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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅！

氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？

  • 伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
  • 關鍵字： 氮化鎵  碳化硅  

中國成功研制國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片 年產(chǎn)7萬片

  • 　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。 　　不久前，中國科學院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達藍光半導體有限公司(以下簡稱天科合達)合作，解決了6英寸擴徑技術和晶片加工技術，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。 　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。 　　第三代半導體材料 　　研究人員告訴記者，上世紀
  • 關鍵字： 碳化硅  晶片  

首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)

  • 　　5月29日，國內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn)，并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品， 成為國內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。 　　據(jù)悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導體材料。碳化硅半導體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。 　　瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
  • 關鍵字： 碳化硅  外延晶片  

三菱電機攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014

  • 　　三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來”為題，攜帶六款全新產(chǎn)品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相。　　今年展出的產(chǎn)品范圍跨越六大領域，包括：工業(yè)應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用?！　≡谛庐a(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應用在工業(yè)驅(qū)動和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
  • 關鍵字： 三菱電機  PCIM  碳化硅  

東芝擴充碳化硅肖特基勢壘二極管系列

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布將擴充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列，為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。
  • 關鍵字： 東芝  碳化硅  

Mouser推出Cree的1200V高頻碳化硅半電橋模塊

  • Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
  • 關鍵字： Mouser  CAS100H12AM1  碳化硅  

Microsemi推出新型SiC肖特基二極管

  • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準廣泛的工業(yè)應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探。
  • 關鍵字： 美高森美  碳化硅  二極管  

天域半導體聯(lián)合中科院發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)

  • 　　記者從東莞市天域半導體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領域，連續(xù)砸進1.8億元，正與中科院半導體研究所聯(lián)合，進行“第三代半導體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國首家、全球第五家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷售的高科技企業(yè)。 　
  • 關鍵字： 天域  半導體  碳化硅  

科銳推出低基面位錯4H碳化硅外延片

  • LED 領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。
  • 關鍵字： 科銳  LED  碳化硅  

科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

  • 　科銳材料產(chǎn)品經(jīng)理 Vijay Balakrishna博士表示：“科銳擁有在碳化硅領域100毫米外延片的強大量產(chǎn)能力。最新的150毫米技術將進一步提升碳化硅晶圓片的標準?？其J的垂直整合能力確保能夠為客戶提供針對高品質(zhì)150毫米碳化硅外延片的完整解決方案，并為電力電子市場的領先企業(yè)提供穩(wěn)定的供貨保障。
  • 關鍵字： 科銳  碳化硅  LED  

科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

  • LED領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質(zhì)、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片?？其J通過推出更大直徑的外延片，從而繼續(xù)引領碳化硅材料市場的發(fā)展。此項最新技術能夠降低設備成本，并能夠利用現(xiàn)有150毫米設備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層，并已開始訂購。
  • 關鍵字： 科銳  LED  碳化硅  

開關電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導體器件

  • 進入21世紀，開關電源技術將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學術各界努...
  • 關鍵字： 開關電源  轉(zhuǎn)換器  碳化硅（SiC）  

具有快速開關和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

  • 由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖，電力電子設備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術是關鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善
  • 關鍵字： VCESAT  1200V  開關  碳化硅    

適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管

  • 功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
  • 關鍵字： 電源應用  碳化硅  肖特基二極管    

瑞薩開發(fā)出低損耗碳化硅（SiC）功率器件

  • 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術，有助于實現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。
  • 關鍵字： 瑞薩  半導體  碳化硅  
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碳化硅！介紹

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