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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅!

碳化硅擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷,瑞薩、X-FAB跟進(jìn)

  • 近期,一眾國(guó)內(nèi)廠商擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購(gòu)了美國(guó)半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴(kuò)大自己的SiC產(chǎn)品組合;安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片;SK集團(tuán)宣布,旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行,將正式量產(chǎn)碳化硅,產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍。除此之外,據(jù)外媒報(bào)道,日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國(guó)晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃。其中,瑞薩電子將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC)來(lái)降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報(bào)道指出,按照計(jì)劃,瑞薩電子擬在目
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英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

  • 近兩年新能源汽車(chē)和光伏儲(chǔ)能市場(chǎng)的火熱,讓半導(dǎo)體供應(yīng)上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應(yīng)更加緊俏。最近幾年用戶(hù)對(duì)SiC的使用更有經(jīng)驗(yàn),逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn),正在SiC使用量增大的階段,卻面臨了整個(gè)市場(chǎng)的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素,目前前道是最大的瓶頸,特別是前道的“最前端” ,SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴(yán)重的材料。面對(duì)這種問(wèn)題,作為功率半導(dǎo)體的領(lǐng)頭羊英飛凌又有哪些舉措呢?一方面,英飛凌與多家晶圓廠簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議推動(dòng)其碳化硅(SiC)供應(yīng)商體系多元化,保
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碳化硅功率器件的應(yīng)用機(jī)會(huì)及未來(lái)

賓夕法尼亞州立大學(xué)與安森美簽署碳化硅諒解備忘錄

  • 2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學(xué)與智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU),旨在開(kāi)展一項(xiàng)總額達(dá) 800 萬(wàn)美元的戰(zhàn)略合作,其中包括在賓夕法尼亞州立大學(xué)材料研究所 (MRI) 開(kāi)設(shè)安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來(lái) 10 年,安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬(wàn)美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)?wèi)c祝簽署諒解備忘錄 (MOU),開(kāi)展總額達(dá) 800 萬(wàn)美元的戰(zhàn)略合作,其中包
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基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線

  • 4月24日,基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。此次車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線的成功通線,是基本半導(dǎo)體打造國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領(lǐng)先企業(yè)的一大重要戰(zhàn)略布局。據(jù)官微介紹,基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線項(xiàng)目獲得國(guó)家工信部的產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項(xiàng)支持,并連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項(xiàng)目,廠區(qū)面積13000平方米,配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專(zhuān)業(yè)設(shè)備,主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等,產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬(wàn)輛新能源汽車(chē)的相關(guān)芯片需求。項(xiàng)目通過(guò)打造垂直整合制造模式,加快設(shè)計(jì)、制造共同迭代
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電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進(jìn)展

  • 近日,電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展,6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實(shí)現(xiàn)大幅提升。碳化硅外延片,指在碳化硅襯底上生長(zhǎng)了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片,是用于制造高性能半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續(xù)布局第三代半導(dǎo)體外延材料研發(fā)生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)一系列技術(shù)突破,在碳化硅外延領(lǐng)域,完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時(shí),積極與國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商合作開(kāi)發(fā)生產(chǎn)裝備,推動(dòng)碳化硅核心裝備國(guó)產(chǎn)化。未來(lái),電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破,推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
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三次油電平價(jià) 促成中國(guó)電動(dòng)市場(chǎng)的大爆發(fā)

  • 大家應(yīng)該還記得,當(dāng)遭受?chē)?guó)補(bǔ)退坡重創(chuàng)的電動(dòng)汽車(chē)于2019-2020年間慢慢恢復(fù)元?dú)猓_(kāi)始走出國(guó)補(bǔ)退坡的陰影時(shí),市面上開(kāi)始出現(xiàn)了一些在性能上追平甚至超越傳統(tǒng)燃油車(chē)的電動(dòng)汽車(chē),當(dāng)時(shí)的電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)呈現(xiàn)出來(lái)的是典型的啞鈴型結(jié)構(gòu):便宜的A00級(jí)車(chē)型和30萬(wàn)以上的高端車(chē)型(包括部分B級(jí)車(chē)和C級(jí)車(chē))賣(mài)得很好,但在10-30萬(wàn)的主流區(qū)間,電動(dòng)車(chē)企的表現(xiàn)一直比較慘淡。這種市場(chǎng)格局在2016-2021國(guó)內(nèi)乘用車(chē)分級(jí)別電動(dòng)化率走勢(shì)圖上一展無(wú)遺,歷時(shí)五年的時(shí)間,A00車(chē)已經(jīng)達(dá)到了90%以上的滲透率。這兩年來(lái),市場(chǎng)格局風(fēng)云變幻,正如歐
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特斯拉虛晃一槍?zhuān)蓟韪咚龠~進(jìn)

  • 被稱(chēng)為“未來(lái)十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅(qū)平臺(tái)再被關(guān)注,在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風(fēng)暴下,業(yè)界在一次次的探討中,逐步廓清了碳化硅未來(lái)使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動(dòng)新品發(fā)布會(huì),并發(fā)布了聚焦動(dòng)力域的“DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺(tái)”以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡(luò)解決方案。其中,DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺(tái)主要包括面向B/B+級(jí)純電、B/B+級(jí)增程混動(dòng),以及A級(jí)純電車(chē)型動(dòng)力總成解決方案,目標(biāo)是不斷提升整車(chē)度電里程和升油里程
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特斯拉降低造車(chē)成本,國(guó)內(nèi)新能源車(chē)企如何實(shí)現(xiàn)“價(jià)格戰(zhàn)”突圍?

