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傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質量存穩(wěn)定性問題
- 據(jù)業(yè)者透露,韓國廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品,不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據(jù)消息來源透露,這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區(qū)的市場發(fā)售,不過目前部分銷往美國市場的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質量不穩(wěn)定而遭到客戶的退貨。 據(jù)閃存控制芯片的廠商表示,三位元型MLC NAND閃存芯片技術目前還處在初級發(fā)展階段,由于可能存在一些兼容性等方面的問題,因此需要3個月的時間對這種新產(chǎn)品進行充分的測試。
- 關鍵字: NAND 閃存芯片
NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)
- 根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計,12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平,高密度芯片價格則將下降1-5%。 其中,16Gb芯片期貨價格下降2-7%,32Gb芯片價格持平或下降3%,兩種芯片后半個月的平均銷售價格預計為4.42美元和7.18美元,8Gb芯片的平均價格依舊保持在4.02美元。 盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響,NAND閃存12月份的銷售價格依舊保持穩(wěn)定??紤]到一些芯片制造商將重點轉移到了工藝升級上,產(chǎn)能上或受影響,很多下游廠商已經(jīng)開始存貨為即
- 關鍵字: 閃存 NAND
聚焦2010電子產(chǎn)業(yè)10大機遇
- 經(jīng)歷了09年初的低糜,IC產(chǎn)業(yè)正逐步從危機中復蘇,觀望其2010年的發(fā)展趨勢,可以說是機遇與挑戰(zhàn)并存。本文將對于2010年電子產(chǎn)業(yè)市場的有利與不利因素分別敍述,供業(yè)界探討與分析。 10大機遇 1. IC行業(yè)的季節(jié)性需求好于預期。FBR分析師Craig Berger說:“亞洲芯片分銷商的最新訂單顯示,第4季度芯片銷售將環(huán)比下降4到8個百分點,比起上個月我們調(diào)查得出的環(huán)比下降10個百分點情況更好,這是由11月份的工業(yè)、消費和智能手機芯片的強勁需求推動的的出貨量下降4%-8%,跌幅較
- 關鍵字: Altera LED IC NAND
張汝京下課 中芯大漲
- 為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境,而與臺積電未來如能合作,將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺,為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。 11月11日,臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞:中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。 中芯將分5年賠償臺積電2億美元,并且無償授予臺積電8%的中芯股權,且臺積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權。 這件事情所以在臺灣
- 關鍵字: 中芯國際 晶圓 NOR NAND
PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM現(xiàn)貨價大漲3%
- 沈寂已久的DRAM價格再度動起來,存儲器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當樂觀,DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài),目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB,未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB,市場對于后市看法相當樂觀,原本外界預期12月合約價格會開始下跌,反應淡季效應,但目前開出是持平,反映市場供給不多,而22日現(xiàn)貨價格又開始蠢蠢欲動,一口氣大漲3%;此外,下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。 存儲器模塊廠一致看好2010
- 關鍵字: 南亞科 DRAM 存儲器 NAND
東芝等日本半導體廠紛紛取消年底假期持續(xù)生產(chǎn)
- 隨著薄型電視等產(chǎn)品需求呈現(xiàn)增長,東芝(Toshiba)等日本半導體大廠也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續(xù)進行生產(chǎn),有別于去(2008)年年底動輒停工近20天的嚴峻局面。 報導指出,東芝旗下生產(chǎn)NAND型閃存的四日市工廠去年年底12吋產(chǎn)線停工達13天,惟因今年春天以后智慧型手機訂單增加,故四日市工廠今年年底假期將持續(xù)進行生產(chǎn)不停工。 報導指出,NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠原先計劃于元旦期間停工2天,惟因使用于薄型電視和環(huán)保車的微控制器(MCU)
- 關鍵字: Toshiba NAND MCU
東芝等日本半導體巨頭恢復增產(chǎn)投資
- 據(jù)國外媒體報道,日本國內(nèi)的半導體巨頭重新開啟了增產(chǎn)投資的大門。東芝公司一直生產(chǎn)手機等設備上使用的閃存,并在該領域排名全球第二,該公司計劃與美國公司共同出資1500億日元,以提高這方面的產(chǎn)能,增產(chǎn)程度約為4成。爾必達公司主要生產(chǎn)PC的內(nèi)存,該公司計劃在2010財年向主要生產(chǎn)廠投資600億日元,將出貨量提高3成。 自今年夏天以來,全球半導體市場呈現(xiàn)堅挺的走勢,PC銷售等在需求的刺激下得到恢復。全球經(jīng)濟危機后,日本IT業(yè)大公司一改過去的謹慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資,以期待與韓國三星公司展開競爭。
- 關鍵字: 東芝 NAND
東芝、爾必達提高半導體事業(yè)資本支出
- 自2009年夏季起全球半導體市場需求回溫,日本半導體大廠增資動作亦轉趨積極。日本經(jīng)濟新聞報導指出,東芝(Toshiba)將與美國業(yè)者共同投資1,500億日圓(約16億美元)于NAND Flash事業(yè),提高約4成產(chǎn)能;爾必達(Elpida)亦計劃在2010年度中,投資600億日圓于主力據(jù)點,以增加3成出貨量。 報導指出,東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導入尖端設備,此亦為2007年來東芝在NAND Flash事業(yè)上的大舉投資。據(jù)悉,增設新生產(chǎn)線后,整廠生產(chǎn)規(guī)模將由26萬
- 關鍵字: 東芝 NAND
傳東芝投資22億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能
- 據(jù)國外媒體報道,消息人士周一透露,東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底,東芝的閃存芯片生產(chǎn)規(guī)模將擴大40%。 報道稱,東芝當前還計劃在2012年3月之前,為半導體產(chǎn)業(yè)投資總計5000億日元。市場調(diào)研公司iSuppli上周發(fā)布研究數(shù)據(jù)顯示,今年第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁,東芝表現(xiàn)最為搶眼,營收環(huán)比增長近50%。 iSuppli的報告稱,全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元,增長了25.5%,達39.4億美元。
- 關鍵字: 東芝 NAND 閃存芯片
東芝發(fā)布業(yè)內(nèi)最大容量嵌入式NAND閃存模組
- 東芝公司本周一發(fā)布了據(jù)稱為業(yè)內(nèi)最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內(nèi)建專用的控制器,并內(nèi)含16個采用32nm制程技術制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片,這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。 這款內(nèi)存模組產(chǎn)品裝備在便攜設備如iPod/智能手機等之上后,手機的存儲容量將實現(xiàn)倍增。比如采用單閃存模組設計的iPhone的容量可由原來的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設計的iPod touch的最大容量則可達到128GB。 東芝本月將開始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
- 關鍵字: 東芝 NAND 嵌入式 閃存模組
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