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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

用GaN重新考慮功率密度

  • 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破,當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn),從那時(shí)起,幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。
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制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始

  •   接近62%的能源被白白浪費(fèi)   美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計(jì),本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。      圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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ROHM SiC在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

  • 近年來,SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻(xiàn),在新能源汽車、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源,以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比,SiC產(chǎn)品憑借更低的開關(guān)損耗,可實(shí)現(xiàn)設(shè)備中冷卻機(jī)構(gòu)的小型化。同時(shí),通過更高頻率的開關(guān)動(dòng)作,還可實(shí)現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化??梢?,SiC是可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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一篇文章讀懂超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢

  •   平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)   圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻,并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷,這會(huì)增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個(gè)分量之和:   RDS(on) = Rch + Repi + Rsub      圖1:傳統(tǒng)平面式MOSF
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走過疑慮 SiC器件終迎春天

  • 在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后,SiC器件終于迎來了春天。
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智能電網(wǎng)端口保護(hù):這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!

  •   今天,做一個(gè)產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護(hù)方案,特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應(yīng)用的端口保護(hù)設(shè)計(jì),就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn):你需要有大牌的球(yuan)星(jian),還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術(shù),去抵御來自對手的每一次可能的“進(jìn)攻”。這其中的門道兒不少,但也有套路可尋,今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護(hù)界的“豪門”,是怎么玩兒的。  那些明星元件  先來細(xì)數(shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護(hù)元件“球星”,它們大多來自Bourns公司,每顆料都很有“料”。比如:  TBU高速
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英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊,在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號(hào)

  •   效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低:這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。c科技股份公司開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì)上,英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺(tái)和拓?fù)?。如今,英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力。  英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出:“碳化硅已達(dá)到轉(zhuǎn)折點(diǎn),考慮到成本效益,它
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1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

  • SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當(dāng)然,要進(jìn)行大批量生產(chǎn),逆變器除了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能之外,還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃?,以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等??膳cIGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電壓,以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
  • 關(guān)鍵字: 電源轉(zhuǎn)換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707  

英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊,在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號(hào)

  •   效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低:這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì)上,英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺(tái)和拓?fù)?。如今,英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?! ∮w凌工業(yè)功率控
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三菱電機(jī)攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

  •   三菱電機(jī)于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì))展會(huì)中,以十款新型功率器件強(qiáng)勢登場,其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機(jī)展位號(hào):E06)?! ∪怆姍C(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題,今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域,包括:變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電,致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。  變頻家電市場  在變頻家電應(yīng)用方面,三菱電機(jī)展出
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電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化

  • 全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格,對于電源設(shè)計(jì)工程師,如何設(shè)計(jì)更高效率、更高性能的電源是一個(gè)永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
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SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案設(shè)計(jì)

  • 人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
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基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案

  • 人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何
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碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

  • 功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一,在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定,能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費(fèi)類產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)的區(qū)別

  • 實(shí)際上就是三極管比較便宜,用起來方便,常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合,普通應(yīng)用的先考慮用三極管,不行的話考慮MOS管
  • 關(guān)鍵字: 三極管  MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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