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張忠謀：臺灣企業(yè)五年內將面臨三大挑戰(zhàn)

  • 　　臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 　　張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 　　第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
  • 關鍵字： 臺積電  芯片代工  DRAM  NAND  

12月上旬合約價DRAM持平　Flash下跌

  • 　　12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價格貼近現(xiàn)貨價格水平，下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。 　　近期DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個市場的交易量是相當有限，反倒是原本各界預期12月上旬
  • 關鍵字： 南亞科  NAND  DRAM  

張忠謀：臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰(zhàn)

  • 　　12月9日消息，臺積電董事長張忠謀昨日表示，臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 　　張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 　　第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢
  • 關鍵字： 臺積電  芯片代工  DRAM  NAND  

三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標直指臺積電

  • 　　據(jù)報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。 　　根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計，去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元，而臺積電獨自占據(jù)了其中的100億美元。 　　三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內存和NAND閃存市場處于領先地位，但是他們在代工市場的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴大其代工產(chǎn)能，目標直指臺積電。 　　三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務。三星一直強調
  • 關鍵字： 臺積電  芯片代工  DRAM  NAND  

三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

  • 　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 　　即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。 　　另外一款
  • 關鍵字： 三星  30nm  NAND  

2009年12月4日，西爾特推出MTK手機平臺NAND Flash 編程解決方案

  • 　　2009年12月4日，西爾特最新推出MTK(聯(lián)發(fā)科)手機平臺NAND Flash 編程解決方案。
  • 關鍵字： 西爾特  MTK  NAND  Flash  

三星擬明年投資60億美元擴大芯片業(yè)務

  • 　　北京時間12月2日消息，據(jù)國外媒體報道，《韓國先驅報》援引匿名消息人士的話報道稱，三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業(yè)務。 　　消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業(yè)務，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務。 　　三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
  • 關鍵字： 三星  NAND  邏輯芯片  DRAM  

某閃存廠商指控蘋果在閃存市場上“欺行霸市”

  • 　　近日，有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經(jīng)常向韓系三星，海力士等廠商超額訂貨。《韓國時報》還報道稱蘋果經(jīng)常采取等待閃存由于供過于求而出現(xiàn)價格下降時，才采購少量閃存的采購策略，這很容易導致閃存廠商的庫存再次出現(xiàn)積壓現(xiàn)象。 　　由于海力士與三星兩家廠商的閃存業(yè)務對蘋果依賴甚大，因此他們對蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言，只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協(xié)約價下調4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
  • 關鍵字： 三星  NAND  

三星宣布開始量產(chǎn)兩種30nm制程NAND閃存芯片

  • 　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 　　即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。 　　另外一款三
  • 關鍵字： 三星  30nm  NAND  

NAND記憶卡需求轉強 封測產(chǎn)能缺到明年初

  • 　　據(jù)悉，包括三星、LG、諾基亞等手機大廠第四季將上市銷售的手機，已將MicroSD等NAND記憶卡列為標準內建配備，加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉強，帶動第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示，MicroSD記憶卡封測產(chǎn)能吃緊現(xiàn)象將延續(xù)到明年1、2月。 　　NAND晶片大廠三星下半年開始跨足記憶卡市場，并與創(chuàng)見合作銷售，新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場，只是手機用小型記憶卡需采用較先進的基板打線封裝(COB)制程，但兩家大廠自有封測廠產(chǎn)能已多年未曾擴充，因此8、9月后已大量將
  • 關鍵字： SanDisk  NAND  封測  

內存廠商:SSD將在2011年成為主流

  • 　　臺灣DigiTimes報道，數(shù)家內存廠商最近聚集在臺北探索建立對大陸和臺灣的固態(tài)存儲產(chǎn)業(yè)共同標準，與會者們預計隨著制程逐漸過渡到20nm，NAND閃存價格將出現(xiàn)大幅下跌，最終實現(xiàn)一個可負擔的水平，不過這一時間點被認為是2011年以后。 　　此外，來自大陸的工業(yè)代表敦促盡快發(fā)展和規(guī)范SSD的規(guī)格，以解決來自國際供應商控制的核心技術。 　　去年Fusion-io公司首席科學家Steven Wozniak曾表示，他并不認為SSD硬盤會很快就能替換普通硬盤。不過由于SSD硬盤功耗更低，同時性能更高，也不需
  • 關鍵字： NAND  SSD  

蘋果NAND Flash減單　三星、新帝策略轉向

  • 　　由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應NAND Flash數(shù)量相當有限，12月供應量控制亦開始松動，以及白牌記憶卡在市面上流通數(shù)量增加，使得淡季需求明顯反映在現(xiàn)貨及合約價上，近2個月NAND Flash價格從高檔連續(xù)緩跌，累計回檔幅度相當深。不過，多數(shù)存儲器業(yè)者認為，由于價格跌幅已大，預計后續(xù)再大跌機率不大，25日NAND Flash 11月下旬合約價開出，便呈現(xiàn)持平到小跌局面。 　　存儲器業(yè)者表示，蘋果對于NAND Flash供
  • 關鍵字： 蘋果  NAND  SSD  

NAND成本優(yōu)勢明顯，NOR成明日黃花

  • 　　市場研究機構水清木華日前發(fā)布“2009年手機內存行業(yè)研究報告”指出，NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時，NOR閃存的應用領域單一，應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢越明顯，應用領域更廣泛，應用廠家也多。手機市場變化迅速，現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年，NOR最強大的優(yōu)勢“長壽”也不復存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降，但是專心NOR領域的只有Spansion。而NAND
  • 關鍵字： 手機  NAND  NOR  

恒憶躍居世界最大NOR閃存供應商

  • 　　盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級，進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 　　展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
  • 關鍵字： Numonyx  NAND  NOR閃存  PCM  

恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景

  • 　　盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級，進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 　　展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球
  • 關鍵字： Numonyx  NAND  NOR閃存  
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