nand　文章進(jìn)入nand　技術(shù)社區(qū)

DRAM廠和模塊廠誤判情勢(shì)　DDR2供貨吃緊

　　2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢(shì)如虹的DDR3氣勢(shì)，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場(chǎng)意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢(shì)，導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫(kù)存過(guò)低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問(wèn)題將更明顯浮上臺(tái)面，且由合約價(jià)蔓延至現(xiàn)貨價(jià)，屆時(shí)1Gb DDR2現(xiàn)貨價(jià)格將看到2美元。　　近期市場(chǎng)傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
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手機(jī)內(nèi)建NAND Flash風(fēng)潮

　　手機(jī)搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內(nèi)建NAND Flash記憶體。隨著消費(fèi)者對(duì)于利用手機(jī)下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對(duì)于記憶體容量的需求更是越來(lái)越高。　　過(guò)去只流行數(shù)位相片的時(shí)代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當(dāng)夠用，但數(shù)位影片的風(fēng)氣盛行后，這樣的低容量產(chǎn)品已無(wú)法滿足消費(fèi)者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內(nèi)建NAND Flash記憶體的風(fēng)潮已開(kāi)始發(fā)酵，從最早內(nèi)建4GB和8GB容量記憶體，現(xiàn)在內(nèi)建記憶體容量已提升至16GB和32GB。　
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全球IC市場(chǎng)V形反彈已啟動(dòng) 增長(zhǎng)勢(shì)頭將延續(xù)至2011年

　　市場(chǎng)研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長(zhǎng)98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)也十分健康，這說(shuō)明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。　　從今年1月到7月，IC市場(chǎng)銷售額增長(zhǎng)了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長(zhǎng)61%、57%和50%。　　爆炸式的增長(zhǎng)率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場(chǎng)業(yè)績(jī)達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。　　“IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會(huì)是緩慢的，而是V形增長(zhǎng)，目前上升周期已經(jīng)開(kāi)始。”IC Insights分析師
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三星NAND Flash供貨臺(tái)廠銳減50%

　　近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺(tái)系存儲(chǔ)器模塊廠，9月對(duì)于臺(tái)廠NAND Flash供貨量將銳減50%，迫使部分存儲(chǔ)器模塊廠大老板緊急前往韓國(guó)調(diào)貨;無(wú)獨(dú)有偶地，美光(Micron)日前亦告知客戶無(wú)貨可供應(yīng)，加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash產(chǎn)能呈現(xiàn)嚴(yán)重不足。存儲(chǔ)器業(yè)者透露，主要是蘋(píng)果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單，加上手機(jī)大廠內(nèi)建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash產(chǎn)能幾乎被消費(fèi)性大
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存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

　　DRAM價(jià)格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺(tái)廠面對(duì)這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會(huì)從中作梗，破壞DRAM價(jià)格漲勢(shì)，然現(xiàn)在蘋(píng)果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機(jī)價(jià)格平民化的趨勢(shì)，未來(lái)內(nèi)建高容量存儲(chǔ)器普及，都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場(chǎng)前景，三星在喜迎蘋(píng)果大單之余，也無(wú)暇與臺(tái)系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。　　2009 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)觸
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美光或收購(gòu)Numonyx Intel脫離NAND市場(chǎng)？

　　根據(jù)國(guó)外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會(huì)收購(gòu)英特爾投資的NOR閃存制造商N(yùn)umonyx。　　這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進(jìn)入NOR閃存業(yè)務(wù)，并獲得Numonyx的phase-change memory技術(shù)。　　Numonyx是英特爾的合資公司，英特爾擁有其45%的股份，意法半導(dǎo)體持股49%。金融服務(wù)公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立時(shí)投資了1.5億美元。閃存業(yè)務(wù)對(duì)英特爾和意法半導(dǎo)
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三星電子計(jì)劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓

　　韓國(guó)三星電子計(jì)畫(huà)于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來(lái)提高DRAM的成本競(jìng)爭(zhēng)力。　　報(bào)導(dǎo)指出，三星電子計(jì)畫(huà)于10月底前停止在美國(guó)德州奧斯丁(Austin)半導(dǎo)體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn)，故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后，三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。　　彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國(guó)網(wǎng)路媒體“E-Daily”報(bào)導(dǎo)指
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加大在華投資恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)

　　全球最大NOR閃存芯片供應(yīng)商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同，正式投資落戶上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址，并拜會(huì)了外高橋保稅區(qū)管委會(huì)主任助理、功能區(qū)域黨工委副書(shū)記、管委會(huì)副主任簡(jiǎn)大年等領(lǐng)導(dǎo)。雙方代表齊聚一堂，共同見(jiàn)證了這一重要?dú)v史時(shí)刻。　　恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè)，擁有技術(shù)
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2012年之前NAND閃存將保持價(jià)格上升趨勢(shì)

