微影設備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每小時晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預計2013年底前，可達到80瓦的目標，2015年達250瓦、每小時產(chǎn)出125片。
半導體生產(chǎn)進入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進行多次的微影制程曝光，將導致生產(chǎn)流程拉長，成本會大幅墊高，半導體大廠為
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ASML EUV
極紫外光(EUV)微影技術將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術在半導體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預計2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機臺。
ASML亞太區(qū)技術行銷協(xié)理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎研究，但目前對相關設備的開發(fā)計劃仍抱持觀望態(tài)度。
ASML亞太區(qū)技術行銷協(xié)理鄭國偉表示，ASML于2012年
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ASML EUV
5月7日消息，全球代工市場規(guī)模繼2011年增長7%，達328億美元之后，2012年再度增長16%，達到393億美元，預計2013年還將有14%的增長。
臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發(fā)展先進制程技術，希望在10nm附近全面趕上英特爾。
而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內，在工藝制程方面趕上臺積電。
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半導體代工 EUV
Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進行，會在一到兩年內投入量產(chǎn)。
2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發(fā)，并為其投產(chǎn)擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。
而從2015年開始，Intel又會陸續(xù)進入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點。
Rattner指出，Intel
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Intel 晶圓 EUV
而關于臺積電是否足夠支應大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認為，臺積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺積電今年預估會再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費用。
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臺積電 EUV
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
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EUV 晶圓
美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術目前在商業(yè)化方面領先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
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光刻 EUV
GlobalFoundries公司的光刻技術專家Obert Wood在最近召開的高級半導體制造技術會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術成熟過程中最“忐忑”的因素。
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GlobalFoundries EUV
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產(chǎn)。
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英特爾 EUV
當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術挑戰(zhàn)
對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰(zhàn)。
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EUV 節(jié)點技術
目前次世代微影技術發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術最快于2014年可望進入量產(chǎn)，而應用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產(chǎn)。
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微影技術 EUV
繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。
由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術，讓微影技術得以發(fā)展至2x奈米，不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
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臺積電 EUV 晶圓代工
英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。
Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。
在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經(jīng)理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時,進入量產(chǎn)
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英特爾 11納米 EUV
相比于2009年今年全球半導體業(yè)的態(tài)勢好了許多，但是仍有少部分人提出質疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎?
在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會上(ISS)，有些演講者表示一些擔憂，認為雖然半導體業(yè)正在復蘇的路上，但是制造商們仍缺少激情，不肯繼續(xù)大幅的投資，以及不太愿意重新擴大招慕員工。
恐怕更大的擔心來自全球半導體業(yè)間的兼并與重組到來，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術的進步。
IBS的CEO Handle Jones認為，雖然工業(yè)正在復蘇，但是在半導體業(yè)運營中仍面臨成
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ASML 半導體 EUV
TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備，是全球六個取得這項設備的客戶伙伴之一。
這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺積十二廠，用以發(fā)展新世代的工藝技術。TSMC也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術的專業(yè)集成電路制造服務業(yè)者。
相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術以193納米波長當作光源，超
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臺積電 EUV 微影設備 ASML
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