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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅！

格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn)

  • 12月18日消息，格力電器董事長(zhǎng)董明珠日前在《珍知酌見(jiàn)》欄目中表示，格力芯片成功了。據(jù)董明珠介紹，格力在芯片領(lǐng)域從自主研發(fā)、自主設(shè)計(jì)、自主制造到整個(gè)全產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)完成。據(jù)報(bào)道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設(shè)的碳化硅芯片工廠。該項(xiàng)目于2022年12月開(kāi)始打樁建設(shè)，2023年4月開(kāi)始鋼結(jié)構(gòu)吊裝，當(dāng)年10月設(shè)備移入，12個(gè)月實(shí)現(xiàn)通線。項(xiàng)目規(guī)劃占地面積600畝，包含芯片工廠、封測(cè)工廠以及配套的半導(dǎo)體檢測(cè)中心和超級(jí)能源站。值得一提的是，該項(xiàng)目關(guān)鍵核心工藝國(guó)產(chǎn)化設(shè)備導(dǎo)入率超過(guò)70%，據(jù)稱(chēng)是全球第二組、亞洲第一座全自
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博世將獲美芯片補(bǔ)貼擴(kuò)產(chǎn)SiC半導(dǎo)體

  • 據(jù)媒體報(bào)道，美國(guó)商務(wù)部13日宣布，已與德國(guó)汽車(chē)零部件供應(yīng)商博世達(dá)成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補(bǔ)貼，用于在加州生產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。據(jù)悉，這筆資金將支持博世計(jì)劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體。此外，美國(guó)商務(wù)部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計(jì)劃于 2026 年開(kāi)始生產(chǎn) SiC 芯片，據(jù)估計(jì)，該項(xiàng)目一旦全面投入運(yùn)營(yíng)，可能占美國(guó)SiC制造產(chǎn)能的40%以上。
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雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車(chē) 電源控制系統(tǒng)

  • ●? ?意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全●? ?合作開(kāi)發(fā)逆變器電源控制系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)，進(jìn)一步提高安培新一代電機(jī)的能效水平●? ?該協(xié)議符合安培與供應(yīng)鏈上游企業(yè)合作，為其每一項(xiàng)電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)設(shè)計(jì)最佳解決方案的策略雷諾集團(tuán)旗下純智能電動(dòng)汽車(chē)制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動(dòng)，雷諾集
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引入碳化硅技術(shù)，采埃孚在華第3家電驅(qū)動(dòng)工廠開(kāi)業(yè)

  • 據(jù)采埃孚官微消息，采埃孚又一電驅(qū)動(dòng)工廠—采埃孚電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)（沈陽(yáng)）有限公司近日開(kāi)業(yè)。作為采埃孚在華的第3家電驅(qū)動(dòng)工廠，沈陽(yáng)工廠將生產(chǎn)和銷(xiāo)售新能源汽車(chē)電驅(qū)動(dòng)橋三合一總成等產(chǎn)品。據(jù)介紹，沈陽(yáng)電驅(qū)動(dòng)工廠的主打產(chǎn)品為新能源汽車(chē)的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機(jī)、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術(shù)，圍繞800伏平臺(tái)持續(xù)升級(jí)，既可以提升安全等級(jí)又可以?xún)?yōu)化成本。截至目前，采埃孚在中國(guó)共有3家電驅(qū)動(dòng)工廠。2022年9月，采埃孚電驅(qū)動(dòng)技術(shù)（杭州）有限公司二期項(xiàng)目投產(chǎn)，主要生產(chǎn)800伏
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手搓了一個(gè)3kW碳化硅電源！實(shí)測(cè)一下！

  • 做了一個(gè)3KW碳化硅電源！(全稱(chēng)：碳化硅3KW圖騰柱PFC)它能起到什么作用？具體參數(shù)是（第1章）？怎么設(shè)計(jì)出來(lái)的（第2章）？實(shí)測(cè)情況（第3章）？原理是（第4章）？開(kāi)源網(wǎng)址入口（第5章）？下文一一為你解答！1.基礎(chǔ)參數(shù)雙主控設(shè)計(jì)：CW32+IVCC1102輸入：AC 110V~270V 20Amax輸出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W設(shè)計(jì)功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作為3KW LLC電源或者全橋可調(diào)電源的前級(jí)PFC環(huán)節(jié)；② 
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基本半導(dǎo)體完成股份改制，正式更名

  • 為適應(yīng)公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，經(jīng)深圳市市場(chǎng)監(jiān)督管理局核準(zhǔn)，深圳基本半導(dǎo)體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù)，公司名稱(chēng)正式變更為“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導(dǎo)體發(fā)展的重要里程碑，標(biāo)志著公司治理結(jié)構(gòu)、經(jīng)營(yíng)機(jī)制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)將統(tǒng)一采用新名稱(chēng)“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。公司注冊(cè)地址變更至青銅劍科技集團(tuán)總部大樓，詳細(xì)地址為：深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號(hào)青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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碳化硅6吋基板供過(guò)于求 價(jià)格崩盤(pán)

