也是基本半導(dǎo)體要重點(diǎn)發(fā)力的市場。站在劉誠的角
  • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  MOSFET  中國芯  

變頻電源開關(guān)芯片炸裂的失效分析與可靠性研究

  • 隨著科技的發(fā)展,電器設(shè)備使用越來越廣泛,功能越來越強(qiáng)大,體積也越來越小,對電源模塊的要求不斷增加。開關(guān)電源具有效率高、成本低及體積小的特點(diǎn),在電氣設(shè)備中獲得了廣泛的應(yīng)用。經(jīng)分析,開關(guān)電源電路多個(gè)器件失效主要是電路中高壓瓷片電容可靠性差,導(dǎo)致開關(guān)芯片失效。本文通過增加瓷片電容材料的厚度提高其耐壓性能和其他性能,使產(chǎn)品各項(xiàng)性能有效提高,滿足電路設(shè)計(jì)需求,減少售后失效。
  • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  高壓瓷片電容  芯片  耐壓提升  可靠性  202105  MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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