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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅！

Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行時間

  • 近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅(qū)動器，幫助高壓/大功率系統(tǒng)設(shè)計者將電源效率提升4%，優(yōu)于競爭產(chǎn)品；功耗和碳排放減少30%。驅(qū)動器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關(guān)電源，典型應(yīng)用包括太陽能電源逆變器、電機驅(qū)動、電動汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農(nóng)場及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會產(chǎn)生較大噪聲，影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
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意法半導(dǎo)體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購

  • 近日， 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導(dǎo)體行使期權(quán)，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價為1.375億美元，由現(xiàn)金支付。
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科銳與ABB在汽車和工業(yè)領(lǐng)域展開SiC合作

  • 全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳與ABB電網(wǎng)事業(yè)部宣布達(dá)成合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導(dǎo)體市場的采用。協(xié)議內(nèi)容包括在ABB種類齊全的產(chǎn)品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導(dǎo)體，這將助力科銳擴大客戶基礎(chǔ)，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場。
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北京經(jīng)開區(qū)第三代半導(dǎo)體現(xiàn)新突破

  • 一輛新能源汽車、一組高能效服務(wù)器電源，核心功能的實現(xiàn)都離不開電力電子系統(tǒng)中半導(dǎo)體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點，國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體制備技術(shù)。近日，記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“世紀(jì)金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現(xiàn)小批量試產(chǎn)，研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域，實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
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國際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點火試驗成功

  • 近日，隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS（微機電系統(tǒng)）微推力器陣列芯片接受地面點火指令成功點火，在軌驗證了對金牛座納星的姿態(tài)控制技術(shù)。?
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第三代半導(dǎo)體將催生萬億元市場

  • 　　日前，第三屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學(xué)者認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體未來應(yīng)用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導(dǎo)體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口?！　?018年，美國、歐盟等持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)支持力度，國際廠商積極、務(wù)實推進，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應(yīng)用逐漸廣泛。受益于整個半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等積極因素，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是，在材料指標(biāo)、器件性能等方
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中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導(dǎo)體發(fā)展

  • 最近，由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，青銅劍科技、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦，深圳基本半導(dǎo)體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化替代進程，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體開辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
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更高效的半導(dǎo)體材料——碳化硅

  • 在功率電子學(xué)中，半導(dǎo)體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會高得多。巴塞爾大學(xué)的物理學(xué)家，Paul Scherrer研究所和ABB在科學(xué)期刊“應(yīng)用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結(jié)合使用的原因。能源消耗在全球范圍內(nèi)不斷增長，風(fēng)能和太陽能等可持續(xù)能源供應(yīng)變得越來越重要。然而，電力通常遠(yuǎn)離消費者產(chǎn)生。因此，高效的配電和運輸系統(tǒng)與將產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換成交流電的變電站和電力轉(zhuǎn)換器同樣重要。節(jié)省大筆開支現(xiàn)代電力電子設(shè)備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體材料制成的晶體管現(xiàn)在主要基于硅技術(shù)。然而，在硅上使
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安森美為20歲慶生，“高能效電子創(chuàng)新”顯示旺盛活力

  • 1999年從摩托羅拉半導(dǎo)體部剝離時，安森美只是一家年營業(yè)額12億美元的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體供應(yīng)商，2018年已達(dá)到年營收近60億美元，轉(zhuǎn)型成為領(lǐng)先的高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體方案供應(yīng)商。過去的20年，是半導(dǎo)體技術(shù)飛躍發(fā)展的20年，也是并購重組頻繁的20年，很多中小公司在并購浪潮中淹沒了，而安森美卻逐漸壯大，形成了自己的特色和穩(wěn)定的市場。安森美的成功經(jīng)驗是什么？如今的特色和對未來的觀察是什么？近日，安森美半導(dǎo)體戰(zhàn)略、營銷及方案工程高級副總裁David Somo和中國區(qū)銷售副總裁謝鴻裕接受了電子產(chǎn)品世界等媒體的采訪。1 靠創(chuàng)新
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華為出手第三代半導(dǎo)體材料 性能實現(xiàn)千倍提升

  • 華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股達(dá)10%。山東天岳是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
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CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動器創(chuàng)新成果

  • 中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當(dāng)今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應(yīng)用方面，越來越多的人則
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Cree將投資10億美元，擴大SiC（碳化硅）產(chǎn)能

  • 此次產(chǎn)能擴大，將帶來SiC（碳化硅）晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和SiC（碳化硅）材料生產(chǎn)的30倍增長，以滿足2024年之前的預(yù)期市場增長 5年的投資，充分利用現(xiàn)有的建筑設(shè)施North Fab，并整新200mm設(shè)備，建造采用最先進技術(shù)的滿足汽車認(rèn)證的生產(chǎn)工廠 投資：4.5億美元用于North Fab；4.5億美元用于材料超級工廠（mega factory）；1億美元用于伴隨著業(yè)務(wù)增長所需要的其它投入
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碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
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國內(nèi)碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，5G芯片國產(chǎn)化再進一步

  • 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國外壟斷。這標(biāo)志著今后國內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國產(chǎn)材料。
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碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國實現(xiàn)彎道超車？

  • 在現(xiàn)實世界中，沒有人可以和“半導(dǎo)體”撇清關(guān)系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機以及電視等等，都會用到半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個很關(guān)鍵的組成部分，那就是半導(dǎo)體材料。
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碳化硅！介紹

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