  • 碳化硅（SiC）6吋基板新產(chǎn)能大量開(kāi)出，嚴(yán)重供過(guò)于求，報(bào)價(jià)幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國(guó)大陸制造成本價(jià)），第四季價(jià)格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出，價(jià)格崩盤(pán)已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢(qián)銷(xiāo)售，而買(mǎi)家不敢輕易出手撿便宜，因?yàn)橘I(mǎi)方預(yù)期SiC價(jià)格還會(huì)再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產(chǎn)，但2024年報(bào)價(jià)已快速下滑，尤其是中國(guó)大陸價(jià)格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業(yè)者分析，8吋SiC基板并沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格，供應(yīng)鏈端仍屬于試產(chǎn)階段，供給
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聚焦碳化硅項(xiàng)目，鉅芯半導(dǎo)體等三方達(dá)成合作

  • 據(jù)“融中心”消息，大連市中韓經(jīng)濟(jì)文化交流協(xié)會(huì)、韓中文化協(xié)會(huì)及安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：鉅芯半導(dǎo)體）在安徽省池州市舉行了一場(chǎng)簽約儀式。此次簽約標(biāo)志著三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開(kāi)始。據(jù)悉，三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車(chē)空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開(kāi)，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。據(jù)了解，今年以來(lái)，部分韓國(guó)半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進(jìn)展。據(jù)韓媒ETnews報(bào)道，今年3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布，已在韓國(guó)首次成功開(kāi)發(fā)出2
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高功率SiC模塊助力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)軌道交通

  • 國(guó)際能源署（IEA）今年發(fā)布的報(bào)告稱(chēng)，2023年全球與能源相關(guān)的二氧化碳排放量達(dá)到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創(chuàng)新的記錄。其中，交通運(yùn)輸排放增長(zhǎng)最為顯著，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對(duì)于由可再生能源發(fā)電驅(qū)動(dòng)的電氣化列車(chē)，這一比率則更低。因此，擴(kuò)建軌道交通基礎(chǔ)設(shè)施及電氣化改造是減少CO2排放和實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵。與電動(dòng)汽車(chē)不同的是，電力機(jī)車(chē)已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內(nèi)的軌道交通電氣化轉(zhuǎn)型仍然方興未艾，不同國(guó)家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
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劍指8英寸碳化硅！兩大廠官宣合作

  • 9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，雙方將共同開(kāi)發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開(kāi)發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型據(jù)悉，Soitec擁有一種獨(dú)有的SmartSiC?技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個(gè)碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個(gè)高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠，生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

  • 美國(guó)和印度達(dá)成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導(dǎo)體制造廠，助力印度總理莫迪加強(qiáng)該國(guó)制造業(yè)的雄心計(jì)劃。據(jù)白宮消息人士稱(chēng)，擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體，這是美國(guó)總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會(huì)晤后發(fā)布的。消息人士稱(chēng)，該工廠的建立將得到印度半導(dǎo)體計(jì)劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國(guó)太空部隊(duì)之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國(guó)及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機(jī)會(huì)提供了新的關(guān)注點(diǎn)。在過(guò)去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國(guó)的替代品，并
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EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案

  • 幾十年來(lái)，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費(fèi)者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開(kāi)關(guān)，便能暢通無(wú)阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬(wàn)戶(hù)。然而，隨著太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長(zhǎng)，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對(duì)新的挑戰(zhàn)（包括整合儲(chǔ)能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)解決方案，共同應(yīng)對(duì)儲(chǔ)能挑戰(zhàn)。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強(qiáng)大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)比以往任何時(shí)
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EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案

  • 幾十年來(lái)，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費(fèi)者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開(kāi)關(guān)，便能暢通無(wú)阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬(wàn)戶(hù)。然而，隨著太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長(zhǎng)，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對(duì)新的挑戰(zhàn)（包括整合儲(chǔ)能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)解決方案，共同應(yīng)對(duì)儲(chǔ)能挑戰(zhàn)。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強(qiáng)大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)比以往任何時(shí)候
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8英寸碳化硅時(shí)代呼嘯而來(lái)！

  • 近日，我國(guó)在8英寸碳化硅領(lǐng)域多番突破，中國(guó)電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級(jí)，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付，天岳先進(jìn)8英寸碳化硅襯底批量銷(xiāo)售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時(shí)代已呼嘯而來(lái)，未來(lái)將會(huì)有更多廠商帶來(lái)新的產(chǎn)品和技術(shù)，我們拭目以待。關(guān)鍵突破！中國(guó)電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級(jí)近日，中國(guó)電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。圖片來(lái)源：中國(guó)電科據(jù)中國(guó)電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導(dǎo)體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級(jí)”的8英寸碳化硅外延
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我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

  • 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱(chēng)國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  mosfet  第三代半導(dǎo)體  寬禁帶  
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碳化硅！介紹

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