qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
CFM:原廠加碼投資擴(kuò)產(chǎn)64層3D NAND,然部分市場仍缺貨到年底
- 9月6日,由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲(chǔ)?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會(huì)除了齊聚國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講,其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)?! ‘?dāng)天吸引全球近700家企業(yè)參會(huì),其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲(chǔ)、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì),涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、
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莫大康:中國半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍
- 與美國在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程等方面的差距,不僅表現(xiàn)在人材,技術(shù)等方面,可能更大的差距在于綜合的國力,以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善,所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。 01引言 近期華爾街日報(bào)撰文“中國的下一個(gè)目標(biāo)奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚,它是站在美方的立場,歪曲事實(shí)。 此次中國半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”,有兩層意義: 一個(gè)是差距大,希望迅速的成長,至多是擴(kuò)大芯片的自給率。 另一個(gè)是西方千方百計(jì)的阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步
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狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴(kuò)產(chǎn)
- 2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動(dòng)DRAM、3DNAND及晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)資本支出上看150億~220億美元,遠(yuǎn)超過臺(tái)積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模,三星為確保新產(chǎn)能如期開出,近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長約,狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能,并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%,主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準(zhǔn)備。 三星為因應(yīng)DRAM和3DNAND市場強(qiáng)勁需求,加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程,企圖與臺(tái)積電一較長短,搶
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三星電子波瀾再起 NAND芯片市場風(fēng)云變幻
- 8月28日,三星電子宣布,未來將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過,三星稱,“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是,三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎? 波瀾的背后 據(jù)2017年第二季度財(cái)報(bào)顯示,三星電子營收額高達(dá)554.1億美元,同比增長19%,并且,三星電子以銷售額14億美元的成績拿下45.9%的NAND Flash市占有率。 有業(yè)者分析稱,三星第二季度如此強(qiáng)勁的主要原因是蘋果等其他電子類產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛,同時(shí)其
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第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%,第三季價(jià)格續(xù)揚(yáng)
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響,即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季,各產(chǎn)品線合約價(jià)平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價(jià)仍持續(xù)小漲,2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制,NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧
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DIGITIMES:聲光暫掩的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況
- 開年以來大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長江存儲(chǔ)CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清,表示從未發(fā)表過32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來是中芯國際董事長周子學(xué)表達(dá)的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1),指出要花至少15年的時(shí)間,大陸才能發(fā)展出比較有市場競爭力的企業(yè)主體。再來是最近紫光集團(tuán)表示,由于長江存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器芯片工廠專案投資規(guī)模過大,目前尚處于建設(shè)初期,短期無法產(chǎn)生銷售收入,時(shí)機(jī)不成熟,停止收購長江存儲(chǔ)的股份。雖然似乎大陸整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動(dòng)能,但
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三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀(jì)錄,手機(jī)品牌包產(chǎn)能
- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會(huì)一直缺貨到明年,許多客戶搶貨,已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出,未簽訂長約的客戶,內(nèi)存供貨將短缺,沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。 集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報(bào)告,強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn),缺貨問題更嚴(yán)重。 業(yè)界表示,三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣,尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲(chǔ)存程序代碼關(guān)鍵組件,雖然單價(jià)遠(yuǎn)比DRAM
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各家爭鳴存儲(chǔ)器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 儲(chǔ)存技術(shù)之爭再掀戰(zhàn)火
- 在2017年快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,可見各主要NAND Flash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲(chǔ)器芯片以期能主導(dǎo)競爭優(yōu)勢,幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵喕疐lash儲(chǔ)存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性,以減少應(yīng)用在資料中心時(shí)出現(xiàn)的延遲問題,以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標(biāo)準(zhǔn),另值得注意的是,本屆大會(huì)上甚至連主要硬盤(HD)制造商,都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢。 根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報(bào)導(dǎo),在本屆大會(huì)上,三星電子(Samsung Electr
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1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世
- 三星計(jì)劃在明年推出容量達(dá)1-Tbit的V-NAND芯片,以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 三星(Samsung)計(jì)劃明年推出容量達(dá)1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND,以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示,去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣,據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達(dá)到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。 三星的Tbit NAND可支持高達(dá)每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率,并在一個(gè)堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達(dá)4
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三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達(dá)1Tb
- 相較于2.5寸SATA,M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢,如果總線走PCIe,速度上更是完爆。 在舊金山的閃存峰會(huì)上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達(dá)1Tb,用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。 三星表示,今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品,即一整顆芯片封裝16Tb Die,繼續(xù)減小體積。 如此精巧之后,連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了,三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。 其
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東芝傳計(jì)劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND
- 日刊工業(yè)新聞7日報(bào)導(dǎo) ,為了提高3D架構(gòu)的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應(yīng)三星電子等競爭對手加快擴(kuò)產(chǎn)腳步,東芝(Toshiba)將進(jìn)一步祭出增產(chǎn)投資,計(jì)劃在日本巖手縣北上市興建新工廠,該座新廠預(yù)計(jì)于2018年度動(dòng)工、 2021年度啟用,總投資額將達(dá)1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。 該座3D NAND新工廠興建計(jì)劃由東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負(fù)責(zé)
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存儲(chǔ)器分類匯總,DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎?
- RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM,random?access?memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的縮寫,下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲(chǔ)器的區(qū)別。 SRAM:靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,就是它不需要刷新電路,不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣,每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低,不適合做容量大的內(nèi)存,一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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半導(dǎo)體人才流失中國,三星呼吁韓國政府幫忙
- 根據(jù)韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報(bào)導(dǎo),三星副總裁權(quán)五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話,要韓國政府給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多的支持,以解決人才荒的問題。 報(bào)導(dǎo)中指出,目前是三星副總裁,也是領(lǐng)導(dǎo)三星顯示器部門的權(quán)五鉉,日前在一項(xiàng)公開演講中指出,韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自認(rèn)為有其競爭的實(shí)力。 不過,卻面臨當(dāng)當(dāng)前半導(dǎo)體人才不足的問題。 權(quán)五鉉進(jìn)一步指出,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎(chǔ),因此希望韓國政府能藉由科技培訓(xùn)的管道,持續(xù)為半導(dǎo)體與設(shè)備產(chǎn)業(yè)供應(yīng)需要的人才。
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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