qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
關(guān)鍵字： DRAM NAND RAM

Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析

　　Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等。　　1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來(lái)越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn)：分區(qū)、ECC糾錯(cuò)、壞塊管理等。只有真正了
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3D NAND微縮極限近了嗎？

隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
關(guān)鍵字： 3D NAND 摩爾定律

三星公司硬盤產(chǎn)業(yè)疲軟試圖轉(zhuǎn)向QLC閃存生產(chǎn)

　　三星方面宣布其將推出4層單元閃存，即QLC NAND芯片。目前容量最高的閃存單元是具有每單元容納3 bits的TLC(三層單元)。然而由于QLC芯片所用材料較TLC而言，其讀寫速度更慢且使用壽命也更低，所以QLC芯片的制備難度也隨之增大。　　　　SSD可并行訪問(wèn)多塊晶片以提升訪問(wèn)速度，同時(shí)還能夠憑借冗余配置以延長(zhǎng)其耐用性。　　迄今為止，東芝公司與西部數(shù)據(jù)公司，東芝方面的代工合作伙伴已經(jīng)開始運(yùn)行配有768 Gbit容量的QLC芯片產(chǎn)品生產(chǎn)線。而如果該合資企業(yè)沒有因?yàn)闁|芝方
關(guān)鍵字：三星 QLC

群聯(lián)潘健成：未來(lái)五年 NAND供不應(yīng)求

　　內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選一席董事，由日商?hào)|芝內(nèi)存株式會(huì)社(TMC)當(dāng)選。在市場(chǎng)供需方面，群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成樂(lè)觀表示，未來(lái)五年，儲(chǔ)存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。　　臺(tái)灣東芝先進(jìn)半導(dǎo)體因集團(tuán)組織調(diào)整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選，并順利由東芝內(nèi)存株式會(huì)社當(dāng)選。　　潘健成表示，東芝內(nèi)存主導(dǎo)負(fù)責(zé)東芝的全球半導(dǎo)體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過(guò)合作互補(bǔ)，強(qiáng)化技術(shù)，雙方關(guān)系將比過(guò)去15年更加緊密，在產(chǎn)業(yè)的競(jìng)
關(guān)鍵字： NAND

2018年NAND Flash供給年增42.9%，全年度供需由緊俏轉(zhuǎn)為平衡

　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機(jī)搭載容量與服務(wù)器需求的帶動(dòng)，加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度不如預(yù)期的影響下，供不應(yīng)求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個(gè)季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長(zhǎng)37.7%，明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來(lái)看，因?yàn)镹AND制程從2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D不如預(yù)期，導(dǎo)致2017年非三星陣營(yíng)的新
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NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)高漲，NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)高漲，2020年將超DRAM

9月6日，深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國(guó)存儲(chǔ)·全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)，本文根據(jù)部分會(huì)議內(nèi)容整理了國(guó)內(nèi)外NAND閃存及部分非易失存儲(chǔ)器市場(chǎng)信息。
關(guān)鍵字：閃存 NAND 3D Xpoint 201710

2017年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)950億美元

　　日前，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的、以“中國(guó)存儲(chǔ) 全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)在深圳圓滿落幕。本次峰會(huì)齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、?？荡鎯?chǔ)等企業(yè)重量級(jí)嘉賓，一起探討存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)。峰會(huì)吸引全球近700家企業(yè)參會(huì)，其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì)，涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等，參會(huì)觀眾超
關(guān)鍵字： NAND 閃存

東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導(dǎo)體事業(yè)以2兆日?qǐng)A出售給由美國(guó)私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預(yù)期延宕，對(duì)于NAND Flash市場(chǎng)的產(chǎn)能影響，預(yù)期要到明年上半年才會(huì)趨于明顯;中長(zhǎng)期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購(gòu)對(duì)象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)(INCJ)財(cái)團(tuán)、
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東芝半導(dǎo)體如此多嬌，引無(wú)數(shù)科技大佬競(jìng)折腰

到底為什么東芝半導(dǎo)體可以引起如此大的波瀾?產(chǎn)品和技術(shù)有什么過(guò)人之處?鴻海為首的“不差錢”軍團(tuán)又希望從東芝半導(dǎo)體得到什么?小編給你一一說(shuō)明。
關(guān)鍵字：東芝 NAND

CFM：原廠加碼投資擴(kuò)產(chǎn)64層3D NAND，然部分市場(chǎng)仍缺貨到年底

　　9月6日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦以“中國(guó)存儲(chǔ)?全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會(huì)除了齊聚國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)?！　‘?dāng)天吸引全球近700家企業(yè)參會(huì)，其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì)，涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、
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莫大康：中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍

　　與美國(guó)在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國(guó)力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。　　01引言　　近期華爾街日?qǐng)?bào)撰文“中國(guó)的下一個(gè)目標(biāo)奪下美國(guó)的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場(chǎng)，歪曲事實(shí)。　　此次中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義：　　一個(gè)是差距大，希望迅速的成長(zhǎng)，至多是擴(kuò)大芯片的自給率。　　另一個(gè)是西方千方百計(jì)的阻礙中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步
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狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴(kuò)產(chǎn)

　　2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動(dòng)DRAM、3DNAND及晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)資本支出上看150億~220億美元，遠(yuǎn)超過(guò)臺(tái)積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模，三星為確保新產(chǎn)能如期開出，近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長(zhǎng)約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準(zhǔn)備。　　三星為因應(yīng)DRAM和3DNAND市場(chǎng)強(qiáng)勁需求，加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程，企圖與臺(tái)積電一較長(zhǎng)短，搶
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三星電子波瀾再起 NAND芯片市場(chǎng)風(fēng)云變幻

　　8月28日，三星電子宣布，未來(lái)將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過(guò)，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場(chǎng)的需求。”可是，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場(chǎng)需求嗎? 　　波瀾的背后　　據(jù)2017年第二季度財(cái)報(bào)顯示，三星電子營(yíng)收額高達(dá)554.1億美元，同比增長(zhǎng)19%，并且，三星電子以銷售額14億美元的成績(jī)拿下45.9%的NAND Flash市占有率。　　有業(yè)者分析稱，三星第二季度如此強(qiáng)勁的主要原因是蘋果等其他電子類產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛，同時(shí)其
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第二季NAND Flash品牌廠營(yíng)收季成長(zhǎng)8%，第三季價(jià)格續(xù)揚(yáng)

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價(jià)平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價(jià)仍持續(xù)小漲，2017年將是NAND Flash廠商營(yíng)收表現(xiàn)成果豐碩的一年。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧
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