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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅！

意法半導(dǎo)體與賽米控合作,在下一代電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術(shù)

  • 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動(dòng)汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術(shù)。該供貨協(xié)議是兩家公司為期四年的技術(shù)合作開(kāi)發(fā)成果。采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的 SiC 功率半導(dǎo)體，雙方致力于在更緊湊的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)卓越的能效，并在性能方面達(dá)到行業(yè)標(biāo)桿。SiC 正迅速成為汽車行業(yè)首選的電動(dòng)汽車牽引驅(qū)動(dòng)的電源技術(shù)，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價(jià)值 1
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UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET

  • 2022年5月11日移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）系列。
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安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小

  • 安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON）在PCIM Europe展會(huì)發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對(duì)適合高功率密度設(shè)計(jì)的高性能開(kāi)關(guān)組件迅速增長(zhǎng)的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：快充測(cè)試

  • 一、測(cè)試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測(cè)試板2、電壓源3、示波器4、負(fù)載儀二、測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號(hào)2、DCDC 在線測(cè)試1）空載測(cè)試驅(qū)動(dòng)空載輸出12V，gs驅(qū)動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號(hào)2）加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負(fù)載，溫度始終未超過(guò)50度。開(kāi)關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對(duì)應(yīng)設(shè)備
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：射頻熱凝控制儀測(cè)試

  • 測(cè)試設(shè)備①直流電源由于手上沒(méi)有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開(kāi)發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載，可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載，測(cè)試電源的帶載能力非常好用。③信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào)，用于MOS管的驅(qū)動(dòng)④示波器觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形⑤萬(wàn)用表測(cè)量各測(cè)試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測(cè)量帶載后MOS管的溫度測(cè)試拓?fù)鋵⒄f(shuō)明書(shū)中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

  • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評(píng)估板，有幸參與評(píng)估板的測(cè)試。拿到評(píng)估板的第一感覺(jué)就是扎實(shí)，評(píng)估板四層PCB的板子厚度達(dá)到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標(biāo)識(shí)。
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

  • 本文將對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹。
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碳化硅MOSFET晶體管的特征

  • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
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SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

  • 本文對(duì)二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進(jìn)行說(shuō)明。
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SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

  • 反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
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SiC肖特基勢(shì)壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

  • 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始。
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SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

  • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
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什么是碳化硅？SiC的特性和特征

  • 碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。本文來(lái)了解一下它的物理特性和特征。
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ST先進(jìn)SiC牽引電機(jī)逆變器解決方案

  • 意法半導(dǎo)體（ST）作為全球領(lǐng)先的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商之一，多年前就開(kāi)始布局新能源汽車領(lǐng)域，在2019年正式成立新能源車技術(shù)創(chuàng)新中心，推出了SiC牽引電機(jī)逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全I(xiàn)S026262標(biāo)準(zhǔn)流程開(kāi)發(fā)，滿足ASIL D等級(jí)?；贏utoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法，為客戶前期方案評(píng)估和后續(xù)開(kāi)發(fā)提供了便利，大大縮短了整個(gè)研發(fā)周期。
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ST第三代碳化硅技術(shù)問(wèn)世 瞄準(zhǔn)汽車與工業(yè)市場(chǎng)應(yīng)用

  • 電源與能源管理對(duì)人類社會(huì)未來(lái)的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說(shuō)明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長(zhǎng)，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對(duì)此非常重要，但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對(duì)此也有制定一些具體的目標(biāo)。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實(shí)現(xiàn)各種節(jié)能目標(biāo)的具體數(shù)據(jù)，圖中是對(duì)全球電力消耗狀況的統(tǒng)計(jì)。僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，如果能將電力利用效率提升1%，
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碳化硅！介紹

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