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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND

  •   紅色供應(yīng)鏈來勢(shì)洶洶,外界原本認(rèn)為,陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地,不過有分析師預(yù)測,陸廠研發(fā)腳步迅速,可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。   巴 倫(Barronˋs)6日?qǐng)?bào)導(dǎo),美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱,中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份,Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲(chǔ)存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場主導(dǎo)地位

  •   全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾,但韓國三星電子憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場份額,甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。   全球個(gè)人電腦(PC)銷量下降,以及智能手機(jī)增長放緩,讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。   高通曾表示,第三財(cái)季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%,這是其三年來的最差業(yè)績。   將于周四公布第一季財(cái)報(bào)的三星,也難免遇挫。市場廣泛預(yù)計(jì)三星芯片獲利將會(huì)下降,一些分析師預(yù)測1-
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TrendForce:2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

  •   中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片,相較于2015年增長近7倍。   TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%,其最終消費(fèi)端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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蘋果采用三星NAND閃存顆粒+AMOLED屏幕

  •   蘋果已經(jīng)秘密與三星談下合作,在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時(shí)隔5年,蘋果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會(huì)采用AMOLED屏幕。        先前蘋果不用三星閃存,是因?yàn)槿窍M陂W存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來做電池干擾屏蔽,但是三星并不愿意做。如今臺(tái)灣供應(yīng)商發(fā)出了噴涂圖層工藝,三星有望使用這個(gè)技術(shù),來讓閃存顆粒滿足蘋果的EMI屏蔽標(biāo)準(zhǔn)。又因?yàn)檫@一工藝較為廉價(jià),所以三星比較重視。   使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
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傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程 意在瞄準(zhǔn)蘋果NAND訂單

  •   傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進(jìn)行EMI遮蔽制程研發(fā),有意重啟對(duì)蘋果(Apple)供應(yīng)NAND Flash存儲(chǔ)器,過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。   據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo),日前業(yè)界表示,三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(jī)(Dispense)業(yè)者,共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone

  •   韓廠積極打進(jìn)蘋果iPhone供應(yīng)鏈。韓國媒體報(bào)導(dǎo),三星電子計(jì)畫提供NAND型快閃記憶體給iPhone,這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應(yīng)鏈。   韓國網(wǎng)站媒體ET News報(bào)導(dǎo),蘋果從2012年iPhone 5推出開始,就沒有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體,在于三星電子并未接受蘋果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計(jì)劃 著手3D NAND研發(fā)

  •   大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計(jì)劃,將以武漢為基地,興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國業(yè)界看法,武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距,但將是大陸市場上的潛在最大對(duì)手。   據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo),大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計(jì)劃,將以武漢為基地,興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機(jī)構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。   韓聯(lián)社引述EE Times
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存儲(chǔ)“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場現(xiàn)狀

  • 國內(nèi)大力扶持存儲(chǔ),各種巨額的投資項(xiàng)目爭議不小,但是為了存儲(chǔ)自主的未來,也值。
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DRAM及NAND市場價(jià)格下跌 美光營收下滑

  •   不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域,韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了,技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商,偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià),跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營收下滑了30%,當(dāng)季凈虧損9700萬美元,對(duì)未來季度的預(yù)測同樣悲觀。   美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào),當(dāng)季營收29.3億美元,上季度為33.5億美元,去年同期為41.66億美元,同比下滑了30%。   美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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4000億能砸出中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)嗎?

  • 在國家意志的推動(dòng)下,中國存儲(chǔ)企業(yè)大多是不差錢的主,完全可以在沒有后顧之憂的情況下,砸出工藝,暴出產(chǎn)能,在如此力度的政策、資金扶持下,武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么?
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中國NAND快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元

  •   TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進(jìn)行建廠工程,目標(biāo)最快在2018年年初開始生記憶體晶片,初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品,代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢(shì)下,將開始進(jìn)入新的里程碑。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡弥赋?,現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主,月產(chǎn)能約為2萬片左右,在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強(qiáng)大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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投資10nm/3D NAND 晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

  •   國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出,3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資,將驅(qū)動(dòng)2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升,預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%,達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長13%,達(dá)421億美元。   SEMI指出,2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升,下半年則將開始加速,為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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中國砸240億美元躍進(jìn)3D NAND閃存時(shí)代

  • 國內(nèi)終于要有了存儲(chǔ),剩下的問題就是國產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢?初期的價(jià)格戰(zhàn)是不可避免的,但長久來看還得是技術(shù)立足。
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東芝將向NAND投資8600億日元,預(yù)計(jì)2016財(cái)年銷售不到5萬億日元

  •   “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預(yù)測需要多長時(shí)間,但希望能獲得新生,成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務(wù)計(jì)劃說明會(huì),代表執(zhí)行董事社長室町正志在會(huì)上這樣說道。   東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標(biāo)。在說明會(huì)前一天,東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能,將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(tuán)(參閱本站報(bào)道1)。關(guān)于個(gè)人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事,室町表示“希望在201
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn),誰輸在起跑線?

  •   為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益,2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn),但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限,加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫,2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。   1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn),提高成本競爭力   與2D工藝相比,3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲(chǔ)容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb,與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。  
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3d nand介紹

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