首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

我國第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破

  •   近日,863計劃先進制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗收。   通常,國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢,特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯,由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  SiC  

精華!兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案

  • 精華!兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題,BP3216內(nèi)部集成MOSFET,體積小,特別適合燈絲燈的應(yīng)用;采用源極驅(qū)動,DCMB的控制方式,沒有二極管反向恢復(fù),開關(guān)損耗小。P3216系列芯片內(nèi)部集成不同耐壓的MOSFET,可以滿足不同功率輸出的要求。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  可控硅調(diào)光  LED燈絲燈  

導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減

  • 導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度,是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計的首要目標。為達此一目的,半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET),可顯著降低全負載及輕負載時的功率損耗。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  柵極屏蔽  快捷半導(dǎo)體  

為反向極性保護設(shè)計一個電路

  • 為反向極性保護設(shè)計一個電路-反向極性解決方案被看成是一個迫不得已、不得不做的事情。例如,在汽車系統(tǒng)中,搭線啟動期間,防止電池反接或者電纜反向連接很重要,然而系統(tǒng)設(shè)計人員也必須忍受反向極性保護出現(xiàn)時的功率損耗。
  • 關(guān)鍵字: 汽車電池  反向極性保護  二極管  MOSFET  

有刷直流柵極驅(qū)動器的演變

  • 有刷直流柵極驅(qū)動器的演變-回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰(zhàn)的20年,我們已走過了漫漫長路。2015年正發(fā)布的組件具有無與倫比的精細度和集成度。處理器速度更快,發(fā)光二極管(LED)亮度更高,存儲器密度更大,每樣?xùn)|西的功耗都更低,并且集成電路(IC)集成了比以往任何時候都多的組件。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  柵極驅(qū)動器  集成電路  

模塊電源的散熱應(yīng)對措施

  • 模塊電源的散熱應(yīng)對措施- 本篇文章以實例為基準,分析一個設(shè)計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W,Vin24VVout5V,采用單管正激電路,使用的是UC3843B芯片控制,沒有采用有源嵌位和同步整流,工作頻率為300KHZ。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  二極管  模塊電源  

基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案

  • 基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾,開關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓,LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補,各取所長才能共建一個良好的系統(tǒng)供電環(huán)境,同時開啟它們的共贏之路。
  • 關(guān)鍵字: MPS模塊  MOSFET  LDO  DC-DC  

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中實現(xiàn)超高速切換

  •   Littelfuse, Inc.,作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列,成為該公司不斷擴充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.,向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80m?),是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)的
  • 關(guān)鍵字: Littelfuse  MOSFET  

采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計雙電壓mosfet驅(qū)動電路

  • 采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計雙電壓mosfet驅(qū)動電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是,在輸入端IN輸入一個方波信號,利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平,這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相,且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下:
  • 關(guān)鍵字: mosfet  驅(qū)動電路  

功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖

  • 功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅(qū)動電路設(shè)計,功率mosfet驅(qū)動電路原理圖。
  • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動電路  mosfet  電路圖  

利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò)

  • 利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò)-假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量(以N為例)的電流沉/源(current sink/source),而每個電流沉/源的大小任意,可能須要針對不同階段的一些復(fù)雜模擬電路進行偏置。雖然基準電壓的生成僅須一次實施即可,電流沉整個反饋部分的重復(fù)進行卻使成本與設(shè)計空間密集化。
  • 關(guān)鍵字: 模擬電路  MOSFET  

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析

  • 碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析-SiC電力電子器件中,SiC二極管最先實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品,美國Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  

MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

  • MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時,任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源,支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板,從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題??刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后,MOSFET 開關(guān)緩慢接通,這樣,流入的浪涌電流對負載電容充電時能夠保持在安全水平。
  • 關(guān)鍵字: mosfet  linear  

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

  •   摘要  本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性,并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明,新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標桿,讓系統(tǒng)具更高的能效,對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大?! ∏把浴 ∈袌鰧﹂_關(guān)速度、功率、機械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高,而硅器件理論上正在接近性能上限?! 拵栋雽?dǎo)體器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好,被認為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中,兼容硅
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  SiC  

什么是同步整流器?開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何?

  • 什么是同步整流器?開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何?-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
  • 關(guān)鍵字: 整流器  mosfet  二極管  
共1814條 58/121 |‹ « 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 » ›|

碳化硅(sic)mosfet介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473