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22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場(chǎng)看法存分歧

• 浸潤(rùn)式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭(zhēng)議不斷。據(jù)了解，臺(tái)積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動(dòng)深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數(shù)家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。     ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長(zhǎng)可達(dá)13.5納米，約是248波長(zhǎng)的KrF顯影設(shè)備的15分之1，盡管浸潤(rùn)式顯
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