  • 在國(guó)內(nèi)新能源車(chē)市場(chǎng),特斯拉稱(chēng)得上是最大的“鯰魚(yú)”,一舉一動(dòng)總能攪動(dòng)起不小的“水花”。近日,“鯰魚(yú)”特斯拉在其投資者活動(dòng)日上公開(kāi)了備受期待的“秘密宏圖第三篇章(Master Plan Part 3)”,其中一句“下一代平臺(tái)將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊,引發(fā)A股碳化硅中的個(gè)股集體跳水。近兩年,碳化硅在新能源汽車(chē)中占據(jù)著重要位置,相關(guān)概念在資本市場(chǎng)上也一度受到熱捧,更具戲劇性的是,特斯拉正是推動(dòng)碳化硅上車(chē)的“先驅(qū)”。如今,特斯拉對(duì)碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉(zhuǎn),背后的真實(shí)意圖是什么?將會(huì)對(duì)國(guó)內(nèi)新能
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采埃孚、意法半導(dǎo)體簽下碳化硅模塊供應(yīng)長(zhǎng)約

  • 據(jù)外媒報(bào)道,知名汽車(chē)電子廠商采埃孚(ZF)近日宣布將從意法半導(dǎo)體(ST)采購(gòu)碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報(bào)道涉及供應(yīng)數(shù)量達(dá)數(shù)百萬(wàn)的SiC模塊。報(bào)道稱(chēng),到2030年,采埃孚在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的訂單總額預(yù)計(jì)將超過(guò)300億歐元,公司高管Stephan von Schuckmann表示,為了應(yīng)對(duì)蓬勃增長(zhǎng)的需求,采埃孚需要多家可靠的SiC供應(yīng)商?!霸? 意法半導(dǎo)體,我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應(yīng)商,其在復(fù)雜系統(tǒng)方面的經(jīng)驗(yàn)符合我們的要求,最重要的是,該供應(yīng)商能夠以極高質(zhì)量和所需數(shù)量生產(chǎn)模塊?!币夥ò雽?dǎo)體汽車(chē)和分立
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頭部企業(yè)再簽供貨長(zhǎng)約,全球碳化硅市場(chǎng)高速成長(zhǎng)

  • 據(jù)外媒報(bào)道,近日,德國(guó)汽車(chē)Tier-1廠商采埃孚(ZF)和功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體(ST)共同發(fā)布新聞稿稱(chēng),雙方簽訂了車(chē)用碳化硅多年采購(gòu)合同。根據(jù)合同條款,采埃孚將自2025年起向ST采購(gòu)數(shù)千萬(wàn)顆第三代SiC MOSFET器件,滿(mǎn)足汽車(chē)逆變器對(duì)車(chē)規(guī)級(jí)SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構(gòu),這些SiC器件將集成到該平臺(tái)中。截至目前,采埃孚的在手訂單(到2023年)金額總計(jì)超過(guò)300億歐元(約合人民幣2274億元),其中一個(gè)汽車(chē)逆變器訂單來(lái)自歐洲一家車(chē)企,該車(chē)企計(jì)劃2025年
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碳化硅風(fēng)頭正勁,小心!氧化鎵蓄勢(shì)待發(fā)

  • 近期,媒體報(bào)道進(jìn)化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉,進(jìn)化半導(dǎo)體是以國(guó)際首創(chuàng)無(wú)銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè),創(chuàng)立于2021年5月,專(zhuān)注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。稍早之前,鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬(wàn)天使輪融資。該公司是一家專(zhuān)注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。為滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的多元需求,半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料,以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料,發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體
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汽車(chē)結(jié)構(gòu)性缺芯 國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體有望四季度“上車(chē)”

  • 4月7日,中國(guó)汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長(zhǎng)沙成立,將加快汽車(chē)功率芯片的國(guó)產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車(chē)功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間,第一財(cái)經(jīng)記者獲悉,汽車(chē)結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)機(jī)會(huì),降本提質(zhì)是國(guó)產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車(chē)”的關(guān)鍵;三安光電用于電動(dòng)車(chē)主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車(chē)”。  汽車(chē)結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)機(jī)會(huì)  有行業(yè)專(zhuān)家向第一財(cái)經(jīng)記者表示,一輛電動(dòng)車(chē)如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體,功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。奇瑞汽車(chē)研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財(cái)經(jīng)記者
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET

  • 【2023 年 4 月 13 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿(mǎn)足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車(chē) (EV) 電池充電器等應(yīng)用,對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作,同時(shí)維持低導(dǎo)
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貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

  • 2023年4月12日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM),以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供高可靠性和高性能??稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV),1700V NTH4L028N170M1
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碳化硅!介紹

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