3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。　　NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 NAND

東芝在閃存峰會(huì)上展示最新NAND和存儲(chǔ)產(chǎn)品

　　東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。閃存峰會(huì)是全球最大的閃存討論會(huì)，于8月5至7日在美國(guó)加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會(huì)議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。　　閃存峰會(huì)的展覽環(huán)節(jié)在會(huì)議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號(hào)展位布展。　　主要展品 ??? 1、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(eSSD)：　　??? 企業(yè)級(jí)讀密集型
關(guān)鍵字：東芝 NAND 固態(tài)硬盤

匯聚中國(guó)移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商第二屆閃迪年度客戶研討會(huì)圓滿舉行

　　全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布，來(lái)自移動(dòng)設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國(guó)深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì)。本次活動(dòng)于8月26日舉行，囊括了中國(guó)及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表)，共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢(shì)和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì)邀請(qǐng)了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
關(guān)鍵字：閃迪智能手機(jī) NAND

矽穿孔技術(shù)襄助　3D IC提高成本效益

　　應(yīng)用直通矽晶穿孔(TSV)技術(shù)的三維積體電路(3DIC)為半導(dǎo)體業(yè)界提供全新境界的效率、功耗、效能及體積優(yōu)勢(shì)。然而，若要讓3DIC成為主流，還必須執(zhí)行許多基礎(chǔ)的工作。電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)業(yè)者提供周延的解決方案支援3DIC革命，包括類比與數(shù)位設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、封裝與印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)工具。半導(dǎo)體廠可以運(yùn)用這個(gè)解決方案，滿足高效率設(shè)計(jì)應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC的所有需求。　　隨著更高密度、更大頻寬與更低功耗的需求日益增加，許多IC團(tuán)隊(duì)都在期待應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC。3DIC以更小的體積容納豐富的
關(guān)鍵字：矽穿孔 3D

終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)

　　TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長(zhǎng)9%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長(zhǎng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開(kāi)始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(zhǎng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀察的重
關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置

第二季NAND Flash品牌廠商分析與營(yíng)收排行

今年第二季NANDFlash品牌供貨商營(yíng)收達(dá)76.49億美元，季成長(zhǎng)5.6%，隨著智能手機(jī)與平板電腦等進(jìn)入出貨旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市場(chǎng)表現(xiàn)。
關(guān)鍵字： Intel NAND

三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成

　　全球NANDFlash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測(cè)，NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠(yuǎn)低于去年的0.71美元，預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復(fù)合成長(zhǎng)率為負(fù)的28%。　　NANDFlash產(chǎn)出過(guò)多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計(jì)算，IHSiSuppl估計(jì)，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
關(guān)鍵字：東芝 NAND

傾角傳感器在人體姿態(tài)圖儀中應(yīng)用

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： SCA61T-FAHH1G 3D-MEMS 溫度補(bǔ)償 VTITechnologies公司

手機(jī)“全息影像”是怎么實(shí)現(xiàn)的？

　　最近一款“全球首款全息手機(jī)”上市，那么究竟什么是全息功能、在手機(jī)上又是如何實(shí)現(xiàn)的? 　　首先，讓我們先來(lái)了解一下傳統(tǒng)意義上的“全息”概念。通常來(lái)說(shuō)，“全息顯示”泛指全息投影技術(shù)，由英國(guó)匈牙利裔物理學(xué)家丹尼斯·蓋伯在1947年發(fā)明，并在1971年獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。一開(kāi)始，全息投影僅應(yīng)用在電子顯微技術(shù)中，直至1960年激光技術(shù)被發(fā)明出來(lái)之后才取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。　　在這里，我們不討論全息投影復(fù)雜的技術(shù)原理，
關(guān)鍵字：全息影像 3D

安徽芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)劃 3年內(nèi)產(chǎn)值突破300億

