碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

應(yīng)用角：云電源

　　云電源是描述用于傳輸、存儲(chǔ)和處理云數(shù)據(jù)的設(shè)備的電源的通用術(shù)語。在電信或傳輸應(yīng)用中，云電源將為基帶單元和遠(yuǎn)程無線電單元供電。用于存儲(chǔ)和處理的服務(wù)器機(jī)群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時(shí)斷電時(shí)用戶仍可訪問云。每臺(tái)服務(wù)器還將需要一個(gè)電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉(zhuǎn)換器來提供負(fù)載點(diǎn)電源?！　∮捎谖锫?lián)網(wǎng)顯著增加了捕獲某種數(shù)據(jù)的端點(diǎn)數(shù)(2017年付運(yùn)約20億臺(tái)設(shè)備，比2015年增長(zhǎng)54%)，因此需要大量的存儲(chǔ)器來處理和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。為此，正在構(gòu)建大型服務(wù)器機(jī)群，這些機(jī)群將消耗大量電力。電源轉(zhuǎn)換將產(chǎn)生熱量，終
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IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識(shí)學(xué)習(xí)

　　IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用　　IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?！　±硐氲刃щ娐放c實(shí)際等效電路如圖所示：　　IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性(開關(guān)特性)?！　?dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過程可從下面的表格和圖形中獲取
關(guān)鍵字： IGBT，MOSFET

宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)

　　隨著電子產(chǎn)品功能愈來愈多元，對(duì)于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動(dòng)車勢(shì)不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶龐大需求下，電子產(chǎn)品驗(yàn)證服務(wù)龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)」，目前已有20多家海內(nèi)外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設(shè)計(jì)企業(yè)已于今年第一季底，前來宜特進(jìn)行工程試樣，并于第二季初開始進(jìn)行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)?！　∫颂囟麻L(zhǎng) 余維斌指出，在車用可靠度驗(yàn)證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務(wù)客戶的同時(shí)，發(fā)現(xiàn)了此
關(guān)鍵字： MOSFET 晶圓

低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度

　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體?！　“采腊雽?dǎo)體擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對(duì)在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
關(guān)鍵字：肖特基二極，SiC

意法半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

　　意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費(fèi)和工業(yè)電源的靈活性?！　∵壿嫾?jí)原邊MOSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作，可用于設(shè)計(jì)高效的5V輸出開關(guān)電源。結(jié)合內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng)、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動(dòng)振蕩器等功能，這種優(yōu)勢(shì)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，節(jié)省空間和物料清單成本?！　IPer11高壓轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體，MOSFET

工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)用的SiC電源解決方案

　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動(dòng)裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動(dòng)器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來使系統(tǒng)正常運(yùn)行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢(shì)且設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、性價(jià)比高的電源解決方案?！　⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
關(guān)鍵字： SiC，MOSFET

我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

　　6月5日，在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)。　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺(tái)SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄　iC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
關(guān)鍵字： SiC

我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

　　6月5日，在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)?！　≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說：“這100臺(tái)SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄　iC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級(jí)SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強(qiáng)固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢(shì)?！　iC技術(shù)提供比硅器件更佳的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復(fù)電流，開關(guān)性能與溫度無關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
關(guān)鍵字：安森美 SiC

計(jì)算MOSFET非線性電容

　　最初為高壓器件開發(fā)的超級(jí)結(jié)MOSFET，電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴(kuò)展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結(jié)電容，但電荷平衡使后者非線性進(jìn)一步加大。MOSFET有效儲(chǔ)存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計(jì)算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復(fù)雜。　　MOSFET三個(gè)相關(guān)電容不能作為VDS的函數(shù)直接測(cè)量，其中有的需要在這個(gè)過程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊(cè)最終測(cè)量給出的三個(gè)值定義如下：　　CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD　　三者中，輸入電容CG
關(guān)鍵字： MOSFET 非線性電容

美高森美繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢(shì)壘二極管器件

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和相應(yīng)的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號(hào)展廳318展臺(tái)展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
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ROHM集團(tuán)Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強(qiáng)化SiC功率元器件的產(chǎn)能

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM為加強(qiáng)需求日益擴(kuò)大的SiC功率元器件的生產(chǎn)能力，決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?！　⌒聫S房為地上3層建筑，總建筑面積約11,000㎡。現(xiàn)在，具體設(shè)計(jì)工作正在有條不紊地進(jìn)行，預(yù)計(jì)將于2019年動(dòng)工，于2020年竣工。　　ROHM自2010年開始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來，于世界首家量產(chǎn)“全SiC”功率模塊和溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET，不斷進(jìn)行著領(lǐng)先業(yè)界的技
關(guān)鍵字： ROHM SiC

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調(diào)研基本半導(dǎo)體

　　4月9日上午，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導(dǎo)體考察調(diào)研。　　基本半導(dǎo)體董事長(zhǎng)汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達(dá)到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！　‰S后丁文武一行聽取了基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士對(duì)公司發(fā)展情況的匯報(bào)。丁文武對(duì)基本半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵(lì)公司團(tuán)隊(duì)再接再厲，立足創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。　　國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金是為促進(jìn)集
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體碳化硅功率芯片集成電路

ROHM炫動(dòng)慕展，為汽車車載帶來一大波方案

　　ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展"，并占據(jù)館內(nèi)的入口人氣位置，以炫動(dòng)的賽車和動(dòng)感十足的汽車產(chǎn)品，吸引觀眾的眼球。那么，這次ROHM重點(diǎn)帶來了什么汽車新品?　　據(jù)悉，此次展會(huì)圍繞“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”，重點(diǎn)展示了功率電源產(chǎn)品及解決方案。　　圖：ROHM展臺(tái)設(shè)在展館入口處，動(dòng)感賽車吸引眼球　　賽車性能突破極限，因?yàn)橛蠸iC　　視頻上吸睛的車隊(duì)是文圖瑞電動(dòng)方程式車隊(duì)?(Venturi?Formula?E?Team)?，RO
關(guān)鍵字： ROHM SiC

SiC將與IGBT或MOSFET共存

雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個(gè)高端應(yīng)用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補(bǔ)其在價(jià)格方面的短板，尤其是在電動(dòng)車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來大量需求。氮化鎵技術(shù)能夠降低成本，又能夠保持半導(dǎo)體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應(yīng)用領(lǐng)域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會(huì)被碳化硅替代，我們認(rèn)為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域中共同發(fā)揮所長(zhǎng)，共生共棲。
關(guān)鍵字：瑞薩，碳化硅