　　美國(guó)從事半導(dǎo)體相關(guān)市場(chǎng)調(diào)查的IC Insights發(fā)布預(yù)測(cè)稱，NAND閃存市場(chǎng)將迎來(lái)價(jià)格上升局面。IC Insights預(yù)測(cè)，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設(shè)備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價(jià)格將繼續(xù)保持上升趨勢(shì)。　　IC Insights自1993年開(kāi)始就NAND閃存市場(chǎng)進(jìn)行調(diào)查以來(lái)，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績(jī)的只有2001年一次。該公司預(yù)測(cè)，今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經(jīng)濟(jì)低迷的2009年也不會(huì)例外。　　供貨容量也將大幅增長(zhǎng)。即使是全球經(jīng)濟(jì)低迷的200
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生存在矛盾之中

　　在全球金融危機(jī)影響下，由于市場(chǎng)的萎縮導(dǎo)致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來(lái)紅火的半導(dǎo)體業(yè)也感覺(jué)壓力深重。在探討未來(lái)如何發(fā)展之中，發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。　　投入多產(chǎn)出少，能持久嗎? 　　SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對(duì)于NAND閃存技術(shù)未來(lái)發(fā)展的幾點(diǎn)看法，認(rèn)為NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口，未來(lái)的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求兩者之間脫節(jié)，也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導(dǎo)致銷售額沒(méi)有相應(yīng)的增大，利潤(rùn)越來(lái)越薄,目前糟糕的NAND閃存產(chǎn)業(yè)模式使得制造廠商對(duì)于建新廠已逐漸
關(guān)鍵字： SanDisk NAND 光刻模擬電路存儲(chǔ)器

亞太晶圓代工廠2009年下半扮演資本支出復(fù)蘇推手

　　SEMI World Fab Forecast最新出爐報(bào)告，2009年前段半導(dǎo)體業(yè)者設(shè)備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底，目前在整個(gè)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈也已經(jīng)看到穩(wěn)定回升的訊號(hào)，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復(fù)蘇推手，存儲(chǔ)器晶圓廠、后段封測(cè)則跟進(jìn)。　　晶圓代工廠臺(tái)積電宣布，增加2009年資本支出回復(fù)到2008年19億美元的水平，比起原本的預(yù)測(cè)提高了26%左右。隨后，臺(tái)積電第2季的投資法人說(shuō)明會(huì)上，臺(tái)積電又進(jìn)一步
關(guān)鍵字：臺(tái)積電晶圓代工 NAND

基于VxWorks的NAND FLASH驅(qū)動(dòng)程序設(shè)計(jì)

0 引言
目前，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，計(jì)算機(jī)技術(shù)也得到飛速的發(fā)展，產(chǎn)生了很多新技術(shù)。但就計(jì)算機(jī)的基本結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，還是基本采用了馮?諾依曼結(jié)構(gòu)。然而馮?諾依曼結(jié)構(gòu)的一個(gè)中心點(diǎn)就是存儲(chǔ)一控制，所以存儲(chǔ)器
關(guān)鍵字： VxWorks FLASH NAND 驅(qū)動(dòng)

東芝32納米即將量產(chǎn)　群聯(lián)備戰(zhàn)將全線支持

　　面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)32納米的NAND Flash制程技術(shù)，東芝原本預(yù)計(jì)32納米制程產(chǎn)量，在年底可達(dá)產(chǎn)能30%，但以目前進(jìn)度來(lái)看，勢(shì)必會(huì)延后量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)，其控制芯片供應(yīng)商群聯(lián)則表示，支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準(zhǔn)備妥當(dāng)，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時(shí)可進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外，群聯(lián)8月?tīng)I(yíng)收將持續(xù)成長(zhǎng)，估計(jì)月增率可達(dá)10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續(xù)上揚(yáng)。　　東芝43納米制程量產(chǎn)成熟，下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)
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2013年閃存需求規(guī)模將達(dá)到08年的11倍

　　根據(jù)配備各種存儲(chǔ)器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預(yù)測(cè)了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢(shì)。預(yù)測(cè)結(jié)果為，1990年代曾經(jīng)拉動(dòng)半導(dǎo)體元件投資增長(zhǎng)的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。　　按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規(guī)模將達(dá)到400億個(gè) 　　《日經(jīng)市場(chǎng)調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達(dá)到約400億個(gè)。這一規(guī)模相當(dāng)于2008年的11倍左右。支持需求增長(zhǎng)的產(chǎn)品是個(gè)人電腦用SSD(固態(tài)硬盤(pán))。不過(guò)，SSD市場(chǎng)要到2
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20nm之后將采取三維層疊技術(shù)

　　在今后的2年～3年內(nèi)，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來(lái)說(shuō)，到2011年～2012年，通過(guò)采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術(shù)，NAND閃存很有可能實(shí)現(xiàn)128Gb的容量。　　但是，如果要實(shí)現(xiàn)超過(guò)128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技術(shù)。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。許多工程師也認(rèn)為，2011年～2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。但據(jù)SanDisk公司分析，當(dāng)工藝發(fā)展到20nm以下時(shí)，從
關(guān)鍵字： SanDisk 20nm NAND