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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅！

碳化硅下游市場(chǎng)需求旺盛 企業(yè)紛紛擴(kuò)張產(chǎn)能加速出貨

  • 隨著碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車(chē)、新能源等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)。近期，一批碳化硅項(xiàng)目集中開(kāi)工，部分公司接到批量訂單，推動(dòng)了碳化硅加速量產(chǎn)。傳播星球App聯(lián)合創(chuàng)始人由曦向《證券日?qǐng)?bào)》記者介紹，碳化硅的應(yīng)用場(chǎng)景主要包括電動(dòng)汽車(chē)、光伏發(fā)電、充電樁、電力電子等領(lǐng)域。近年來(lái)，我國(guó)在碳化硅領(lǐng)域的研究和應(yīng)用取得快速發(fā)展，一些項(xiàng)目已經(jīng)落地實(shí)施。例如，在新能源汽車(chē)的高壓充電技術(shù)方面，碳化硅作為其中的關(guān)鍵材料，其需求正日益增長(zhǎng)?！疤蓟枳鳛橐环N優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、導(dǎo)熱好、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，是實(shí)現(xiàn)高壓快充技
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碳化硅熱度，只增不減

  • 在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢(shì)中的一個(gè)反例。隨著電動(dòng)汽車(chē)功率半導(dǎo)體價(jià)值量的提升，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體正在逆勢(shì)而上。需求殷切令各路廠商競(jìng)相投資擴(kuò)大產(chǎn)能，并且在未來(lái)的五年里，它的熱度只會(huì)增不會(huì)減。這一趨勢(shì)在最近兩年碳化硅行業(yè)的投資并購(gòu)動(dòng)作中也可窺見(jiàn)一二。國(guó)內(nèi)上半年融資創(chuàng)三年之最2021 年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機(jī)構(gòu)的青睞，相繼宣布完成融資，行業(yè)內(nèi)也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購(gòu)金額達(dá)到 21.32 億元，數(shù)量達(dá)到 15 起。2022 年也是碳化
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安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元

  • 2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統(tǒng)的效率

  • 全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場(chǎng)能源革命。根據(jù)國(guó)際能源署的報(bào)告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長(zhǎng)量的大約 95%。太陽(yáng)能將占到這 95% 中的一半以上。如今，在遠(yuǎn)大的清潔能源目標(biāo)和政府政策的驅(qū)動(dòng)下，太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 基礎(chǔ)設(shè)施和儲(chǔ)能領(lǐng)域不斷加快采用可再生能源?？稍偕茉吹闹饾u普及也為在工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用中部署功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了更多機(jī)會(huì)。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件，可幫助設(shè)計(jì)人員平衡四大性能指標(biāo)：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比傳統(tǒng)基于 IGBT 的電源應(yīng)用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)
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具有更高效率與優(yōu)勢(shì)的碳化硅技術(shù)

  • 碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢(shì)與在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）上的應(yīng)用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。大幅降低儲(chǔ)能系統(tǒng)成本與提升效率的SiC技術(shù)當(dāng)前的SiC技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟，可以適用在從千瓦到兆瓦功率的工業(yè)應(yīng)用范圍中，影響了能源、工業(yè)和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。由于SiC器件運(yùn)作時(shí)的溫度較低，及較小的
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228億涌入國(guó)內(nèi)碳化硅賽道

意法半導(dǎo)體、三安光電將成立碳化硅合資制造廠

  • ·? ?意法半導(dǎo)體和三安光電將成立一家合資制造廠，進(jìn)行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規(guī)模量產(chǎn)·? ?該合資廠將有助于滿(mǎn)足中國(guó)汽車(chē)電氣化、工業(yè)電力和能源等應(yīng)用對(duì)意法半導(dǎo)體 SiC器件日益增長(zhǎng)的需求·? ?三安光電還將單獨(dú)建造一個(gè)8英寸 SiC襯底制造廠，以滿(mǎn)足該合資廠的襯底需求?2023年6月7日，中國(guó) -- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：ST
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

  • ?·?????? 緯湃科技正在鎖定價(jià)值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產(chǎn)能·?????? 緯湃科技通過(guò)向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產(chǎn)能投資，獲得這一關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)電氣化的強(qiáng)勁增長(zhǎng)·?????? 除了產(chǎn)能投資外，兩家公司還將在進(jìn)一步優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng)方面達(dá)成合作?2023年
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中國(guó)電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過(guò)技術(shù)鑒定

  • 近日，中國(guó)電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應(yīng)用”成功通過(guò)技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì)認(rèn)為，該項(xiàng)目技術(shù)難度大，創(chuàng)新性顯著，總體技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。該項(xiàng)目聚焦新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芨呖煽刻蓟鐼OSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求，突破多項(xiàng)關(guān)鍵工藝技術(shù)，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺(tái)，國(guó)內(nèi)率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實(shí)現(xiàn)新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
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碳化硅擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進(jìn)

  • 近期，一眾國(guó)內(nèi)廠商擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購(gòu)了美國(guó)半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴(kuò)大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團(tuán)宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍。除此之外，據(jù)外媒報(bào)道，日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國(guó)晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃。其中，瑞薩電子將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來(lái)降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報(bào)道指出，按照計(jì)劃，瑞薩電子擬在目
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英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

  • 近兩年新能源汽車(chē)和光伏儲(chǔ)能市場(chǎng)的火熱，讓半導(dǎo)體供應(yīng)上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應(yīng)更加緊俏。最近幾年用戶(hù)對(duì)SiC的使用更有經(jīng)驗(yàn)，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個(gè)市場(chǎng)的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴(yán)重的材料。面對(duì)這種問(wèn)題，作為功率半導(dǎo)體的領(lǐng)頭羊英飛凌又有哪些舉措呢？一方面，英飛凌與多家晶圓廠簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議推動(dòng)其碳化硅（SiC）供應(yīng)商體系多元化，保
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碳化硅功率器件的應(yīng)用機(jī)會(huì)及未來(lái)

賓夕法尼亞州立大學(xué)與安森美簽署碳化硅諒解備忘錄

  • 2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學(xué)與智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開(kāi)展一項(xiàng)總額達(dá) 800 萬(wàn)美元的戰(zhàn)略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學(xué)材料研究所 (MRI) 開(kāi)設(shè)安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來(lái) 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬(wàn)美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)?wèi)c祝簽署諒解備忘錄 (MOU)，開(kāi)展總額達(dá) 800 萬(wàn)美元的戰(zhàn)略合作，其中包
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基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線

  • 4月24日，基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。此次車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線的成功通線，是基本半導(dǎo)體打造國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領(lǐng)先企業(yè)的一大重要戰(zhàn)略布局。據(jù)官微介紹，基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線項(xiàng)目獲得國(guó)家工信部的產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項(xiàng)支持，并連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項(xiàng)目，廠區(qū)面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專(zhuān)業(yè)設(shè)備，主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬(wàn)輛新能源汽車(chē)的相關(guān)芯片需求。項(xiàng)目通過(guò)打造垂直整合制造模式，加快設(shè)計(jì)、制造共同迭代
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電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進(jìn)展

  • 近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實(shí)現(xiàn)大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長(zhǎng)了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續(xù)布局第三代半導(dǎo)體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)一系列技術(shù)突破，在碳化硅外延領(lǐng)域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時(shí)，積極與國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商合作開(kāi)發(fā)生產(chǎn)裝備，推動(dòng)碳化硅核心裝備國(guó)產(chǎn)化。未來(lái)，電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
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碳化硅！介紹

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