本文主要分析了超結結構的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現形態(tài)，探討了內部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關系，最后討論了新一代超結技術工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉折點電壓，降低開關損耗，同時產生非常大的du/dt和di/dt，對系統(tǒng)EMI產生影響。
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202008 功率 MOSFET 超結結構 輸出電容 橫向電場
本文介紹了一款基于LM3404的LED手術無影燈恒流驅動調光電路，詳細論述了調光電路的硬件和軟件方案的設計及實測效果。電路采用單片機MSP430F1232控制LED驅動模塊，集成調光控制模塊，可實現對大功率LED手術無影燈進行無極調光的功能，并且含有參數記憶模式，具有智能化、精度高、穩(wěn)定性強等優(yōu)點，大大提高了LED手術無影燈的使用性能。
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202008 LED手術無影燈 單片機 LM3404 調光控制 MOSFET
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?，該產品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
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MOSFET SiC PIM 光伏逆變器
寬禁帶?材料實現了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
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IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向車載應用推出恒流2相步進電機驅動IC“TB9120AFTG”。新款IC僅使用一個簡單的時鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無需功能先進的MCU或專用軟件。TB9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進電機驅動IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實現的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產生微步正弦波（最高可
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IC QFN MOSFET
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經開始量產,這是一款已通過AEC-Q100認證的反激式開關IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側檢測功能。新獲得認證的器件系列適用于電動汽車應用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機)、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
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OBC BMS EMS MOSFET IC
英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗
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MOSFET TIM IGBT
深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過AEC-Q100認證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動汽車子系統(tǒng)提供簡單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
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IC MOSFET
全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅動器的新一代引腳兼容升級產品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡化電源和電機驅動器設計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產品堅固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產品、水泵及冷卻風扇中的48V電機驅動器供電。HIP221x驅動器專為嚴苛工作條件下的
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MOSFET UPS PWM
寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
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安世 GaN MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設備的電源。對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結構※3，改善了二者之間的矛盾權衡關系，與以往產品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導通電阻降低了約4
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EV OBC MOSFET
Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉換與控制產品應用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點，有利于使用負載點 (PoL) 與電源管理模塊的一系列產品應用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉換器與半橋電源拓撲，以縮小功率轉換器解決方案的尺寸。P
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MOSFET PoL
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出柵驅動器開關IPD[1]“TPD7107F”。該產品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元（ECU）的供電電流的通斷，并計劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級低導通電阻N溝道MOSFET[2]，適用于負載電流的高側開關。作為一種電子開關，這種新型IPD能夠避免機械繼電器的觸頭磨損，有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗，同時還提供免維護功能。通過提供增強功能（自我保護功能和輸出到微控制器的各種內置診斷功能）以支持車載ECU所需的高可
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柵極驅動器 MOSFET IPD ECU
英飛凌科技股份公司進一步壯大?StrongIRFET? 40-60 V MOSFET產品陣容?，近日推出三款采用D2PAK 7pin+封裝的新器件。這些新器件具備極低的RDS(on)和高載流能力，可針對要求高效率的高功率密度應用提供增強的穩(wěn)健性和可靠性。這三款全新MOSFET瞄準電池供電應用，包括電動工具、電池管理系統(tǒng)和低壓驅動裝置等。全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來更多選項，有助于選擇應對設計挑戰(zhàn)的理想功率器件。此外，
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電池 MOSFET
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產品，在保證性能的基礎上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產品在30 V至60 V工作電壓范圍內可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結構，由Nexperia率先應用，已在汽車等要求
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Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
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