　　記者昨日從省經(jīng)信委舉行的新聞發(fā)布會(huì)上獲悉，我拾芯片”產(chǎn)業(yè)有了新規(guī)劃，預(yù)計(jì)到2020年，20%的顯示面板、家電、汽車電子產(chǎn)品將有“本土芯”。　　變頻空調(diào)運(yùn)行、液晶顯示、汽車行駛……這些產(chǎn)品的運(yùn)行都離不開(kāi)它們的“心”—集成電路。為了進(jìn)一步扶持集成電路產(chǎn)業(yè)，《安徽省人民政府辦公廳關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見(jiàn)》近日發(fā)布，從多方面明確了我省集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo)：到2017年產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值突破300億元，2
關(guān)鍵字：芯片 3D

應(yīng)用材料公司推出面向3D芯片結(jié)構(gòu)的先進(jìn)離子注入系統(tǒng)

　　應(yīng)用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的中電流離子注入設(shè)備，該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點(diǎn)的FinFET和3D NAND制程而開(kāi)發(fā)，具有超凡的控制能力，可以幫助高性能、高密度的復(fù)雜3D器件實(shí)現(xiàn)器件性能優(yōu)化，降低可變性，提高良率，是應(yīng)用材料公司在精密材料工程領(lǐng)域的又一重大突破。　　VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準(zhǔn)確度，并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性，從而幫助客戶實(shí)現(xiàn)制程的可重復(fù)性，優(yōu)化器件性
關(guān)鍵字： VIISta 900 3D 2x納米 FinFET

Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來(lái)襲

　　并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計(jì)者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗(yàn)和性能等方面的過(guò)程中，一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運(yùn)行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線，到美國(guó)德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī)，嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬(wàn)別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運(yùn)作，還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無(wú)法滿足所有規(guī)格要求，必須做出得失權(quán)衡，就必須記錄下這一信息，并在設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行共享。在汽車、消費(fèi)、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中，
關(guān)鍵字： Spansion NAND FL1-K

3D傳感技術(shù)在光源照明等領(lǐng)域取得多項(xiàng)進(jìn)展

　　從消費(fèi)電子市場(chǎng)到工業(yè)應(yīng)用，隨著新應(yīng)用在各領(lǐng)域的不斷出現(xiàn)，3D傳感技術(shù)的市場(chǎng)在不斷地發(fā)展壯大。現(xiàn)今幾乎所有的智能電視及操作系統(tǒng)都已經(jīng)能支持動(dòng)作識(shí)別的相關(guān)功能，完成諸如畫面縮放和頻道切換等功能;傳感器能夠通過(guò)探測(cè)生產(chǎn)線的移動(dòng)和表面質(zhì)量，從而控制產(chǎn)品在生產(chǎn)線中的流向;設(shè)計(jì)人員也可以對(duì)復(fù)雜的形狀進(jìn)行掃描并通過(guò)3D打印機(jī)進(jìn)行復(fù)制;監(jiān)控系統(tǒng)也已能確保動(dòng)物和人類遠(yuǎn)離危險(xiǎn)的區(qū)域。　　如今的傳感器也已可以探測(cè)到極端細(xì)微的動(dòng)作和特征?，F(xiàn)代的傳感器不僅能夠探測(cè)到點(diǎn)頭之類的動(dòng)作，還可以精確地識(shí)別是誰(shuí)點(diǎn)的頭;除了識(shí)別功
關(guān)鍵字： 3D 傳感

世界最快工業(yè)級(jí)3D打印機(jī)在湖南面世

打印速度慢制約了3D打印的普及和應(yīng)用，我國(guó)研發(fā)成功了世界上最快的工業(yè)級(jí)3D打印機(jī)，打印速度提高了60%。
關(guān)鍵字： 3D 打印機(jī)

Ziptronix和EVG集團(tuán)展示晶圓與晶圓間混合鍵合的亞微米精度

　　Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡(jiǎn)稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和 SmartView ? NT 鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲(chǔ)器、高級(jí)圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)?！　iptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquis
關(guān)鍵字： EVG DRAM 3D