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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅！

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

  • 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
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SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

  • 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
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SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

  • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
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什么是碳化硅？SiC的特性和特征

  • 碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
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ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

  • 意法半導體（ST）作為全球領(lǐng)先的汽車半導體供應商之一，多年前就開始布局新能源汽車領(lǐng)域，在2019年正式成立新能源車技術(shù)創(chuàng)新中心，推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā)，滿足ASIL D等級。基于AutoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法，為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利，大大縮短了整個研發(fā)周期。
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ST第三代碳化硅技術(shù)問世 瞄準汽車與工業(yè)市場應用

  • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù)，圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領(lǐng)域來說，如果能將電力利用效率提升1%，
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躋身第三代半導體市場 ST助力全球碳中和

  • 　　隨著第三代半導體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定，應用在工業(yè)和電動汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導體行業(yè)中的佼佼者，意法半導體同樣重視第三代半導體帶來的優(yōu)勢作用，推出了有關(guān)氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動了第三代半導體在電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域上的應用發(fā)展。2022年2月意法半導體召開媒體交流會，介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下，如何通過創(chuàng)新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻?！　?jù)調(diào)查，工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%，就能節(jié)約95.6億千瓦時的能源。這意味著節(jié)約了
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Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)IC

三安集成：碳化硅車規(guī)產(chǎn)品“上車”，湖南基地實現(xiàn)規(guī)模交付

  • 新年第一個月，中國首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺 -- 湖南三安“喜提”多個好消息。長沙制造碳化硅二極管量產(chǎn)出貨并順利通過客戶驗證，車規(guī)級二極管接連獲得汽車行業(yè)客戶訂單。新能源汽車迎來“碳化硅元年”，湖南三安駛?cè)氚l(fā)展快車道在化石燃料資源和環(huán)境問題面前，各國都發(fā)布了“雙碳”計劃。歐盟各國決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車，拜登政府也計劃拿出超過600億美元用于推動家用車和公交車的電動化，日本則是通過提高行業(yè)燃油經(jīng)濟性標準以促進新能源車普及。碳化硅功率器件以其出色的能源轉(zhuǎn)換效率，在充電樁、車載充電
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深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng)新合作

  • 11月27日， 由中國科學技術(shù)協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦，由中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務中心、深圳市科學技術(shù)協(xié)會承辦、深圳市科技交流服務中心、深圳基本半導體有限公司、深圳中歐創(chuàng)新中心執(zhí)行的“2021中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”專業(yè)論壇——“2021中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳隆重舉行。論壇上，來自國內(nèi)及英國、法國、比利時等國際知名的科學家、科技組織、科研院校、行業(yè)協(xié)會、半導體企業(yè)及投資機構(gòu)等泛第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的代表參與大會，共同探討中歐第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應用現(xiàn)況及未來趨勢，并就如何深化“碳中和”目標
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2021基本創(chuàng)新日盛大開啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布

  • 新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標推動下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱，引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命?！皠?chuàng)新為基，創(chuàng)芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕。基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導體產(chǎn)品布局進一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展，受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費等領(lǐng)域以及第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關(guān)注。汽車級全碳化硅功
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

  • 基礎(chǔ)半導體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應用實現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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碳化硅在新能源汽車中的應用現(xiàn)狀與導入路徑

  • 碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢，引領(lǐng)和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產(chǎn)業(yè)成長期過渡的關(guān)鍵階段，汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
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Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關(guān)損耗

  • 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實現(xiàn)安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可降低50%開關(guān)損耗對于碳化硅電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計人員來說，Microchip的Agi
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碳化硅！介紹

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