3d-mems 文章進(jìn)入3d-mems技術(shù)社區(qū)

MEMS行業(yè)迎來(lái)新篇章xMEMS市場(chǎng)部副總裁Mike對(duì)話行業(yè)媒體

2024年9月10日，半導(dǎo)體音頻解決方案公司xMEMS在深圳的“xMEMS Live – Asia 2024”技術(shù)研討會(huì)成功舉辦，現(xiàn)場(chǎng)參會(huì)人員對(duì)xMEMS的技術(shù)應(yīng)用、行業(yè)情況等進(jìn)行了精彩的討論，帶來(lái)了眾多極具價(jià)值的觀點(diǎn)。MEMS行業(yè)的發(fā)展前景廣闊，MEMS技術(shù)廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)場(chǎng)景、汽車電子等領(lǐng)域。技術(shù)創(chuàng)新正在不斷推動(dòng)MEMS行業(yè)發(fā)展，帶來(lái)了全新的機(jī)會(huì)。作為MEMS行業(yè)的知名企業(yè)，xMEMS一直致力于MEMS技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用，其每一步動(dòng)作都值得行業(yè)關(guān)注。在這次技術(shù)研討會(huì)上，xMEMS推出了Cypre
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臺(tái)積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

臺(tái)積電OIP（開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)）于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開(kāi)，除表?yè)P(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。臺(tái)積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺(tái)積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶共同探討如何通過(guò)更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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MEMS 麥克風(fēng)中 PDM 和 I2S 數(shù)字輸出接口的比較和選擇

文章概述本文將詳細(xì)討論脈沖密度調(diào)制 (PDM) 和集成電路內(nèi)置音頻 (I2S) 兩種數(shù)字接口，簡(jiǎn)介它們的獨(dú)特特性以及在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)的優(yōu)缺點(diǎn)。工程師具體選擇哪一種，將取決于對(duì)兩種技術(shù)的研究，并要了解哪種協(xié)議對(duì)于特定應(yīng)用更適合。具體要考慮的幾個(gè)關(guān)鍵因素包括：音質(zhì)功耗物料成本設(shè)計(jì)的空間限制硬件的運(yùn)行環(huán)境如果您在MEMS 麥克風(fēng)的數(shù)字輸出接口選擇上有需求，相信本文會(huì)有所幫助。麥克風(fēng)用在嵌入式系統(tǒng)中已經(jīng)有很多年了。自其誕生以來(lái)，由于家居、汽車和可穿戴設(shè)備中基于語(yǔ)音的應(yīng)用范圍
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拜登-哈里斯政府宣布與惠普達(dá)成初步條款，以支持尖端半導(dǎo)體技術(shù)的開(kāi)發(fā)和商業(yè)化

擬議的投資將支持現(xiàn)有園區(qū)的擴(kuò)建和現(xiàn)代化，并創(chuàng)造 250 多個(gè)制造和建筑工作崗位
關(guān)鍵字：美國(guó)芯片法規(guī) 惠普 MEMS

基于ST ASM330LHH MEMS Sensor系列的智能座艙高精度慣性導(dǎo)航方案

隨著汽車輔助駕駛和無(wú)人駕駛的發(fā)展，慣性導(dǎo)航越來(lái)越成為不可或缺的技術(shù)需求。在城市密集的高樓大廈下、復(fù)雜的高架下、冗長(zhǎng)的地下隧道里，GPS信號(hào)因?yàn)槭艿秸趽鹾透蓴_，提供不了導(dǎo)航服務(wù)。這時(shí)候高精度的慣性導(dǎo)航就能很好彌補(bǔ)GPS信號(hào)丟失的不足，保證正常的導(dǎo)航行程。慣性導(dǎo)航IMU的核心是慣性傳感器，當(dāng)慣性導(dǎo)航IMU安裝在車輛上時(shí)，它可以通過(guò)測(cè)是車輛運(yùn)動(dòng)的加速度和角速度來(lái)計(jì)算車輛的位移和方位角。能夠填補(bǔ)GPS信號(hào)丟失的空白，為車輛提供高精度定位，確保車輛行駛安全。ST汽車級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH系列，為先進(jìn)的
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

近日，據(jù)媒體報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來(lái)，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長(zhǎng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(zhǎng)速度，預(yù)測(cè)到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)演講會(huì)上表示，公司計(jì)劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過(guò)一半（即561個(gè)）為良
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場(chǎng)

●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對(duì)從芯片設(shè)計(jì)和?3D?組裝的早期探索到項(xiàng)目?Signoff?過(guò)程中的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具，能夠在整個(gè)設(shè)計(jì)流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對(duì)?3D?
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博世推出堅(jiān)固耐用的高能效四合一 MEMS 室內(nèi)空氣質(zhì)量傳感器

※? ?四合一?MEMS?傳感器采用緊湊封裝，可精準(zhǔn)測(cè)量氣體、濕度、溫度和氣壓?！? ?與上一代產(chǎn)品相比，功耗最多可降低?50%，是電池供電設(shè)備的理想之選。※? ?完全符合?WELL?和?RESET?室內(nèi)空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，確保一流的監(jiān)測(cè)性能?！? ?更堅(jiān)固耐用，可在冷凝水平較高的環(huán)境中使用?？諝獾馁|(zhì)量與清潔度對(duì)于健康而言至關(guān)重要。我們平均約有?90%&
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生成式人工智能音頻快速發(fā)展：高信噪比MEMS麥克風(fēng)功不可沒(méi)

最新一代人工智能或?qū)㈤_(kāi)啟新一輪科技革命，全面提升各種人機(jī)交互體驗(yàn)。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來(lái)深刻變化?；谌斯ぶ悄艿奈谋竞蛨D像生成工具可以創(chuàng)建出令人難以置信的內(nèi)容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺(jué)和文字媒介，伸向語(yǔ)音轉(zhuǎn)文字（STT）和自然語(yǔ)言處理（NLP）等音頻應(yīng)用，展現(xiàn)出巨大潛力。然而，音頻應(yīng)用質(zhì)量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語(yǔ)言模型的生成式人工智能？還是說(shuō)硬件依然功不可沒(méi)？就拿高信噪比（SNR）微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）麥克風(fēng)來(lái)說(shuō)，它為實(shí)現(xiàn)這種必將改變?nèi)藗內(nèi)粘Ｉ畹男沦|(zhì)人機(jī)交互
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開(kāi)發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺(tái)”項(xiàng)目啟動(dòng)

據(jù)賽微電子消息，近日，2023年度國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“智能傳感器”重點(diǎn)專項(xiàng)“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺(tái)”項(xiàng)目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會(huì)在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)召開(kāi)。該項(xiàng)目由賽微電子控股子公司賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司牽頭，聯(lián)合武漢大學(xué)、蘇州大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、武漢敏聲新技術(shù)有限公司、北京智芯微電子科技有限公司、成都纖聲科技有限公司、上海矽?？萍脊煞萦邢薰镜葐挝还餐瑢?shí)施。資料顯示，賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司專業(yè)從事半導(dǎo)體晶
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
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5G加速聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
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