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elitesic mosfet 文章 進(jìn)入elitesic mosfet技術(shù)社區(qū)
高可靠性、節(jié)省空間的降壓/反激式開關(guān)IC適合400 VDC電動(dòng)汽車應(yīng)用
- 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過AEC-Q100認(rèn)證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關(guān)IC,新器件適合降壓或非隔離反激式應(yīng)用。新款汽車級(jí)LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET,可為連接到高壓母線的電動(dòng)汽車子系統(tǒng)提供簡(jiǎn)單可靠的電源,這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機(jī)系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片,只需要很少的外圍元件,而且占用的PC
- 關(guān)鍵字: IC MOSFET
瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動(dòng)器的新一代引腳兼容升級(jí)產(chǎn)品;新款HIP2210提供三電平PWM輸入,以簡(jiǎn)化電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽(yáng)能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅(jiān)固耐用,可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風(fēng)扇中的48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器供電。HIP221x驅(qū)動(dòng)器專為嚴(yán)苛工作條件下的
- 關(guān)鍵字: MOSFET UPS PWM
ROHM開發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”,非常適用于包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的車載動(dòng)力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對(duì)于功率半導(dǎo)體來說,當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短,兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系,因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí),如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品,通過進(jìn)一步改進(jìn)ROHM獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3,改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系,與以往產(chǎn)品相比,在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約4
- 關(guān)鍵字: EV OBC MOSFET
Diodes 公司的電源塊 MOSFET 可提升功率轉(zhuǎn)換器效率并節(jié)省 PCB 空間
- Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨(dú)立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝,可提升效率,大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET,尺寸僅 3.3mm x 3.3mm,相較于典型雙芯片解決方案,電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點(diǎn),有利于使用負(fù)載點(diǎn) (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓?fù)洌钥s小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。P
- 關(guān)鍵字: MOSFET PoL
東芝面向汽車ECU推出MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器開關(guān)IPD
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出柵驅(qū)動(dòng)器開關(guān)IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(ECU)的供電電流的通斷,并計(jì)劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級(jí)低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET[2],適用于負(fù)載電流的高側(cè)開關(guān)。作為一種電子開關(guān),這種新型IPD能夠避免機(jī)械繼電器的觸頭磨損,有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗,同時(shí)還提供免維護(hù)功能。通過提供增強(qiáng)功能(自我保護(hù)功能和輸出到微控制器的各種內(nèi)置診斷功能)以支持車載ECU所需的高可
- 關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET IPD ECU
采用D2PAK 7pin+封裝的StrongIRFET? MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用
- 英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大?StrongIRFET? 40-60 V MOSFET產(chǎn)品陣容?,近日推出三款采用D2PAK 7pin+封裝的新器件。這些新器件具備極低的RDS(on)和高載流能力,可針對(duì)要求高效率的高功率密度應(yīng)用提供增強(qiáng)的穩(wěn)健性和可靠性。這三款全新MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用,包括電動(dòng)工具、電池管理系統(tǒng)和低壓驅(qū)動(dòng)裝置等。全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來更多選項(xiàng),有助于選擇應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的理想功率器件。此外,
- 關(guān)鍵字: 電池 MOSFET
NexperiaP溝道MOSFET,采用省空間堅(jiān)固LFPAK56封裝
- 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適合汽車應(yīng)用,可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品,在保證性能的基礎(chǔ)上,將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇,導(dǎo)通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu),由Nexperia率先應(yīng)用,已在汽車等要求
- 關(guān)鍵字: Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
Nexperia推出超微型MOSFET具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)
- Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品,采用超小型DFN0606封裝,適用于移動(dòng)和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用,包括可穿戴設(shè)備。這些器件還提供低導(dǎo)通電阻RDS(on),采用常用的0.35 mm間距,從而簡(jiǎn)化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節(jié)省了超過36%的空間。由于采
- 關(guān)鍵字: ?Nexperia MOSFET
科銳推出新型650V MOSFET,提供業(yè)界領(lǐng)先效率,助力新一代電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能應(yīng)用創(chuàng)新
- 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合,適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用,助力新一代電動(dòng)汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用,提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
- 關(guān)鍵字: 科銳 650V MOSFET 電動(dòng)汽車
碳化硅發(fā)展勢(shì)頭旺,英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET
- 王? 瑩? (《電子產(chǎn)品世界》編輯)近期,多家公司發(fā)布了碳化硅 (SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導(dǎo)體材料之一,碳化硅 具備哪些優(yōu)勢(shì),現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何?不久前,碳化硅的先驅(qū)英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ,值此機(jī)會(huì),電子產(chǎn)品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市 場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件,使一些以前硅材料很難被應(yīng)用 的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),例如電流連續(xù)模 式
- 關(guān)鍵字: 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國(guó)上海市,以下簡(jiǎn)稱“UAES公司”)的電動(dòng)汽車車載充電器(On Board Charger,以下簡(jiǎn)稱“OBC”)。UAES公司預(yù)計(jì)將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能
- 關(guān)鍵字: OBC SiC MOSFET
工業(yè)電機(jī)用功率半導(dǎo)體的動(dòng)向
- Steven?Shackell? (安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理)摘? 要:電動(dòng)工具用電機(jī)正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機(jī);工業(yè)電機(jī)需要更高能效的電機(jī),同時(shí) 需要強(qiáng)固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對(duì)這些轉(zhuǎn)變帶來的商機(jī)。 關(guān)鍵詞:電機(jī);電動(dòng)工具;MOSFET;工業(yè);IGBT;IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機(jī)產(chǎn)品系列,尤其是功 率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來自所有電機(jī)類型的 商機(jī)感到興奮,并非常看好無刷直流電機(jī)(BLDC)應(yīng)用 (例如電動(dòng)工具),
- 關(guān)鍵字: 202003 電機(jī) 電動(dòng)工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平
- 近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)St
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
- 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝,可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。
- 關(guān)鍵字: 儒卓力 威世N-Channel MOSFET 封裝
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