碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

SiC和GaN產(chǎn)品市場(chǎng)趨勢(shì)及力特提供的產(chǎn)品

硅半導(dǎo)體器件在過去數(shù)十年間長(zhǎng)期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們?nèi)粘Ｉ钪械慕^大部分應(yīng)用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術(shù)無(wú)法克服的優(yōu)勢(shì)正在日益普及。
關(guān)鍵字：力特，SiC，GaN

新一代功率器件動(dòng)向：SiC和GaN

更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％，與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實(shí)施更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的法規(guī)，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達(dá)到最高能效。
關(guān)鍵字：安森美，SiC，GaN

重磅消息！深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)

　　3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有里程碑意義，將對(duì)中國(guó)乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響?！　】萍疾吭辈块L(zhǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長(zhǎng)曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長(zhǎng)陳如桂，科技部高新司原司長(zhǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)副主任、深圳第三代半
關(guān)鍵字：青銅劍科技半導(dǎo)體碳化硅功率器件

新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

介紹了包括SiC、GaN在內(nèi)的新一代功率器件，面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊，可穿戴設(shè)備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關(guān)新技術(shù)和熱門產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： SiC GaN 電源管理 201804

電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路篇

　　MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路?！　≡谑褂肕OSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的
關(guān)鍵字： MOSFET 電源IC

新發(fā)現(xiàn)！SiC可用于安全量子通信

　　使用單光子作為量子位的載體可以在量子數(shù)據(jù)傳輸期間實(shí)現(xiàn)可靠的安全性。研究人員發(fā)現(xiàn)，目前可以通過某現(xiàn)有材料建立一個(gè)系統(tǒng)，能在常溫條件下可靠地產(chǎn)生單光子。　　來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)的一個(gè)研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導(dǎo)體材料的單光子發(fā)射二極管，每秒可以發(fā)射多達(dá)數(shù)十億個(gè)光子。研究人員進(jìn)一步表明，SiC色心的電致發(fā)光可用于將無(wú)條件的安全量子通信線路中的數(shù)據(jù)傳輸速率提高到1Gbps以上。　　量子密碼術(shù)與傳統(tǒng)的加密算法不同，它依賴于物理定律。在不改變?cè)夹畔⒌那闆r下，是無(wú)法
關(guān)鍵字： SiC 量子通信

受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場(chǎng)前景向好

　　相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢(shì)，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡(jiǎn)化周邊電路的設(shè)計(jì)，達(dá)到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。　　　　此外，除了輕化車輛設(shè)計(jì)之外，因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的能源轉(zhuǎn)換損失，兩者對(duì)于電動(dòng)車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭Ｒ虼耍?/li>
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ROHM攜汽車電子及工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)產(chǎn)品強(qiáng)勢(shì)登陸“2018慕尼黑上海電子展”

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國(guó)際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?！　　澳侥岷谏虾ｋ娮诱?不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會(huì)之一。ROHM在此次展會(huì)上以“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”為軸，為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動(dòng)設(shè)備”在內(nèi)的5大解決方案展區(qū)，囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。另外，為此
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慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品都在世強(qiáng)

　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會(huì)吸引了數(shù)萬(wàn)名電子行業(yè)的觀眾到場(chǎng)參觀學(xué)習(xí)。而全球先進(jìn)的元件分銷商——世強(qiáng)元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動(dòng)化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測(cè)試測(cè)量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相。　　憑借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門市場(chǎng)的最新產(chǎn)品的展示，世強(qiáng)元件電商吸引了大批工程師
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5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

　　據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，一些非常重要的市場(chǎng)趨勢(shì)正在推動(dòng)化合物半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體正在強(qiáng)勢(shì)回歸。這些趨勢(shì)主要包括第五代(5G)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、無(wú)人駕駛和自動(dòng)汽車、交通電氣化、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)(AR/VR)。這些應(yīng)用正在推動(dòng)3D傳感的應(yīng)用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應(yīng)用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導(dǎo)體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的冰山一角。　　我們
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Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

　　全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場(chǎng)開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的專家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場(chǎng)帶來創(chuàng)新設(shè)計(jì)

　　EPC公司的管理及技術(shù)團(tuán)隊(duì)將在中國(guó)深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會(huì)上，與工程師會(huì)面并作技術(shù)交流。屆時(shí)，EPC團(tuán)隊(duì)將分享如何發(fā)揮氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng)新設(shè)計(jì)，從而為工程師及其客戶，打造共創(chuàng)共贏新局面?！　irFuel無(wú)線充電大會(huì)暨開發(fā)者論壇 2018 (中國(guó)深圳 - 3月14至16日)　　首屆AirFuel無(wú)線充電大會(huì)暨開發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
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ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅(qū)動(dòng)器板加快產(chǎn)品上市時(shí)間

　　Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場(chǎng)首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評(píng)估板，在200kHz開關(guān)頻率時(shí)該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設(shè)計(jì)旨在提高設(shè)計(jì)可靠性，同時(shí)減少創(chuàng)建額外原型的需求，為電源轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)能客戶節(jié)省時(shí)間、降低成本并縮短上市時(shí)間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國(guó)得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會(huì)上展示該評(píng)估
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安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體?(ON?Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)?！　“采腊雽?dǎo)體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
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高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除在寬輸入范圍負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中提高功率吞吐量的障礙

　　當(dāng)前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度，這為非隔離負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率，設(shè)計(jì)人員選擇避免多級(jí)轉(zhuǎn)換，以獲得他們所需要的穩(wěn)壓負(fù)載點(diǎn)電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉(zhuǎn)換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時(shí)，繼續(xù)縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產(chǎn)品性能的提升，niPOL的功率需求會(huì)進(jìn)一步提高?！　‰娫葱袠I(yè)通過對(duì)niPOL進(jìn)行多項(xiàng)技術(shù)升級(jí)來應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。過去幾年，行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導(dǎo)體集成和M
關(guān)鍵字： ZVS MOSFET