EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
qlc nand
qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
IC Insights:全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場(chǎng)預(yù)測(cè)提升至22%
- 據(jù)IC Insights預(yù)測(cè),2017年的IC市場(chǎng)增長(zhǎng)率有望提高到22%,較今年年中預(yù)期的16%再提升6個(gè)百分點(diǎn),出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場(chǎng)預(yù)測(cè)是由于DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的激增。 此外,IC Insights同時(shí)調(diào)稿對(duì)O-S-D(光電子,傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)??傮w而言,2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計(jì)增長(zhǎng)達(dá)20%,比年中預(yù)期調(diào)高5個(gè)百分點(diǎn)。 2017年,IC Insights預(yù)測(cè)DRAM的平均售價(jià)將大漲77%,預(yù)計(jì)今年將推動(dòng)DRAM
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
東芝受惡意攻擊導(dǎo)致NAND停產(chǎn):預(yù)估少生產(chǎn)40萬(wàn)TB容量
- 援引DigiTimes報(bào)道,東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴(yán)重的惡意攻擊,被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時(shí)間,這將導(dǎo)致近階段公司NAND閃存的供應(yīng)比較緊張。 DigiTimes消息稱為了清除惡意程序,東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時(shí)間才能恢復(fù)正常供應(yīng),預(yù)估將減少10萬(wàn)個(gè)wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預(yù)估假設(shè)這段停產(chǎn)時(shí)間正常生產(chǎn),能夠帶來(lái)5000萬(wàn)個(gè)芯片或者40萬(wàn)TB的NAND閃存。 近年來(lái)由于智能手機(jī)和服務(wù)器的需求不斷增大,NAND的售價(jià)也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
基于magnum 2 測(cè)試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測(cè)試技術(shù)研究
- 摘要:NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,然而在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)壞塊和在使用過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)壞塊增長(zhǎng)的情況,針對(duì)這種情況,本文介紹了一種基于magnum II 測(cè)試機(jī)的速測(cè)試的方法,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,此方法能夠有效提高FLASH的全空間測(cè)試效率。另外,針對(duì)NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù),如tREA(讀信號(hào)低電平到數(shù)據(jù)輸出時(shí)間)和tBERS(塊擦除時(shí)間)等,使用測(cè)試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì),完成NAND FLASH的時(shí)序配合,從而達(dá)到器件性
- 關(guān)鍵字: NAND magnum
Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析
- Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等?! ?989年,東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展,NAND應(yīng)用越來(lái)越廣泛,但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn):分區(qū)、ECC糾錯(cuò)、壞塊管理等。只有真正了
- 關(guān)鍵字: Nand Flash 東芝
三星公司硬盤產(chǎn)業(yè)疲軟 試圖轉(zhuǎn)向QLC閃存生產(chǎn)
- 三星方面宣布其將推出4層單元閃存,即QLC NAND芯片。目前容量最高的閃存單元是具有每單元容納3 bits的TLC(三層單元)。然而由于QLC芯片所用材料較TLC而言,其讀寫速度更慢且使用壽命也更低,所以QLC芯片的制備難度也隨之增大。 SSD可并行訪問(wèn)多塊晶片以提升訪問(wèn)速度,同時(shí)還能夠憑借冗余配置以延長(zhǎng)其耐用性。 迄今為止,東芝公司與西部數(shù)據(jù)公司,東芝方面的代工合作伙伴已經(jīng)開始運(yùn)行配有768 Gbit容量的QLC芯片產(chǎn)品生產(chǎn)線。而如果該合資企業(yè)沒(méi)有因?yàn)闁|芝方
- 關(guān)鍵字: 三星 QLC
群聯(lián)潘健成:未來(lái)五年 NAND供不應(yīng)求
- 內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選一席董事,由日商?hào)|芝內(nèi)存株式會(huì)社(TMC)當(dāng)選。在市場(chǎng)供需方面,群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成樂(lè)觀表示,未來(lái)五年,儲(chǔ)存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。 臺(tái)灣東芝先進(jìn)半導(dǎo)體因集團(tuán)組織調(diào)整,今年8月1日辭去群聯(lián)董事,群聯(lián)昨日召開股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選,并順利由東芝內(nèi)存株式會(huì)社當(dāng)選。 潘健成表示,東芝內(nèi)存主導(dǎo)負(fù)責(zé)東芝的全球半導(dǎo)體事業(yè),東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資,也透過(guò)合作互補(bǔ),強(qiáng)化技術(shù),雙方關(guān)系將比過(guò)去15年更加緊密,在產(chǎn)業(yè)的競(jìng)
- 關(guān)鍵字: NAND
2018年NAND Flash供給年增42.9%,全年度供需由緊俏轉(zhuǎn)為平衡
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機(jī)搭載容量與服務(wù)器需求的帶動(dòng),加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度不如預(yù)期的影響下,供不應(yīng)求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個(gè)季度;展望2018年,NAND Flash供給將增加42.9%,需求端將成長(zhǎng)37.7%,明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,從NAND Flash的供給面來(lái)看,因?yàn)镹AND制程從2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D不如預(yù)期,導(dǎo)致2017年非三星陣營(yíng)的新
- 關(guān)鍵字: NAND 西數(shù)
2017年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)950億美元
- 日前,由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的、以“中國(guó)存儲(chǔ) 全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)在深圳圓滿落幕。本次峰會(huì)齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、海康存儲(chǔ)等企業(yè)重量級(jí)嘉賓,一起探討存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)。峰會(huì)吸引全球近700家企業(yè)參會(huì),其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì),涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等,參會(huì)觀眾超
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存
東芝宣布出售予美日聯(lián)盟,加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導(dǎo)體事業(yè)以2兆日?qǐng)A出售給由美國(guó)私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟,,由于此出售案較預(yù)期延宕,對(duì)于NAND Flash市場(chǎng)的產(chǎn)能影響,預(yù)期要到明年上半年才會(huì)趨于明顯;中長(zhǎng)期而言,在資金到位的情況下,將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,此次出售案的收購(gòu)對(duì)象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)(INCJ)財(cái)團(tuán)、
- 關(guān)鍵字: 3D NAND 東芝
qlc nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473