碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來自公眾號：8號線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
關(guān)鍵字：晶體管 NPN PNP MOSFET JFET

IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達(dá)到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說明功率模
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集中供電電源的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)*

用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應(yīng)具備不間斷供電的特性，能夠進(jìn)行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓?fù)湓O(shè)計主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機(jī)，使用繼電器控制電路實(shí)現(xiàn)主備電無縫切換，使用電池充電電路對蓄電池進(jìn)行智能充電管理，最后搭建實(shí)際電路進(jìn)行驗(yàn)證。驗(yàn)證結(jié)果表明：設(shè)計的集中供電電源輸出性能指標(biāo)較高，且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
關(guān)鍵字：集中供電電源半橋拓?fù)?/a> 充電管理智能 202104 MOSFET IGBT

通過節(jié)省時間和成本的創(chuàng)新技術(shù)降低電源中的EMI

隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集并且互連程度越來越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個關(guān)鍵的系統(tǒng)設(shè)計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴(yán)重阻礙設(shè)計進(jìn)度，浪費(fèi)大量時間和資金，因此必須在設(shè)計之初就考慮 EMI 問題。開關(guān)模式電源 (SMPS) 是現(xiàn)代技術(shù)中普遍使用的電路之一，在大多數(shù)應(yīng)用中，該電路可提供比線性穩(wěn)壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價的，因?yàn)?SMPS 中功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的開關(guān)會產(chǎn)生大量 EMI，進(jìn)而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關(guān)節(jié)
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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安森美半導(dǎo)體高能效方案賦能機(jī)器人創(chuàng)新，助力工業(yè)自動化升級

工業(yè)自動化簡單說來指從人力制造轉(zhuǎn)向機(jī)器人制造，涉及信息物理系統(tǒng)(CPS)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)/工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)、云計算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)增長和利潤最大化，提高生產(chǎn)效率，并避免人力在執(zhí)行某些任務(wù)時的安全隱患。安森美半導(dǎo)體為工業(yè)自動化提供全面的高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體方案。其中，機(jī)器人半導(dǎo)體方案構(gòu)建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動化-機(jī)器人半導(dǎo)體方案構(gòu)建框圖電機(jī)控制設(shè)計人員可采用安森美半導(dǎo)體的無刷直流電機(jī)(BLDC)控制器實(shí)現(xiàn)BLDC電機(jī)控制，如高
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功率半導(dǎo)體－馬達(dá)變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá)，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅(qū)動馬達(dá)用電效率的需求將會越來越顯著。
關(guān)鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達(dá)變頻器功率半導(dǎo)體英飛凌

以中國帶動世界意法半導(dǎo)體搶占新能源汽車制高點(diǎn)

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics) 以“意法半導(dǎo)體，科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展，展示其行業(yè)領(lǐng)先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。作為意法半導(dǎo)體重要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域之一，此次展臺的焦點(diǎn)是一輛智能電動轎跑小鵬P7，這款先進(jìn)的新能源智能汽車的車輛控制單元(VCU)中采用意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的多功能芯片L9788，這是首個集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案，符合最高的功能性安全標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品競爭優(yōu)勢包括節(jié)省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SiC BMS

功率器件和被動元件點(diǎn)亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見

2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕，展會與第九屆中國電子信息博覽會（CITE2021）同期舉辦，現(xiàn)場有超1500家參展商參展，共發(fā)布近萬件新產(chǎn)品、新技術(shù)，全方位、多角度展示我國電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時，博覽會期間還舉辦了近100場同期活動，吸引了超過10萬名專業(yè)觀眾到場參觀，500余萬觀眾線上觀展。據(jù)主辦方介紹，展會以“創(chuàng)新驅(qū)動高質(zhì)量發(fā)展”為主題，展覽展示、論壇會議和現(xiàn)場活動三大板塊聯(lián)動，三位一體，亮點(diǎn)紛呈。亮點(diǎn)一展覽：展示最新產(chǎn)品?9號館——基礎(chǔ)
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碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

日趨嚴(yán)格的CO2排放標(biāo)準(zhǔn)以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間，根據(jù)最近的趨勢，到2024年的復(fù)合年增長率(CAGR(TAM))估計將達(dá)到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設(shè)計中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡單功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(圖1)是個傳統(tǒng)的單通道升壓轉(zhuǎn)換器。該方案包含一個用于輸入交流整流的二極管全橋和一個PFC控制器，以增加負(fù)載的功率因數(shù)，從
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Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級80 V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認(rèn)證、全球先進(jìn)的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達(dá)到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發(fā)布的汽車級M
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72V 混合式 DC/DC 方案使中間總線轉(zhuǎn)換器尺寸銳減 50%

背景資訊大多數(shù)中間總線轉(zhuǎn)換器 (IBC) 使用一個體積龐大的電源變壓器來提供從輸入至輸出的隔離。另外，它們一般還需要一個用于輸出濾波的電感器。此類轉(zhuǎn)換器常用于數(shù)據(jù)通信、電信和醫(yī)療分布式電源架構(gòu)。這些 IBC 可由眾多供應(yīng)商提供，而且通常可放置于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的 1/16、1/8 和 1/4 磚占板面積之內(nèi)。典型的 IBC 具有一個 48V 或 54V 的標(biāo)稱輸入電壓，并產(chǎn)生一個介于 5V 至 12V 之間的較低中間電壓以及從幾百 W 至幾 kW 的輸出功率級別。中間總線電壓用作負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器的輸入，將負(fù)責(zé)給 FP
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意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動器，可安全控制碳化硅MOSFET

STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生高達(dá)26V的柵極驅(qū)動電壓，將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V，滿足SiC MOSFET開關(guān)管正常導(dǎo)通要求。如果電源電壓低引起驅(qū)動電壓太低，UVLO保護(hù)機(jī)制將確保MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，以免產(chǎn)生過多的耗散功率。這款驅(qū)動器有雙兩個輸入引腳，讓設(shè)計人員可以定義柵極驅(qū)動信號的極性。STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅(qū)動輸出之間設(shè)計6kV電氣隔離，電隔離有助于確保消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅(qū)動能力使其適用于高端家用電器、工業(yè)驅(qū)動裝置、風(fēng)扇、電磁爐、電焊機(jī)
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電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)：新一代功率解決方案提升能效和可靠性

1? ?電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵是可靠性和能效電機(jī)在現(xiàn)代生活中無處不在，從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)國際能源署 (International Energy Agency) 的數(shù)據(jù)，電機(jī)占全球總電力消耗的45％，因此電機(jī)驅(qū)動電子設(shè)備的可靠性和能效會對世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應(yīng)用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動化和機(jī)器人是電機(jī)最重要的應(yīng)用之一，隨著傳統(tǒng)機(jī)器人、協(xié)作機(jī)器人和自主移動機(jī)器人的采用，我們看到工廠和其他設(shè)施變得更加自動化。一種提高電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)能效的方法是，以基于三相
關(guān)鍵字： MOSFET IPM 202103

基于LCC拓?fù)涞?相輸入300W AC-DC LED電源

近年來，諧振變換器的熱度越來越高，被廣泛用于計算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子等各種應(yīng)用場景。諧振變換器可以很容易地實(shí)現(xiàn)高能效，其固有的較寬的軟開關(guān)范圍很容易實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)，這是一個關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
關(guān)鍵字： MOSFET IC