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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅！

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
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Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關(guān)損耗

  • 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實現(xiàn)安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可降低50%開關(guān)損耗對于碳化硅電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計人員來說，Microchip的Agi
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圖騰柱 PFC 級受益于CoolSiC? MOSFET

  • 無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC） 級可用于滿足嚴格的效率標準，但使用硅 MOSFET 時出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的，而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅（SiC）器件。本文將討論能夠?qū)崿F(xiàn)這些改進的 SiC器件性能參數(shù)。
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意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈

  • 近年隨著電動汽車產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應(yīng)用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
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羅姆為電動汽車充電樁打造高效解決方案

  • 引言全球能源短缺和大氣污染問題日益嚴峻,汽車產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會碳排放、增強國家競爭力的有效手段。作為領(lǐng)先的功率半導體廠商之一,羅姆一直致力于技術(shù)創(chuàng)新,研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時助力全面低碳社會的可持續(xù)發(fā)展?？s短充電時間的高輸出挑戰(zhàn)對電動汽車車主來說,縮短充電時間是非常重要的訴求,而大功率充電是其中關(guān)鍵的支撐技術(shù)。提升續(xù)航距離需要増加電池容量,為縮短充電時間,需要高輸出能力的充電樁,如360kW的充電樁要搭載9個40kW的電源
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意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓

  • 意法半導體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業(yè)客戶的擴產(chǎn)計劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。 意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良，對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
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碳化硅基板及磊晶成長領(lǐng)域 環(huán)球晶布局掌握關(guān)鍵技術(shù)

  • 由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導體的器件，能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導體所不能滿足的諸多優(yōu)點。放眼全球化合物半導體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應(yīng)以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
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三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線

  • 中國化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 --  三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
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“新一輪產(chǎn)業(yè)升級，全球進入第三代半導體時代“

  • 隨著物聯(lián)網(wǎng)，大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動的新計算時代的發(fā)展，對半導體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開始，正在逐漸進入第三代半導體時代。 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質(zhì)半導體材料。已在智能電網(wǎng)，軌道交通，新能源，開關(guān)電源等領(lǐng)域得到了應(yīng)用，展現(xiàn)出了優(yōu)良的性質(zhì)和廣闊的
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安森美全面布局碳化硅市場：汽車、新能源、5G

  • 目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據(jù)各大咨詢機構(gòu)統(tǒng)計，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關(guān)電源等領(lǐng)域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙，以及高電子移動速度和熱導率，讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
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減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

  • 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關(guān)性能，并將開關(guān)損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應(yīng)
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英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應(yīng)用分析

  • 2020年2月，碳化硅的領(lǐng)導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應(yīng)用場景的？下一步產(chǎn)品計劃如何？碳化硅業(yè)的難點在哪里？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū) 開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理 陳清源據(jù)悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
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碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

  • 王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅 （SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導體材料之一，碳化硅 具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產(chǎn)品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市 場經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應(yīng)用 的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)模 式
  • 關(guān)鍵字： 202004  碳化硅  CoolSiC? MOSFET  

GT Advanced Technologies和安森美半導體 簽署生產(chǎn)和供應(yīng)碳化硅材料的協(xié)議

  • GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導體（ON Semiconductor），宣布執(zhí)行一項為期五年的協(xié)議，總價值可達5,000萬美元。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長市場和應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： GT Advanced Technologies  安森美  碳化硅  

碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負

  • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  
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碳化硅！介紹

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