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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

功率MOSFET的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用

  • “MOSFET(場效應(yīng)管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應(yīng)管)(Power MOSFET(場效應(yīng)管))是指它能輸出較大的工作電流
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電源設(shè)計(jì)小貼士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案

  • 在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分立驅(qū)動(dòng)器來保護(hù)同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅(qū)動(dòng)同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量，變壓器電壓會(huì)變得很高以至于可能會(huì)損壞同步整流器。
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電源設(shè)計(jì)小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件

  • 分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價(jià)值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅(qū)動(dòng)器 IC 成本降低 10 倍。分立驅(qū)動(dòng)器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關(guān)電流，從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。
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MOSFET安全工作區(qū)對實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

  • 即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
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電源設(shè)計(jì)小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

電源設(shè)計(jì)小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升

  • 在本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計(jì)小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度。
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第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
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意法半導(dǎo)體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級功率MOSFET管

  • 　　意法半導(dǎo)體推出了采用先進(jìn)的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進(jìn)技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會(huì)社選用?！　TLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機(jī)控制、電池極性接反保護(hù)和高性能功率開關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸和高散熱效率的底部設(shè)計(jì)，同時(shí)將頂部的源極曝露在
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ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大！支持1200V 400A（BSM400D12P3G002）、600A（BSM600D12P3G001），有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化

  • 　　<概要>　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?！　”井a(chǎn)品通過ROHM獨(dú)有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時(shí))，這非常有助于應(yīng)
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汽車功率元器件市場前景廣闊

  • 　　汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。 　　雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示，該車型物料清單中包含100多個(gè)電源
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汽車功率元器件市場前景廣闊

  • 　　雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示，該車型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?！　∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運(yùn)用更老的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，使用200毫米(和
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全新高壓MOSFET高效支持大小功率應(yīng)用

  • 　　英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現(xiàn)有的CoolMOS?技術(shù)產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS? C7 Gold (G7)系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達(dá)600 V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常出色的功率密度。　　600 V CoolMOS&
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功率半導(dǎo)體：自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升

  • 　　與市場的不同的觀點(diǎn):傳統(tǒng)觀點(diǎn)認(rèn)為功率半導(dǎo)體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認(rèn)為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導(dǎo)體的重要性被長期低估,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導(dǎo)體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
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東芝面向風(fēng)扇電機(jī)推出600V／500V小型封裝高壓智能功率器件

  • 　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出新系列小型封裝高壓智能功率器件(IPD)，這些產(chǎn)品用于空調(diào)、空氣凈化器和空氣泵等各類風(fēng)扇電機(jī)。該新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"兩款產(chǎn)品，產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)?！　±脰|芝最新的MOSFET技術(shù)，新系列IPD在新開發(fā)的小型表面貼裝“SOP30”封裝中實(shí)現(xiàn)高壓和低功率損耗，該封裝尺寸僅為20.0mm x 14.2mm。其封裝空間僅約為東
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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