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ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失

  • 　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！　?nbsp;  　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
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東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠

  • 　　2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報導(dǎo)，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。 　　事實上，目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設(shè)當(dāng)中，預(yù)計將于 2018 年第 4 季完工
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • 　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。 　　DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。 　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
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中國反壟斷機構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個季度,何處是盡頭?

  • 圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

  • 　　DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。 　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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潘健成：明年3D NAND進入96層　群聯(lián)準(zhǔn)備好了

  • 　　今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格，隨著制程轉(zhuǎn)換完成，全球缺貨問題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長潘健成指出，2018年底將進入96層的3D NAND技術(shù)世代，帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次，群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好了，呈現(xiàn)蓄勢待發(fā)的姿態(tài)! 　　今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
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美光任命Derek Dicker為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理

  • 　　美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理?！　≡诖寺毼簧?，Dicker 將負責(zé)領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲業(yè)務(wù)，包括打造世界領(lǐng)先的存儲解決方案，從而把握云端、企業(yè)級和客戶端計算等大型細分市場中日漸增多的機遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報?！　icker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗，包括在 Intel、
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旺宏NAND論文 獲國際肯定

  • 　　內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進內(nèi)存研發(fā)實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。 　　旺宏強調(diào)，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達到二到三倍的內(nèi)存密度。 　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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讓汽車更智能，適用于汽車遠程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP

  • 　　被譽為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕，來自全世界的主要汽車生產(chǎn)廠商通過展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來描繪下一代汽車發(fā)展藍圖，其中 “人工智能”、“自動駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產(chǎn)業(yè)界公認的未來的發(fā)展方向?！　±?，豐田展出的“愛i”系列，能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習(xí)慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個高清晰攝像頭，能捕捉到周圍的行人、車輛
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圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

  • 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，目前狀況到底如何?
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三星擴產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩

  • 　　三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調(diào)機構(gòu)IC Insights認為，3D NANDFlash恐將供過于求。 　　IC Insights預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。 　　三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash)，將達140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態(tài)
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東芝第二財季運營利潤增長76% 芯片業(yè)務(wù)表現(xiàn)強勁

  • 　　11月9日消息，據(jù)國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)強勁業(yè)績的驅(qū)動，該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對外出售。 　　處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。 　　這個業(yè)績好于分析師預(yù)期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預(yù)估，東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機

  • 　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。 　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。 　
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機

  • 　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。 　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。 　
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