碳化硅! 文章 進入碳化硅!技術(shù)社區(qū)
意法半導體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場
- 2023年12月22日,中國北京-服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM),與設計、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET,支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。隨著汽車行業(yè)電動化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入,高壓純電動車因其能效更高、續(xù)航里程更遠,已成為汽車制
- 關鍵字: 意法半導體 碳化硅 理想汽車 高壓純電動車
8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目順利通過中期驗收
- 據(jù)科友半導體官微消息,12月10日,“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上,以黑龍江省科學院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認為,科友半導體圓滿完成了計劃任務書2023年度階段任務,成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術(shù)和新工藝,建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程,制定了相關工藝流程的作業(yè)指導書,一致同意項目通過階段驗收評審。據(jù)了解,8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目,由哈爾濱科友半導體承擔,旨在推動8英寸碳化硅裝備國
- 關鍵字: 碳化硅 科友半導體 第三代半導體材料
碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用
- 三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器,其基本原理就是SPWM,硬件架構(gòu)為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路,橋式輸出至負載間串接低通濾波元件,控制回路具有兩個信號產(chǎn)生源,一個是固定幅值的三角波(調(diào)制波)發(fā)生器,一個為正弦波發(fā)生器,利用三角波對正弦波進行調(diào)制,就會得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列,調(diào)制比不同,一個正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率)。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路,在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相,
- 關鍵字: RS瑞森半導體 碳化硅 MOS管
意法半導體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠
- 12月1日消息,近日,據(jù)外媒報道,意法半導體(STMicroelectronics)將于意大利西西里島Catane投資50億歐元,新建一座碳化硅、超級半導體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)碳化硅芯片,為電動車關鍵技術(shù)并具強大成長潛力。報道稱,此舉是意法半導體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計劃后為平衡集團在意法兩國布屬所為。值得一提的是,今年6月,意法半導體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè),預計2025年第四季度投產(chǎn),預計到2030年碳化硅收入將超過50億美元。
- 關鍵字: 意法半導體 ST 格芯 晶圓廠 碳化硅 電動車
英飛凌已開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片
- 11月28日消息,據(jù)外媒報道,日前,英飛凌綠色工業(yè)動力部門(GIP)總裁Peter Wawer在受訪時透露,英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示,英飛凌目前使用6英寸晶圓,但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品,很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品,并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應用。在產(chǎn)能方面,英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠(在2022年2月宣布的原始投資之上)獲得更多產(chǎn)能,信息稱,英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC(碳化硅)功率工廠。值得一提的是該計劃
- 關鍵字: 英飛凌 碳化硅 晶圓
Omdia:人工智能將在電動汽車革命中超越下一代半導體
- 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預測電動汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導體激增,電力半導體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會產(chǎn)生類似的影響?功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示:“長期以來依賴硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設備的挑戰(zhàn)和推動。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的開發(fā)始于上個世紀,但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運動相匹配,新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升。”2018 年,特斯拉首次
- 關鍵字: 新能源 氮化鎵 碳化硅
氮化鎵取代碳化硅,從PI開始?
- 在功率器件選擇過程中,以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視,在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升,但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同?Power Intergrations(PI)資深培訓經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品,詳細解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣,以及PI對于三種產(chǎn)品未來的判斷,同時還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點及優(yōu)勢。在功率器件選擇過程中,以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視,在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
- 關鍵字: PI 氮化鎵 碳化硅
Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨,2023年11月6日:基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系,共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅(SiC)整流器模塊,適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用,以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發(fā)布將進一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關系。 制造商對下一代功率應用的關鍵需求是節(jié)省空間和減輕
- 關鍵字: Nexperia KYOCERA 功率應用 650 V 碳化硅 整流二極管
2023年慕尼黑華南電子展:EEPW&應能微電子(深圳)有限公司
- 應能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設計、制造和銷售的半導體技術(shù)公司。應能成立于2012年,其核心團隊來自美國硅谷,全產(chǎn)品線皆為自研產(chǎn)品,目前已有500多款產(chǎn)品,90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應能微的半導體芯片應用市場包括快速增長的消費電子 (智能手機、計算機、平板電腦、高清電視、機頂盒等) ,并在通訊、安防、工業(yè)和汽車上均有廣泛的應用。應能微銷售總監(jiān)曾總表示,其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關鍵性能指標上表現(xiàn)出色,硅基MOSFET產(chǎn)品
- 關鍵字: 應能微電子 接口保護器件 碳化硅
東風首批自主碳化硅功率模塊下線
- 11月2日消息,據(jù)“智新科技”官微消息,近日,首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導體二期產(chǎn)線順利下線,完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù),使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上,工作溫度可達175℃,損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上,整車續(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉,智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺,項目于2021年進行前期先行開發(fā),2022年12月正式立項為量產(chǎn)
- 關鍵字: IGBT 碳化硅 東風 智新半導體
滿足市場對下一代碳化硅器件的需求
- 一些新出現(xiàn)的應用使地球的未來充滿了激動人心的可能性,但同時也是人類所面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)之一。例如,雖然太陽能可以提供無限的能源,但要想成功商業(yè)化,設計人員必須提供更高的功率和效率,同時不增加成本或尺寸。在汽車領域,目前電動汽車 (EV) 已經(jīng)非常普及,但由于人們擔心可用充電基礎設施、充電所需時間和續(xù)航里程有限等問題,電動汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下,設計人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動力總成的尺寸和重量,包括主驅(qū)逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件,并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢硅
- 關鍵字: 安森美 碳化硅
通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統(tǒng)
- 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量,這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時,就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結(jié)構(gòu),然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案,可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案,改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種,分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外,鋰離子電池技術(shù)成熟,因
- 關鍵字: 202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統(tǒng)
中芯集成正式設立碳化硅公司,上汽/立訊精密/寧德時代等現(xiàn)身股東榜
- 10月25日,中芯集成發(fā)布公告稱,新設立合資公司芯聯(lián)動力科技(紹興)有限公司(以下簡稱“芯聯(lián)動力”)已完成了工商注冊登記手續(xù),并取得紹興市越城區(qū)市場監(jiān)督管理局核發(fā)的《營業(yè)執(zhí)照》。根據(jù)中芯集成公告,芯聯(lián)動力將運營碳化硅(SiC)業(yè)務項目,注冊資本人民幣5億元,中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元,占注冊資本總額51.00%。基于合資公司的股權(quán)結(jié)構(gòu),合資公司將被納入公司合并報表范圍,系公司控股子公司。從投資股東上看,芯聯(lián)動力創(chuàng)始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團旗
- 關鍵字: 中芯集成 碳化硅
碳化硅!介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅!!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅!的理解,并與今后在此搜索碳化硅!的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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