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EEPW首頁 >> 主題列表 >> elitesic mosfet

根據(jù)應用恰當選擇MOSFET的技巧

  • 鑒于MOSFET技術(shù)的成熟，為設(shè)計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  導通阻抗  開關(guān)電源  

MOSFET應用案例解析

  • 1.開關(guān)電源應用從定義上而言，這種應用需要MOSFET定期導通和關(guān)斷。同時，有數(shù)十種拓撲可用于開關(guān)電源，這...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  應用案例  

MOSFET的選型基礎(chǔ)

  • MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動電路比較簡單。MOSF...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  選型  應用概覽  

求解每個熱源功率損耗的新方法

  • 一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)?？梢詼y量出這些特征參數(shù)，...
  • 關(guān)鍵字： 熱源功率  損耗  MOSFET  

功率器件更加智能，高能效功率電子技術(shù)新進展

  • 工藝與材料的創(chuàng)新隨著時間的推移，功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  工藝材料  MOSFET  

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  • 關(guān)鍵字： CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

大功率MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解

  • 功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
  • 關(guān)鍵字： 功率  MOSFET  變換器  柵極驅(qū)動  

汽車電子功率MOSFET解決方案

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐...
  • 關(guān)鍵字： 電子系統(tǒng)  MOSFET  瞬態(tài)高壓  

瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導體器件

  • 高級半導體解決方案領(lǐng)導廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布開發(fā)面向消費類產(chǎn)品（如無線電動工具和電動自行車）中電機驅(qū)動的100A大電流功率MOSFET，以便加強公司的整個功率半導體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產(chǎn)品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產(chǎn)品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平，是延長電池壽命的理性之選。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MOSFET  N0413N  

高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展

  • 從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進展
  • 關(guān)鍵字： 安森美半導體  MOSFET  

IR推出微電子繼電器設(shè)計師手冊以簡化選型和電路設(shè)計

  • 　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計師手冊，內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應用手冊、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計技巧等。 　　IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器，能把AC 和 DC 負載和感測信號從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦，廣泛應用于工業(yè)控制、測試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
  • 關(guān)鍵字： IR  微電子繼電器  MOSFET  

完全自保護MOSFET功率器件分析

  • 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全
  • 關(guān)鍵字： 器件  分析  功率  MOSFET  保護  完全  

IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網(wǎng)通設(shè)備等
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

IR日推出新車用MOSFET系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  
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