碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

內(nèi)置高壓MOS管和高壓啟動(dòng)的AC/DC電源控制芯片

一、芯片介紹繼推出5W和20W的開關(guān)電源控制IC后，為滿足客戶對更多功率段的需求，金升陽推出內(nèi)置高壓MOS管和高壓啟動(dòng)的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內(nèi)置高壓MOS 管功率開關(guān)的原邊控制開關(guān)電源（PSR），采用PFM 調(diào)頻技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩(wěn)定性和平均效率非常高。由于集成高壓啟動(dòng)，可以省去外圍的啟動(dòng)電阻，實(shí)現(xiàn)低損耗可靠啟動(dòng)。同時(shí)，該芯片具有可調(diào)節(jié)線性補(bǔ)償功能和內(nèi)置峰值電流補(bǔ)償功能，輸出功率最大可達(dá)8W。二、產(chǎn)品應(yīng)用可廣泛應(yīng)用于AC
關(guān)鍵字： MOSFET PSR IC RFM

“新一輪產(chǎn)業(yè)升級，全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“

隨著物聯(lián)網(wǎng)，大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展，對半導(dǎo)體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開始，正在逐漸進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代。碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。已在智能電網(wǎng)，軌道交通，新能源，開關(guān)電源等領(lǐng)域得到了應(yīng)用，展現(xiàn)出了優(yōu)良的性質(zhì)和廣闊的
關(guān)鍵字：碳化硅，半導(dǎo)體

安森美全面布局碳化硅市場：汽車、新能源、5G

目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據(jù)各大咨詢機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關(guān)電源等領(lǐng)域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅可提供高場強(qiáng)、高能隙，以及高電子移動(dòng)速度和熱導(dǎo)率，讓下一代半導(dǎo)體器件的性能得到革命性提升。
關(guān)鍵字：安森美 SiC 碳化硅

減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關(guān)性能，并將開關(guān)損耗降低多達(dá)35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應(yīng)
關(guān)鍵字： MOSFET 碳化硅 UPS

模塊化參考設(shè)計(jì)幫助用戶為各種應(yīng)用選擇不同的功能塊縮短上市時(shí)間、節(jié)省BOM成本及資源

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán) 近日宣布推出一款48V電動(dòng)車應(yīng)用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶加快電動(dòng)滑板車、電動(dòng)自行車、混合動(dòng)力汽車、UPS和儲能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設(shè)計(jì)在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應(yīng)用，如割草機(jī)、手推車、機(jī)器人清潔器、電動(dòng)工具、移動(dòng)電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個(gè)瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個(gè)關(guān)鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強(qiáng)健的HIP2211 100V MOSFET驅(qū)動(dòng)器以及用于電機(jī)控制的RX23T 32位
關(guān)鍵字： MOSFET PWM BLDC MCU

低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導(dǎo)通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強(qiáng)型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43
關(guān)鍵字： MOSFET

儲能系統(tǒng)助推電動(dòng)汽車快速充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

電動(dòng)汽車(EV)將獲得越來越多的市場份額，最終取代內(nèi)燃機(jī)汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風(fēng)能等可再生能源將為它們提供動(dòng)力。人們將希望能在不到15分鐘的時(shí)間內(nèi)為電動(dòng)汽車充滿電，他們不愿排隊(duì)等候唯一的充電樁。
關(guān)鍵字： MOSFET PWM BMS

東芝與MikroElektronika展開合作，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC開發(fā)評估板

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC的Click boards?開發(fā)評估板。Mikroe是一家設(shè)計(jì)和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司。客戶現(xiàn)在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC進(jìn)行評估。東芝高度集成的電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC擁有四十多年的歷史，因得到電機(jī)控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應(yīng)用中的直流有刷電機(jī)、直流無刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)，東芝提供豐富的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字： NVM IC MOSFET

英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車創(chuàng)造新里程碑

美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車送上了太空，展開火星探測之旅。這輛探測車預(yù)計(jì)將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測車提供了數(shù)千個(gè)經(jīng)過抗輻射強(qiáng)化 (Rad Hard) 的關(guān)鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機(jī)遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
關(guān)鍵字： MOSFET IC NASA IR

5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET

GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)?。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)洹１疚闹?，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC

PFC電路MOS管應(yīng)用電路振蕩問題分析

本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應(yīng)用過程中產(chǎn)生振蕩的機(jī)理，通過具體的案例詳細(xì)分析了因MOS振蕩引起損壞的原因，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用給出具體的解決措施和方案，通過實(shí)驗(yàn)及大批量的生產(chǎn)驗(yàn)證表明，措施有效，穩(wěn)定且可靠，對PFC電路MOS管應(yīng)用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
關(guān)鍵字： 202008 PFC電路 MOS管振蕩 MOSFET 202008

超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET輸出電容特性

本文主要分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內(nèi)部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關(guān)系，最后討論了新一代超結(jié)技術(shù)工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓，降低開關(guān)損耗，同時(shí)產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，對系統(tǒng)EMI產(chǎn)生影響。
關(guān)鍵字： 202008 功率 MOSFET 超結(jié)結(jié)構(gòu) 輸出電容橫向電場

LED手術(shù)無影燈調(diào)光電路的設(shè)計(jì)及應(yīng)用

本文介紹了一款基于LM3404的LED手術(shù)無影燈恒流驅(qū)動(dòng)調(diào)光電路，詳細(xì)論述了調(diào)光電路的硬件和軟件方案的設(shè)計(jì)及實(shí)測效果。電路采用單片機(jī)MSP430F1232控制LED驅(qū)動(dòng)模塊，集成調(diào)光控制模塊，可實(shí)現(xiàn)對大功率LED手術(shù)無影燈進(jìn)行無極調(diào)光的功能，并且含有參數(shù)記憶模式，具有智能化、精度高、穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，大大提高了LED手術(shù)無影燈的使用性能。
關(guān)鍵字： 202008 LED手術(shù)無影燈單片機(jī) LM3404 調(diào)光控制 MOSFET

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊將支持臺達(dá)的太陽能光伏逆變器

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達(dá)選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
關(guān)鍵字： MOSFET SiC PIM 光伏逆變器