首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> qlc nand

解讀：上半年中國固態(tài)硬盤市場發(fā)展現(xiàn)狀

  • 　　受NAND Flash供貨緊張影響，以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動設備等領(lǐng)域SSD強勁需求，2017年上半年NAND Flash價格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計，NAND Flash價格累計漲幅達26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。 　　 ? 　　2017年上半年，中國市場智能手機、平板電腦等移動設備需求出現(xiàn)下滑，再加上NAND Flash的價格持續(xù)走高，高價壓力下的SSD市場呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態(tài)硬盤的關(guān)注度有所回升。 　　 ? 　
  • 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤  NAND   

ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年

  • 　　IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。 　　 不過因為原廠紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當高。   　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

NAND閃存供應短缺，三星斥資186億美元投資芯片

  • 　　韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 　　作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。 　　近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動NAND閃存的
  • 關(guān)鍵字： NAND  三星  

ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉(zhuǎn)

  • 　　ICinsights認為，全球內(nèi)存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。 　　盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。 　　內(nèi)存價格從去年第三季起漲，ICinsights預期動能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉(zhuǎn)負，為這波正向循環(huán)劃下休止符。 　　ICinsights指出，隨著價格走揚，內(nèi)存制造商也再次增加資本投
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

KBS：聚焦韓國半導體產(chǎn)業(yè)

  • 　　韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風生水起。世界上最大的內(nèi)存芯片供應商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導體生產(chǎn)線已經(jīng)開始量產(chǎn)。NAND閃存技術(shù)開發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個同盟，將投標收購日本東芝的內(nèi)存部門。今天，我們邀請到了韓國真好經(jīng)濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導體產(chǎn)業(yè)的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導體工廠的意義。 　　根據(jù)IT市場研究公司的數(shù)據(jù)，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數(shù)字具有絕對優(yōu)勢，但平澤半導體廠
  • 關(guān)鍵字： 半導體  NAND  

NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃

  • 　　這個時間點我們討論NorFlash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動預期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究; 　　汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn)TDDI+AMOLED新需求錦上添花 　　1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn) 　　從各方面驗證，2016年是NOR的拐點
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

三星電子全球最大規(guī)模半導體生產(chǎn)線投產(chǎn)

  • 　　據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達20萬片，并計劃持續(xù)擴充生產(chǎn)設備，解決近年來全球半導體市場上供不應求的局面。 　　據(jù)了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。 　　三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導體生產(chǎn)線投入6
  • 關(guān)鍵字： 三星  V-NAND  

東芝全球首發(fā)QLC閃存意外彪悍：壽命竟堪比TLC

  • 　　東芝日前發(fā)布了全球首個基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片，64層堆疊封裝，單顆容量可以做到768Gb(32GB)，可以帶來容量更大、成本更低的SSD產(chǎn)品。　　不過隨著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展，壽命和耐用性一直是個讓人憂慮的問題?！　⌒酒　AND閃存目前已經(jīng)發(fā)展出了四種形態(tài)：SLC單比特單元，性能最好，壽命最長，但成本也最高;MLC雙比特單元，性能、壽命、成本比較均衡，目前主要用于高端和企業(yè)級產(chǎn)品;TLC三比特單元，成本低，容量大，但壽命越來越短;QLC
  • 關(guān)鍵字： 東芝  QLC  

東芝全球首發(fā)QLC 3D閃存：64層堆疊 單芯片1.5TB

  • 　　SLC(單比特)、MLC(雙比特)、TLC(三比特)之后，NAND閃存的第四種形態(tài)QLC終于正式出爐了。東芝今天發(fā)布了全球第一個采用每單元4比特位設計的QLC閃存，廉價的超大容量SSD將不再是夢。 　　從TLC到QLC，雖然只是在同樣的電子單元內(nèi)增加了一個比特位，但技術(shù)挑戰(zhàn)十分之大，因為需要雙倍的精度才能確保足夠高的穩(wěn)定性、壽命和性能，不過一旦克服各種技術(shù)障礙，隨著容量的大幅增加，單位成本也會繼續(xù)迅速下降。 　　東芝的這種新型BiCS閃存依然采用3D立體封裝，堆疊多達64層，每個Die的容量已經(jīng)做
  • 關(guān)鍵字： 東芝  QLC   

東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨投1800億增產(chǎn)3D NAND

  • 　　全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。 　　東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點」？

  • 　　64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預計將在未來18個月內(nèi)成為市場主流... 　　Western Digital(WD)內(nèi)存技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。 　　在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術(shù)」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產(chǎn)品線。 他預計今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
  • 關(guān)鍵字： NAND  堆棧  

三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)

  • 　　三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產(chǎn)，與此同時，三星還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。 　　64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩(wěn)固領(lǐng)先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。 　　其實，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動與消費型儲存市場開發(fā)新應用，務求與 I
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

若拿下東芝 郭董：優(yōu)先設廠美國

  • 　　鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實，將籌組美、日、臺夢幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現(xiàn)擔心鴻?！钢袊蛩亍沟脑u論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省高層，并強調(diào)，鴻海如果順利得標，海外市場將優(yōu)先考慮在美設內(nèi)存芯片廠。 　　東芝半導體競標案進入倒數(shù)計時，預計本周公布結(jié)果。 競標者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。 郭董強調(diào)，如果鴻海順利標下東芝半導體事業(yè)，希望未來能在海外建立內(nèi)存工廠，地點將優(yōu)先考慮美國。 　　郭臺銘補充，因為美國國內(nèi)市場需求在當?shù)剡€沒達到，
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND   

NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC

  • NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
  • 關(guān)鍵字： MLC  閃存  NAND  英特爾  

每況愈下 東芝還能否從風暴中脫身？

  • 公司內(nèi)部派系斗爭問題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災影響日本經(jīng)濟及東芝業(yè)績，造成派系斗爭惡化，及為自保而偽造業(yè)績歪風興起，等到2015年事件爆發(fā)，發(fā)現(xiàn)該廠從2008會計年度(2008/4~2009/3)便有業(yè)績灌水的問題，事件逐一發(fā)不可收拾。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND   
共1137條 21/76 |‹ « 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 » ›|

qlc nand介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473